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ARM在Sdram中調(diào)試和燒寫flash中有什么區(qū)別？ |
| 作者：zhaoem82 欄目：ARM技術(shù) |
我的44b0的ucos移值代碼在SDRAM調(diào)試運(yùn)行正常，但將程序燒寫到FLASH中就運(yùn)行一會(huì)就死機(jī)了，能正常進(jìn)行兩三次任務(wù)調(diào)度后就死機(jī)。 注：Ro,Rw已修改設(shè)置，同樣的設(shè)置的另一個(gè)程序燒寫到FLASH能正常運(yùn)行，兩個(gè)程序啟動(dòng)部分代碼一樣。程序初始化SDRAM,FLASH外圍器件部分相同。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhaoem82 于 2007/1/24 11:10:00 發(fā)布：
終于解決了！ 原來是在匯編程序用DCD定義的的一個(gè)臨時(shí)變量分配在FLASH中不能改寫，在SDRAM中可以改寫。 順便問一個(gè)，用DCD分配的變量是不是都在Ro段中? 還有在匯編中用GBLA定義的變量，能不能在匯編中將寄存器的值送該變量? |
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