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反激電源振蕩，既然不可避免，能否穩(wěn)定工作？（增加波形圖) |
| 作者：音樂樂樂 欄目：電源技術(shù) |
測量mos管的G極，是一個個的小脈沖，但是變壓器線圈的波形（和MOS管D、S間波形）確是一個個的振蕩波形，而且波形逐漸衰減，一個G極的小脈沖對應(yīng)一個振蕩周期；而輸出電壓確沒問題？ * - 本貼最后修改時間：2006-12-27 9:27:27 修改者：音樂樂樂
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| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/13 11:27:00 發(fā)布：
2樓，問了一下798，他們說不正常 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2006/12/13 19:05:00 發(fā)布：
振鈴現(xiàn)象，來源于變壓器漏感和寄生電容引起的阻尼振蕩 由于變壓器的初級有漏感，當(dāng)電源開關(guān)管由飽和導(dǎo)通到截止關(guān)斷時會產(chǎn)生反電動勢，反電動勢又會對變壓器初級線圈的分布電容進行充放電，從而產(chǎn)生阻尼振蕩，即產(chǎn)生振鈴。變壓器初級漏感產(chǎn)生反電動勢的電壓幅度一般都很高，其能量也很大，如不采取保護措施，反電動勢一般都會把電源開關(guān)管擊穿，同時反電動勢產(chǎn)生的阻尼振蕩還會產(chǎn)生很強的電磁輻射，不但對機器本身造成嚴(yán)重干擾，對機器周邊環(huán)境也會產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。 加入RCD吸收回路，可抑制反電動勢和振鈴電壓幅度。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2006/12/13 19:12:00 發(fā)布：
變壓器的繞制工藝相當(dāng)重要 MAXIM的推薦應(yīng)用不會如此之差，這個電路成功的關(guān)鍵在于變壓器的繞制工藝。 圖中的變壓器已經(jīng)有Nt繞組作為勵磁吸收，但Nt與Np需緊藕合，最好是雙線并繞，估計你是分開繞成兩個獨立線包了 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2006/12/13 19:14:00 發(fā)布：
振鈴的圖像
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/13 19:36:00 發(fā)布：
老兄說的太對了！這波形就是上述圖形所示的樣子 ——圖中的變壓器已經(jīng)有Nt繞組作為勵磁吸收，但Nt與Np需緊藕合，最好是雙線并繞，估計你是分開繞成兩個獨立線包了 Nt不是反饋線圈用于穩(wěn)定電壓嗎，還有勵磁吸收的用途？變壓器是798廠的張工繞的，看外觀應(yīng)該是分開繞了，但是Nt和Np圈數(shù)不一樣怎么雙線并繞呢？還是按照匝數(shù)少的并繞，多匝多出的部分只能單獨繞？ 我的應(yīng)用有四組輸出，兩組5V，一組15V和一組24V，一共是六個線圈。工作時我發(fā)現(xiàn)MOSFET的VDS和肖特基二極管的反向電壓遠超出想象的值，比如：在15V供電時Vds峰值為25V，25V供電時Vds峰值為40V！而肖特基二極管的反向電壓就更高了，5V輸出端的峰值居然高達20V！這是不是因為振蕩造成的呢？ 正常情況下Vds峰值和二極管反向峰值電壓應(yīng)該為多大？ |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2006/12/13 23:39:00 發(fā)布：
音樂樂樂 在北京？ davidli88 版主說得很準(zhǔn)確，這個電路MOS管漏極沒有吸收回路，所以Nt的吸收作用非常明顯，應(yīng)該雙線并繞，如果高壓供電Np匝數(shù)太多不好繞，可以將Np分成兩層，Nt夾在中間。不過你這個圖是低壓供電，兩個繞組匝數(shù)不會差太多的。 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/14 7:23:00 發(fā)布：
我在北京，maychang在哪兒呢？ 那個RCD吸收電路容易理解，Nt是如何吸收的呢？前者的漏感部分能量基本消耗了，電阻估計會發(fā)燙？效率會不會很低？后者效率上有沒有提高呢？ |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2006/12/14 17:32:00 發(fā)布：
我在北京 Nt嚴(yán)格地說是箝位。當(dāng)Nt兩端電壓大于Cdd兩端電壓時二極管導(dǎo)通，使Nt兩端電壓不會超過Cdd兩端電壓。能量耗散在R1R2上。這與RCD電路的區(qū)別僅在于RCD電路是直接接在管子漏極而這里通過兩個繞組耦合。 要效率高，變壓器Np和Ns之間漏感當(dāng)然要小，管子導(dǎo)通電阻要小，變壓器繞組的直流電阻要小，次級的整流二極管壓降要小……。 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/15 8:13:00 發(fā)布：
哦，原來Nt的作用是這樣的啊 張工說反激變壓器需要空隙，而這個空隙越大漏感越大，但空隙太小能量傳輸效率就會更低，挺復(fù)雜的啊 理論上，這個MOSFET和整流管的耐壓應(yīng)該多大？MOSFET為Vdd*(1/占空比)？整流管為(輸出電壓*(1+1/占空比))？ * - 本貼最后修改時間：2006-12-15 8:28:26 修改者：音樂樂樂 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2006/12/15 9:06:00 發(fā)布：
反激變換一般需要加氣隙 氣隙當(dāng)然會使漏感變大。 不過加氣隙的方式不同，漏感增加很不相同。 通常加氣隙的方法，是在EE形狀或EI形狀鐵氧體的磁路中墊紙，總氣隙厚度為紙厚度的二倍。這樣漏感較大。 另一種方法是將EE形狀鐵氧體芯的中心柱磨短造成氣隙，這種方法漏感小。但需要磨床，自己很難辦到。 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/15 9:28:00 發(fā)布：
我用的變壓器就是EE型，而且氣隙是在中心柱磨的 好像又找到了另一個重要原因，MOSFET的輸出電容是不是影響很大？由于申請的樣片SI4436還沒到，我用IRF7413替代試驗的，而IRF7413的Coss為680PF，Qg最大為79nC；SI4436的Coss為90pF，Qg最大為32nC；振蕩是不是和這個也有關(guān)呢？ |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： aq007 于 2006/12/15 12:45:00 發(fā)布：
路過 又學(xué)習(xí)了很多，謝謝 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2006/12/17 12:13:00 發(fā)布：
回樓主 MOSFET的輸出電容當(dāng)然與振蕩頻率有關(guān)。實際上，MOSFET的輸出電容就是并聯(lián)在這個振蕩回路兩端的。 一般對電路不是很熟悉的人，容易誤解 davidli88 版主在7樓的圖，圖中已經(jīng)注明是漏感產(chǎn)生的振蕩，是從功率管關(guān)斷就開始這個阻尼振蕩。但還有一種阻尼振蕩，只發(fā)生在電流不連續(xù)的反激變換器。當(dāng)功率MOSFET(或雙極型三極管)導(dǎo)通時，相當(dāng)于將振蕩回路兩端短路，不可能產(chǎn)生這種阻尼振蕩。當(dāng)變壓器次級的整流二極管導(dǎo)通時，也相當(dāng)于將振蕩回路兩端短路，同樣不可能產(chǎn)生這種阻尼振蕩。這種阻尼振蕩只存在于功率管和整流二極管都不導(dǎo)通的那段時間。其波形是在關(guān)斷后有一個高平臺，這是次級的整流二極管對濾波電容充電的過程，二極管截止后才開始阻尼振蕩。 這個阻尼振蕩當(dāng)然要消耗能量。一方面振蕩電流流過繞組，產(chǎn)生焦耳熱，另一方面鐵心磁通迅速變化，鐵損也很大。所以電流不連續(xù)工作模式的反激變換器效率總是比較低的。 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： 善解人意 于 2006/12/17 20:29:00 發(fā)布：
奇怪的反激電源變壓器振蕩，有沒有大蝦遇到過啊?（有圖） 看你們聊的那么好，我也想問一下樓主，我用的IC0380，不知怎么把正負12V 的整流管對換了一下,但輸出的電壓升到30了.是不是也是這個原因.5V 正常 |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/18 8:15:00 發(fā)布：
樓上，設(shè)計電壓是多少呢？ 測量一下波形看看就知道了，可能跟空載也有關(guān)？ |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： leihuzhi 于 2006/12/23 10:12:00 發(fā)布：
路過 好精彩.有所收獲.謝謝大蝦們的精彩回復(fù). |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/25 11:42:00 發(fā)布：
maychang ，我的波形圖和davidli88給的差不多 漏感與電源效率有沒有數(shù)值關(guān)系？或者說在測試變壓器的時候，漏感多大才算合理呢？ * - 本貼最后修改時間：2006-12-25 13:27:53 修改者：音樂樂樂 |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/25 13:34:00 發(fā)布：
我有4組電壓輸出，24V輸入時效率為72％，是不是太低了? 7V 50MA,7V 150MA，30V 100mA，20V 30mA |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/25 14:14:00 發(fā)布：
磁心材料R2KB1 |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/12/25 14:34:00 發(fā)布：
你的波形圖和davidli88給的差多少？ 1.davidli88給出的是一個比較夸張的“漏感振鈴圖”，與樓主描述——“一個G極的小脈沖對應(yīng)一個振蕩周期”——好像不是一回事。 2.漏感與預(yù)期效率有一定關(guān)系，具體要看電路對漏感儲能做了怎樣處理。 3.在這里，希望漏感越小越好。具體數(shù)值依試驗電路結(jié)果與可能的工藝水平確定吧。 4.嚴(yán)格講，手冊典型電路還是一個原理電路，有些細節(jié)（尤其工藝）問題還要考慮。 5.回善解人意，反激式二極管反接后的輸出電壓是不確定的。 |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/25 20:06:00 發(fā)布：
據(jù)我的經(jīng)驗，這種現(xiàn)象的原因是負載太小。 |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/25 20:54:00 發(fā)布：
負載太小的時候振蕩嚴(yán)重，負載正常時候也有振蕩，如下圖： 測量的MOSFET DS電壓 波形 * - 本貼最后修改時間：2006-12-25 20:56:26 修改者：音樂樂樂
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| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/25 20:55:00 發(fā)布：
下圖為變壓器原線圈電壓波形（根據(jù)MOSFET ds電壓翻轉(zhuǎn)得到）。 * - 本貼最后修改時間：2006-12-25 20:56:50 修改者：音樂樂樂
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| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/25 21:01:00 發(fā)布：
振蕩時間并不是在MOSFET剛剛斷開的時候 也不是發(fā)生在MOSFET導(dǎo)通的時候，而是發(fā)生在MOSFET斷開過一會兒的時間里，而這段時間應(yīng)該就是MOSFET和整流管都不導(dǎo)通的時間里的，難道是16樓maychang 老兄說的那種振蕩？這種振蕩如何避免啊？ |
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| 26樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/27 11:10:00 發(fā)布：
25樓的圖形是正常圖形 不這樣恐怕反而不正常。 |
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| 27樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/27 11:13:00 發(fā)布：
多謝!有樓上的話偶就放心了，不過這樣的波形需要加RCD吸收電路嗎 也沒看見比電源電壓高的振蕩尖鋒啊，是不是可以不用再加吸收電路了？ * - 本貼最后修改時間：2006-12-27 11:14:44 修改者：音樂樂樂 |
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| 28樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/27 11:14:00 發(fā)布：
這種震蕩無需避免。 27樓： 振蕩時間并不是在MOSFET剛剛斷開的時候 也不是發(fā)生在MOSFET導(dǎo)通的時候，而是發(fā)生在MOSFET斷開過一會兒的時間里，而這段時間應(yīng)該就是MOSFET和整流管都不導(dǎo)通的時間里的，難道是16樓maychang 老兄說的那種振蕩？這種振蕩如何避免啊？ =================================================== 這種震蕩無需避免。 如果避免了，恐怕反而不是好事， |
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| 29樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/27 12:36:00 發(fā)布：
多謝樓上！ 我想知道有沒有實例反激電源不加吸收電路的，會不會所有的反激電源不管有沒有“剛關(guān)斷時的振蕩”（就是davidli88說的振鈴）都加上一個RCD吸收電路呢？在5W微功率時如果沒有這種振鈴是不是這個吸收電路可以省略? |
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| 30樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/28 14:52:00 發(fā)布：
一般不可省略吸收電路，否則返修率高達10% RCD吸收電路的用途是防止漏極電壓上升過快，并減少關(guān)斷過程中的管耗，與上述振蕩關(guān)系不大。 這個吸收電路可否省略，與上述振蕩無關(guān)，主要看漏極電壓上升率dv/dt是否超過管子的耐受極限。 2003年之前推出的場效應(yīng)管型號，沒有dv/dt耐受參數(shù)，一般不可省略吸收電路。能否省略，主要看電流不看電壓。如果電流在管子的最大電流的10分之1以下，是可以省略此吸收電路的。 |
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| 31樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/28 19:29:00 發(fā)布：
多謝樓上，實際的dv/dt應(yīng)該怎么計算？ 開關(guān)頻率280KHZ,占空比40％，輸入電壓36V，平均輸入電流400MA，MOSFET關(guān)斷到Vds上升到36V的時間應(yīng)該怎么計算呢？ 另外老兄說的——“如果電流在管子的最大電流的10分之1以下，是可以省略此吸收電路的” 是指什么平均電流嗎？看看這個MOSFET特性(dv/dt怎么變成MOSFET集成的二極管的參數(shù)了?)： * - 本貼最后修改時間：2006-12-28 19:31:06 修改者：音樂樂樂
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| 32樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/28 19:41:00 發(fā)布：
MOSFET在關(guān)斷時損耗哪來的呢？ MOSFET在導(dǎo)通時將漏感的能量斷路，這是損耗，但斷開時怎么損耗的呢？ |
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| 33樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/30 11:58:00 發(fā)布：
兩個dv/dt參數(shù)的不同 2003年之前的型號，dv/dt只有1個參數(shù)，就是場效應(yīng)管內(nèi)與場效應(yīng)管并聯(lián)的2極管，在正向?qū)ㄔ俜聪驎r，2極管壓降的電壓恢復(fù)速度。 2003年以后的新型號，除了仍有上述的參數(shù)外，還另有一個dv/dt參數(shù)，就是最大能耐受的dv/dt. 這是因為場效應(yīng)管有個“寄生3極管效應(yīng)”，如果dv/dt太大，就會使寄生3極管發(fā)生2次擊穿。 在反激電路中，漏極負載是1個電感。當(dāng)場效應(yīng)管關(guān)斷時，此電感電流達到最大值。關(guān)斷后，此電感的電流要向漏極電容充電。充電時dv/dt與電流成正比，與電容成反比。由于漏極電容值很小，所以電壓上升很快，容易造成寄生3極管發(fā)生2次擊穿。若要避免擊穿，有2法：1是減小電流，2是加大電容。后者就是RCD吸收電路。 |
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| 34樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/30 12:07:00 發(fā)布：
關(guān)斷損耗 導(dǎo)通狀態(tài)時，電壓為零； 關(guān)斷時狀態(tài)，電流為零； 因此上述兩種情況沒有功耗。 但從導(dǎo)通狀態(tài)向關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變時，是一個過程。在此過程中，電流逐漸下降，電壓逐漸上升。此時電壓電流不全為零。因此有很大的功耗。 |
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| 35樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/30 16:04:00 發(fā)布：
按照樓上分析，那MOSFET在導(dǎo)通時應(yīng)該也有損壞？ 導(dǎo)通前電流為0，導(dǎo)通過程電壓減小，電流增大，即電壓電流也不全為零？ |
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| 36樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/30 16:12:00 發(fā)布：
從波形上看，MOSFET得電壓上升幾乎為直線上升！ 那dv/dt得多大��！ |
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| 37樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/31 8:53:00 發(fā)布：
36樓，我在網(wǎng)上搜了不少RCD電路描述 基本上都是說是為了抑制尖鋒電壓，防止電壓過高損壞開關(guān)管，沒有提到是防止電流過快的�。� 還有一個問題，有的電路沒有用RCD電路，而是用的TVS和二極管，這種電路沒有電容，應(yīng)該起不到減緩電流過快的作用吧？那這樣的電路只能選擇03年后的MOSFET并且其dv/dt滿足條件的場合？ |
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| 38樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/31 8:59:00 發(fā)布：
導(dǎo)通時，損耗很小 因為反激式的負載是電感，管子稍微導(dǎo)通就引起電壓大幅下降 |
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| 39樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/31 9:15:00 發(fā)布：
以2SK3728為例 每微秒40kV,即每微秒4萬伏，每秒400億伏，每納秒(ns)40V. 40kV/us=40V/ns=400000000000000V/s * - 本貼最后修改時間：2006-12-31 9:17:02 修改者：droum
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| 40樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/31 9:42:00 發(fā)布：
兩個RCD電路的不同 下圖中，有兩個RCD電路。 1個是管子上方的R12、C9、D4,另一個是管子右邊的R11、C8、D5. 前者是你說的防止尖峰電壓的， 后者是我說的防止電壓上升過快的。
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| 41樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/31 9:48:00 發(fā)布：
如果沒有用RCD電路 有的電路沒有用RCD電路，而是用的TVS和二極管，這種電路沒有電容，應(yīng)該起不到減緩電流過快的作用吧？那這樣的電路只能選擇03年后的MOSFET并且其dv/dt滿足條件的場合？ ========================================================= 不是“電流過快”，應(yīng)為“電壓上升過快”。 這樣的電路最好選擇03年后的MOSFET并且其dv/dt滿足條件的場合。 但一般廠家（甚至研究所）不知道這一點，所以他們的產(chǎn)品返修率高達10%以上。 |
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| 42樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/31 15:32:00 發(fā)布：
真是啊，我在網(wǎng)上看到的RCD電路都是上方的那種 沒有見過下面的，看樣子這方面知道的人還真不多呢！ 但問題是即使知道了MOSFET的ds最大dv/dt，實際開關(guān)管關(guān)斷時的dv/dt又如何計算呢？這電容C8的充電也沒電阻啊，是不是等于電容C8串漏感的半個振蕩周期？ 如果不加下面這個RCD電路呢？用MOSFET的輸出電容來進行計算？ |
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| 43樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/31 16:36:00 發(fā)布：
并聯(lián)的電阻起什么作用？ |
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| 44樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2006/12/31 18:00:00 發(fā)布：
電阻是給電容放電用的. 如果沒有電阻，那么電容兩端的電壓沒辦法釋放，經(jīng)過幾個周期之后，它就沒辦法再吸收尖峰了，即相當(dāng)于一個峰值檢波器，保存了峰值. 加上電阻后，在開關(guān)管導(dǎo)通時,二極管截止，電容上的電就通過電阻釋放掉. |
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| 45樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/31 18:29:00 發(fā)布：
不是電阻而是變壓器電感對C8和C9充電 電阻的作用是放電 |
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| 46樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2006/12/31 18:43:00 發(fā)布：
如果不加下面這個RCD電路,用MOSFET的輸出電容來進行計算 |
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| 47樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2006/12/31 19:53:00 發(fā)布：
續(xù)
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| 48樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/1 14:34:00 發(fā)布：
計算的變壓器電感是總電感還是漏感？ 不是漏感，但我也不知道是否應(yīng)該把它做叫總電感。 反激式的原理，就是用一個管子把1個電感導(dǎo)通，然后突然關(guān)斷，迫使這個電感的電流轉(zhuǎn)為輸出電流。 至于如何計算，要看你要計算啥。 |
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| 49樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/1 18:16:00 發(fā)布：
就是要計算dv/dt啊 假如已知電感量L，MOSFET輸出電容Coss，電感斷開前的電流I，如何計算MOSFET斷開后的dv/dt？ |
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| 50樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2007/1/1 19:00:00 發(fā)布：
假設(shè)沒有負載繞組，即只有電感量為L的繞組 原來電流為I,開關(guān)斷開瞬間,電流保持不變,仍為I. 這時MOSFET以及電路的分布電容總和為C,那么電荷的改變?yōu)閐Q=I*dt,而電壓的改變dv=dQ/C=I*dt/C=I/C*dt. 所以有dv/dt=I/C. 例如,C為100PF,I為1A,那么就有dv/dt=1/(100e-12)=1/(1e-10)=1e10 (V/S) 如果開關(guān)頻率為100KHZ,那么半周期就是(假設(shè)占空比為50%)5us,所以電壓有1e10*5e-6=5e4=50000V. 以上計算是假設(shè)L很大,即認(rèn)為dI為0條件下計算的,如果再加上電流變小的影響, 即，可能變壓器中沒有存儲這么多能量，所以不一定能達到這么高的電壓. 所以加大C可以降低這個電壓.因而通常都人為的并聯(lián)一個電容上去.為了加快導(dǎo)通速度， 不是直接并聯(lián)，而是通過串聯(lián)一個二極管再并聯(lián)上去. * - 本貼最后修改時間：2007-1-1 19:17:13 修改者：computer00 |
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| 51樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/1 20:58:00 發(fā)布：
嗯，00算的比較有道理，這么說也是挺大的了 我的輸入平均電流是400MA，占空比50％的話就是1A，峰值電流應(yīng)該有2A，不過峰值電流應(yīng)該不是出現(xiàn)在關(guān)斷瞬間的吧？ IRF7465的輸出電容在25V時是80pF，1V時是400pF，按照80pF算差不多，有13V/nS呢，數(shù)據(jù)手冊給的是7.8V/nS，這么算是超了？ |
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| 52樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/1 21:45:00 發(fā)布：
電容和電阻值的計算是不是這樣的：（修改） 并聯(lián)100PF的功耗： 輸入電壓為36V，斷開電壓按照50V計算???????????????，280KHz開關(guān)頻率， Q=UC; 平均電流I=Q/2T; P=UI=U*Q/2T=U*U*C/2T=U^2*C*f/2=2500*100*(10e-12)*280*1000/2=0.035W； 按照00的100PF為10V/nS，外加一個330PF電容dv/dt=10/3.3=3V/nS，此時損耗為0.1155W， 而按照這種算法droum的圖功耗為0.5W(電壓按照300V計算),是這么算的嗎？他的圖為什么要用2W的電阻呢？ 看看電阻阻值： droum貼的那個圖RC=2.7*680*10e-9=1.84uS； 開關(guān)頻率為f=1.72/RC=1.72/(10*1000*2.2*10e-9)=78KHz;T=13uS; RC/T=0.142 按照這個來算一下：R=0.142*T/C=0.142*3.57*10e-6/330*10E-12＝1.45K 得出：C=330PF;R=1.5K@0.25W；耐壓呢？C取100V夠不？ 不知上述計算合理不？ * - 本貼最后修改時間：2007-1-3 1:02:54 修改者：音樂樂樂 |
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| 53樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2007/1/1 21:49:00 發(fā)布：
電流是慢慢減小的，所以在關(guān)斷時最大 不過暫時還沒想明白，這個dV/dt太大對管子有什么傷害？為啥要關(guān)心這個參數(shù)呢？ 我覺得看最大電壓就行了，不要讓管子擊穿了。 事實上，上面計算出的電壓是大大超出實際電壓的。 假設(shè)你的電感量為100UH，那么電流為2A時的儲能為 I*I*L/2 = 2*2*100e-6/2=2e-4焦。 由U*U*C/2 = 2e-4 ，所以電容上可能的最大電壓為：根號（(4e-4)/(100e-12)）=根號(4e6)=2000V。 當(dāng)然，如果電感量比這個小的話，電壓會更小。 由于還存在著負載回路以及其它因素，實際上的電壓比這個還小得多。 |
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| 54樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/1 21:57:00 發(fā)布：
00,看看50和51樓我貼的兩個圖就知道為什么要限制dv/dt了 變壓器電感沒那么大，只有6uH，電壓尖鋒大小上班測量一下，記憶中應(yīng)該再60V以下的。 有三個問題需要確認(rèn)： 1、00對dv/dt的計算方法是否正確； 2、上述計算R和C參數(shù)方法是否正確； 3、如果實際測量中尖鋒電壓不超過60V，而MOSFET的VDS最大為150V，需不需要加上面的那個RCD尖鋒吸收電路？（板子空間確實有限，加下面的那個RCD已經(jīng)夠嗆了） 這三個問題搞懂了我才可以放心的設(shè)計�。� * - 本貼最后修改時間：2007-1-1 21:59:35 修改者：音樂樂樂 |
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| 55樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2007/1/1 22:33:00 發(fā)布：
明白了，上升率太大，可能會導(dǎo)致管子導(dǎo)通，從而引起發(fā)熱 不過這么短的時間，應(yīng)該發(fā)熱量不大吧。 那個dv/dt的計算只是粗略的估算，由于有NT吸收回路，加上負載回路，還有功率也不是太大，我想漏感應(yīng)該不至于損壞FET吧。 但是通常都是加個保護電路以絕后患。 你用示波器看看它的上升率，應(yīng)該可以看出來吧，設(shè)置為上升沿觸發(fā)，然后把波形寬，看看上升率是多少。 到底省掉安不安全，我也不大清楚，只有用實踐來驗證了。 |
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| 56樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/2 10:38:00 發(fā)布：
上升時間幾個nS，一般示波器看不清吧 我已經(jīng)把MOSFET并聯(lián)的那個RCD給加上了，R取的0805封裝（0.125W）1.5K，C取的0805（330PF，100V,不不知道這個封裝有沒有150V的，上班時去問一下），D封裝為SMB，還沒找好型號。 上面的那個如果實測峰值小于60V而MOSFET耐壓150V的情況下不知道能否省略。 |
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| 57樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/2 19:10:00 發(fā)布：
計算dv/dt之法 用電感電流除以電容。當(dāng)沒有RCD電路時，電容就是漏極電容與分布電容（含變壓器的分布電容） 由于漏極電容是個隨漏極電壓大幅變動的變量，所以不大好算。 示波器要用100MHZ以上的。 |
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| 58樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/2 19:18:00 發(fā)布：
因為電流波形不是直流也不是正弦 所以電阻功耗計算比較復(fù)雜。 |
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| 59樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/3 0:49:00 發(fā)布：
dv/dt為電感除以電流，第一個問題解決了，00的計算是對的 ////////有三個問題需要確認(rèn)： ////////1、00對dv/dt的計算方法是否正確； ////////2、上述計算R和C參數(shù)方法是否正確； ////////3、如果實際測量中尖鋒電壓不超過60V，而MOSFET的VDS最大為150V，需不需要加上面的那個RCD尖鋒吸收電路？（板子空間確實有限，加下面的那個RCD已經(jīng)夠嗆了） 我覺得電阻的功耗計算應(yīng)該不難，一個周期電阻的功耗最多為電容的電量全部放光對吧？而電容的容量是知道的C=330PF，電容的電壓上限也是可以測量的（按照U=60V計算），周期也是知道的：T=4uS（250KHz）。 電阻功耗就相當(dāng)于在時間T里將電容電量Q=Vp*C放光的功耗： 由于能量J=U*U*C/2 所以功率P=J/T=U*U*C/2T=60*60*330*(10e-12)/2*4*(10e-6)=0.1485W 選擇電阻1206封裝0.25W,在90度時功率為：64％*0.25=0.16W。(原來的計算錯誤，用了0805電阻功率可能不夠，改成了1206了) 我覺得這么計算出的電阻功率應(yīng)該是最大的情況下的功率了，不知對不？ * - 本貼最后修改時間：2007-1-3 1:30:27 修改者：音樂樂樂 |
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| 60樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/3 9:33:00 發(fā)布：
又發(fā)現(xiàn)一個問題，MOSFET關(guān)斷前電流是最大的 所以以前按照1A電流計算dv/dt是錯誤的，應(yīng)該按照2A計算。100PF對應(yīng)20V/nS，330PF對應(yīng)6V/nS,器件最大值7.8V/nS，這個余量安全不？ * - 本貼最后修改時間：2007-1-3 9:37:49 修改者：音樂樂樂 |
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| 61樓： | >>參與討論 |
| 作者： zgqi_315 于 2007/1/3 11:10:00 發(fā)布：
反激電源輸出二極管發(fā)燙 我做了一個18～36V輸入，5V2A,15V0.3A,-15V0.3A,24V0.1A的DCDC多路輸出電源，（主路5V,其他路都是三端實現(xiàn)），本來主路電流并不大，但整流二極管非常燙，大概有80度吧，用示波器觀測二極管上的波形，發(fā)現(xiàn)二極管從導(dǎo)通到關(guān)斷波形振蕩比較厲害，應(yīng)該是變壓器漏感造成的。請問一下MAYCHANG大師，這是不是導(dǎo)致二極管發(fā)燙的主要原因，應(yīng)該怎么解決。我的變壓器已經(jīng)是原邊包次邊繞制的。多謝！ |
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| 62樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/3 11:21:00 發(fā)布：
音樂樂樂估算電阻的方法是對的 至于7.8v/ns是否安全，我就不知道了。 這方面我沒經(jīng)驗。 不知音樂樂樂把42樓的680P改為330P的理由是什么？ |
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| 63樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2007/1/3 14:10:00 發(fā)布：
電流當(dāng)然是關(guān)斷時刻最大了 關(guān)斷時刻，如果FET的電流為2A,那么關(guān)斷后，電流仍保持不變,為2A. 開關(guān)管接通,電流不斷增大; 開關(guān)管關(guān)斷,電流不斷減小. 我用1A來計算，只是假設(shè)關(guān)斷時電流為1A,實際電流是多少，得看你的電路了。 |
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| 64樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/3 14:44:00 發(fā)布：
66樓恐怕用的是低頻2極管吧？ |
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| 65樓： | >>參與討論 |
| 作者： zgqi_315 于 2007/1/3 15:29:00 發(fā)布：
回69樓 我用的是YM3045，肖特級二極管，反向恢復(fù)時間是很快的。而且觀測到的波形峰值并沒有超過二極管的最大耐壓。 |
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| 66樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/3 15:41:00 發(fā)布：
改成330PF是為了降低功耗啊，前提是保證dv/dt的安全 經(jīng)過計算330PF對應(yīng)的dv/dt為6V/nS，器件的最大值為7.8V/nS，如果這個余量不安全的話就需加大電容值了，但肯定用不了680PF吧？ （說明一下，330PF計算的6V/nS省略了MOSFET的內(nèi)部輸出電容，Coss在Vds為0時為420pF，Vds為25V時為80pF，所以實際dv/dt值應(yīng)該比6V/nS小。由于dv/dt最大值出現(xiàn)在剛關(guān)斷時即Vds=0V時候，此時Coss=420pF，所以按照MOSFET的Coss＝100PF計算應(yīng)該比較安全，dv/dt=6×330/430＝4.6V/nS，而器件允許7.8V/nS，我覺得這么看的話330PF應(yīng)該是足夠了）。 00,我的平均輸入電流是500MA，峰值電流只能按照2A計算吧 * - 本貼最后修改時間：2007-1-3 15:47:07 修改者：音樂樂樂 |
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| 67樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/3 15:44:00 發(fā)布：
70樓，那是電副變電感和二極管電容形成振蕩 用一個RC并聯(lián)在二極管上可以，你在網(wǎng)上搜一下，有篇文章介紹的。 同樣也是看到的電源圖很少有這么處理的，包括droum貼的那個典型圖，所以我也不知道我的電路中需不需要使用這個RC網(wǎng)絡(luò)。 |
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| 68樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 12:50:00 發(fā)布：
遇到新問題！整流二極管的反向電壓很高�。� 輸出電壓30V，3mA時： 二極管反向電壓：峰值居然高達150V! * - 本貼最后修改時間：2007-1-4 12:51:42 修改者：音樂樂樂
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| 69樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 12:52:00 發(fā)布：
輸出30V，電流100mA，整流管反向電壓
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| 70樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 12:53:00 發(fā)布：
輸出30V,3mA，MOSFET的VDS波形：
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| 71樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 12:53:00 發(fā)布：
30V,100mA,MOSFET的VDS波形：
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| 72樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 12:54:00 發(fā)布：
MOSFET的VD好像挺好，基本沒有尖鋒電壓(5V吧) 但是二極管反向電壓為什么有那么大一個尖鋒呢？ * - 本貼最后修改時間：2007-1-4 15:00:22 修改者：音樂樂樂 |
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| 73樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/4 16:15:00 發(fā)布：
哪個尖峰？ |
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| 74樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 17:08:00 發(fā)布：
就是第一二兩個波形，是二極管的反向電壓波形 第一個是輕載，第二個3W負載。 但兩個波形的尖鋒電壓基本是相等的。 這兩個波形都有一個很大的負尖鋒（-110V對地，對輸出是-140V）！而且第二個波形尖鋒之后的負電壓有-100V，為何那么低呢？ （示波器打開了表筆的×10檔，可能電壓有點偏差，正電壓峰值顯示近38V，實際是30V，即使按照這個計算的話，負尖鋒和負尖鋒之后的那段電壓也分別為-110V,-79V(相對于輸出正極而言)）。 * - 本貼最后修改時間：2007-1-4 17:16:52 修改者：音樂樂樂 |
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| 75樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/4 23:13:00 發(fā)布：
那個毛刺如何削弱？ * - 本貼最后修改時間：2007-1-5 10:41:09 修改者：音樂樂樂 |
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| 76樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/5 11:23:00 發(fā)布：
是這個負尖峰嗎？
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| 77樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/5 12:48:00 發(fā)布：
是啊，最下面有一個尖鋒 |
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| 78樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/5 21:01:00 發(fā)布：
副邊負尖峰好像不是嚴(yán)重問題 也沒看見別人去設(shè)法消除它 你如果想消除，可用RCD電路 |
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| 79樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/6 10:15:00 發(fā)布：
那這個就先不管了把 但是我把示波器表筆短路后放在電源負極發(fā)現(xiàn)有最高峰值1V的波形，所以我測量電源紋波時也是這樣的，現(xiàn)在沒法正常測量紋波了，不知道怎么回事啊 |
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| 80樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/7 11:44:00 發(fā)布：
可能是干擾 |
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| 81樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/7 11:50:00 發(fā)布：
回69樓 如果2A是存直流，側(cè)2極管功耗約1瓦。 但此2極管電流占空比極小，所以其有效值可能達到3瓦以上，要加散熱片。 |
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| 82樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/7 12:01:00 發(fā)布：
83樓的情況估計是變壓器漏磁發(fā)出的磁場干擾。 消除的方法可以是： 1。對變壓器進行磁屏蔽，例如扣在搪瓷盆下 2。把示波器表筆的連線盡量互相纏繞或貼近，盡量減少回路面積，并減小回路面的法線與變壓器方向的夾角。 |
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| 83樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/8 12:36:00 發(fā)布：
80樓的負尖峰是漏感，分布電容，和2極管存儲電荷共同造成的。 減少漏電感與2極管存儲電荷，可減小負尖峰的寬度，但對減小幅度作用不大。 改變分布電容，理論分析較為復(fù)雜，還是實驗比較便捷。 采用瞬變抑制2極管或穩(wěn)壓管，效果很好而且簡便。只是價格可能較高。 改選耐壓更高的整流管也許更經(jīng)濟更簡便。 |
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| 84樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/8 22:39:00 發(fā)布：
也有人說那個干擾是因為初次級阻抗太大造成的 要在次級和初級之間加一個2200PF的電容就可以了，這是什么道理？我明天去試試 |
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| 85樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/9 12:37:00 發(fā)布：
那人說錯了 那個干擾是變壓器發(fā)出的漏磁造成的。在維持表筆短路的狀態(tài)下，你把表筆的那兩根連線分開與并攏一下，就可看出干擾明顯變化了。 此干擾與Y電容無關(guān)。 你加1個電容時，最好串1個按鈕開關(guān)，看看這個開關(guān)開與關(guān)時的干擾區(qū)別，就明白了。 |
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| 86樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/9 18:51:00 發(fā)布：
可能我沒說清楚 樓上說的Y電容是進線那個地方的濾波電容吧？而且是交流輸入的？我這個輸入是直流輸入。 那人說的是將次級的負極和初級的負極通過一個電容連接，我試驗了一下，效果非常顯著，不過還是不懂其中的原理，尤其是這樣對隔離效果會不會有影響（原理是完全隔離的，現(xiàn)在之間有一個電容了，隔離效果不好）？ |
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| 87樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/9 19:19:00 發(fā)布：
在初次級地間跨接的電容，達到了Y電容的這部份功能 剛才有事走開了半小時，給樓主搶在前面了 83樓是存在等效電容Cx，初級的高壓脈沖泄漏到次級了 * - 本貼最后修改時間：2007-1-9 19:54:17 修改者：davidli88 |
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| 88樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/9 19:34:00 發(fā)布：
大家關(guān)于dv/dt的討論很好 剛才看了前幾頁的貼子，大家在近期討論了MOSFET的動態(tài)dv/dt及本征二極管的應(yīng)力dv/dt，MOSFET還有一個應(yīng)力參數(shù)：靜態(tài)dv/dt，在柵極阻抗較大時，靜態(tài)dv/dt的影響比動態(tài)dv/dt大得多。這些內(nèi)容我在1996年來深圳時就在市圖書館看到（好像是東大出版的），復(fù)印了至今仍然保存，已經(jīng)很舊了，過幾天掃描下來供大家參考。 |
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| 89樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/9 20:43:00 發(fā)布：
91,92樓,我覺得有兩個問題 1、即使干擾是有初級到次級，那么干擾不一定是通過cx傳送得吧？既然初級和次級是變壓器形式，那么初級得干擾完全可以通過磁場傳給次級？ 2、這是最重要得一點，測量中發(fā)現(xiàn)，開關(guān)管導(dǎo)通時得干擾要開關(guān)管斷開時得干擾大得多！這個如何解釋？是因為開關(guān)管導(dǎo)通時把漏感能量短路所以干擾更大？ 等待樓上靜態(tài)dv/dt的論述， 但是對于那個動態(tài)dv/dt得解決方法（就是并聯(lián)在MOSFET得DS間得RCD電路）也有一個沒搞明白問題： 這個RCD電路放電是通過電阻放掉得，而計算RC參數(shù)一般按照1/10得開關(guān)周期計算，如果按照50％得占空比，在開關(guān)管斷開時電容得電已經(jīng)放得差不多了，問題不大，但是，如果占空比只有5％呢？這時電容得放電時間極短（就是MOSFET得導(dǎo)通時間很短），在MOSFET斷開時電容上得電壓可能很高（設(shè)為Vs），不知道這在這種情況下這個緩沖電路還有沒有效果？ |
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| 90樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/9 20:57:00 發(fā)布：
暈，看錯了，那位老兄說的不是初次級的負之間 而是初次級之間，我試驗的時是把輸出的負極和輸入的負極（輸入負極和原線圈可沒有直接連接哦）用電容連接，發(fā)現(xiàn)效果不錯，直接連接初次級還沒試，明天去看看。 這是電源網(wǎng)上老兄指點的： ——這種現(xiàn)象產(chǎn)生的根源是由于兩個系統(tǒng)沒能真正的共地（或者說共地點的阻抗過大）而形成的共模干擾竄入所至。真正解決起來交麻煩的，需要將測試設(shè)備（即；示波器）的供電系統(tǒng)獨立出來，或示波器的交流供電輸入加入濾波裝置，其效果還不一定就很好。最簡單的方法是；將你要測的開關(guān)電源初次極之間加一個2200PF/2000V電容，這時你再看看將示波器探針與地接觸就會大大減小或消除該現(xiàn)象了。 ——不是次級繞組的兩端。而是變壓器初級與次極之間加一個高頻瓷介電容。對于多繞組來講，可分別在每個次極繞組對初級之間都加上一個電容，對于電容接在次極上的那一個端點，則要示次極是那一端為等效交流共地來確定，耐壓可以選的低一些。這種現(xiàn)象只能說明你的電源工作狀態(tài)不佳，所以才會出現(xiàn)較大干擾。同時你也會發(fā)現(xiàn)功率管發(fā)熱量大及電源效率低。 |
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| 91樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/9 20:57:00 發(fā)布：
對上述的： ————對于電容接在次極上的那一個端點，則要示次極是那一端為等效交流共地來確定 應(yīng)如何理解？ |
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| 92樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/10 14:50:00 發(fā)布：
右邊rcd電路 計算RC參數(shù)一般按照1/5導(dǎo)通時間計算 |
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| 93樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/10 14:54:00 發(fā)布：
如果此干擾是原次級分布電容引起的 那么，跨接1個比分布電容大得多的電容，豈不是加大了干擾？ |
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| 94樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/10 16:08:00 發(fā)布：
回98樓 輸入、輸出地間跨接的電容（可看作Y電容）一般有幾千PF，比分布電容大一、兩個數(shù)量級，其對高頻共模干擾信號的容抗很低，為共模信號提供了一個回路，故降低了負載側(cè)的共模干擾 |
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| 95樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/10 16:18:00 發(fā)布：
91樓圖中 Y電容C4是直接跨接在輸入輸出側(cè)的地間。它除了降低輸入側(cè)的共模干擾，還為Cx泄漏到輸出側(cè)的共模干擾提供低阻抗的回路，降你輸出側(cè)的共模傳導(dǎo)干擾。 |
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| 96樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/10 21:16:00 發(fā)布：
100樓老兄，這么說我的DC/DC輸入電路需不需要加一個共模電感？ |
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| 97樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/11 7:08:00 發(fā)布：
droum——計算RC參數(shù)一般按照1/5導(dǎo)通時間計算 這是不可能的！在輕載時占空比可能只有1％，如果仍然按照1/5導(dǎo)通時間計算的話這個電阻將會非常小，所以不少例子是按照1/10的開關(guān)周期計算的，包括老兄提供的那個典型圖，此時在1％占空比時RC常數(shù)為導(dǎo)通時間的10倍！也就是說導(dǎo)通時這個電容上的電基本沒有怎么放掉！ |
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| 98樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/11 10:08:00 發(fā)布：
102樓：你主貼電路的輸出，跟占空比關(guān)系不大吧 由于主貼電路沒有加儲能電感和繼流二極管，理論上輸出電壓 U。= [（Ui-Vrs）*Np/Ns]-Vd，跟占空比沒關(guān)系 式中，Vrs是源級對地電阻的壓降，Vd是輸出整流管的壓降 |
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| 99樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/11 13:28:00 發(fā)布：
看來這MAX5019還真的難用右邊的rcd電路 因為它是通過調(diào)占空比來調(diào)壓的，所以空載時場效應(yīng)管導(dǎo)通時間太短，電容可能來不及放完電。 * - 本貼最后修改時間：2007-1-11 13:45:07 修改者：droum |
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| 100樓： | >>參與討論 |
| 作者： droum 于 2007/1/11 13:52:00 發(fā)布：
為什么選用MAX5019? 因為便宜么？ |
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| 101樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/11 14:53:00 發(fā)布：
103樓，占空比跟負載有直接關(guān)系 負載大時占空比大，小時占空比小，試驗結(jié)果也是這樣的。 105樓：好像電流控制性的開關(guān)電源芯片都是調(diào)占空比的吧？選這是是因為樣品方便拿，沒其他原因，嘿嘿！ 另外那個輸入的共模扼流圈對DC輸入有沒有效果？該不該加？應(yīng)選擇多大的電感呢？ |
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| 102樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/11 14:54:00 發(fā)布：
用MAXIM的都是大款 |
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| 103樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/11 15:07:00 發(fā)布：
你這種用法輕載時效率會下降 中載至滿載占空比基本不變，輕載時占空比下降，同時靠變壓器內(nèi)阻來消耗部份電能，穩(wěn)定輸出電壓。 |
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| 104樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/11 18:42:00 發(fā)布：
哈，MAX5019可能也是10多元？ 其實我得應(yīng)用負載在30％－80％之間，大部分情況是30％負載，沒有輕載的情況。 但是占空比還和輸入電壓有關(guān)，電壓高時占空比減小。 ——輕載時占空比下降，同時靠變壓器內(nèi)阻來消耗部份電能，穩(wěn)定輸出電壓。 不太理解，芯片資料上沒有提起。 輸入的共模扼流圈對DC輸入有沒有效果？該不該加？應(yīng)選擇多大的電感呢？ |
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| 105樓： | >>參與討論 |
| 作者： davidli88 于 2007/1/11 18:56:00 發(fā)布：
共模線圈是抑制傳導(dǎo)干擾的 其模線圈加多大，得看EMI情況。十幾元的IC都用上了，還吝惜共模線圈嗎？ |
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| 106樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/11 19:33:00 發(fā)布：
嗯，我決定加了，猶豫是因為空間的原因啊 我得板子太小了，想節(jié)約空間。 哪兒生產(chǎn)的質(zhì)量比較好呢？最好是貼片封裝的，謝謝��！ |
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| 107樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/13 22:42:00 發(fā)布：
我要加輸入濾波 我打算這樣：串連電感——并聯(lián)104電容——串共模電感——并聯(lián)電容 這個電感和共模電感是不是感值越大越好？注意是直流輸入！ |
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| 108樓： | >>參與討論 |
| 作者： 吳壽權(quán) 于 2007/1/15 發(fā)布：
我這有一臺康佳彩電機心是LA76810問題是看得一段時間自動變黑 你們能幫我解決這個問題嗎謝謝 貴州省黎平縣洪州鎮(zhèn) |
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| 109樓： | >>參與討論 |
| 作者： 音樂樂樂 于 2007/1/16 12:31:00 發(fā)布：
呵呵，比較及時啊，問題解決了，多謝版主給置頂! |
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