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三極管什么時候工作在飽和區(qū)?

作者:wushuangli 欄目:模擬技術(shù)
三極管什么時候工作在飽和區(qū)?
以前我以為Ib大的時候就在飽和區(qū)。
現(xiàn)在看了書,看來應(yīng)該是兩個PN結(jié)都正偏的時候才是
那么這樣說來
用三極管做開關(guān)的話
只能在放大區(qū)對嗎?
這樣壓降會比較大,效率比較低
我的理解對嗎

2樓: >>參與討論
NE5532
不正確。
在Ib〉Ic(max)/hFE的時候才是,就是說,三極管的電流放大倍數(shù)已經(jīng)不能得到滿足了。

另外一個應(yīng)該注意的問題就是:在Ic增大的時候,hFE會減小,所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib〉〉Ic(max)/hFE

當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價的。

在三極管飽和的時候,一般來說,bc結(jié)不會正偏。因?yàn)閏極連接著Vcc(對NPN管),他代表著系統(tǒng)最高點(diǎn)壓。Vb是不會高于他的。

當(dāng)bc結(jié)正偏時,三極管的工作條件被破壞,這樣會淪落為兩個簡單的二極管,由Vb用過bc結(jié)向負(fù)載供電。并可能導(dǎo)致該管的燒毀。

三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時,一定是在飽和和截至區(qū)之間轉(zhuǎn)換,不會在放大區(qū)。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-3 16:34:24 修改者:NE5532

3樓: >>參與討論
赤鑄
飽和時Vb>Vc,但Vb>Vc不一定飽和
一般判斷飽和的直接依據(jù)還是防大倍數(shù),有的管子Vb>Vc時還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)
例如:有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和
Ic/Ib<1應(yīng)該屬于深飽和了

----------------------
糾正:飽和 = "Vb>Vc",即使Vb>Vc時hFE還不小,也算飽和

* - 本貼最后修改時間:2005-1-11 0:55:58 修改者:赤鑄

4樓: >>參與討論
NE5532
但是赤鑄兄:bc結(jié)正偏,好像不能建立內(nèi)電場啊。
我記得三極管工作條件是bc反偏,be正偏啊。

5樓: >>參與討論
computer00
正因?yàn)檫@樣才飽和啊
 
6樓: >>參與討論
tuwen
談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻
以上幾位都完全沒有提到負(fù)載電阻,是不正確的。
假定晶體管集-射極電路的負(fù)載電阻(包括集電極與射極電路中的總電阻)為R,則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R,隨著Ib的增大,Vce減小,當(dāng)Vce<0.6V時,B-C結(jié)即進(jìn)入正偏,Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大,就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。
當(dāng)然Ib如果繼續(xù)增大,會使Vce再減小一些,例如降至0.3V甚至更低,就是深度飽和了。
以上是對NPN型硅管而言。
NE5532給出的關(guān)系式 Ib>Ic(max)/hFE ,沒有說明Ic(max)指的是什么,如果指的是該晶體管參數(shù)表中規(guī)定的集電極最大允許電流,那是完全錯誤的。


再補(bǔ)充一句:在近似估算時,可以認(rèn)為C-E飽和壓降等于0,那么判斷飽和的近似條件就是  Ib*hHE>Vcc/R 。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-3 20:16:44 修改者:tuwen

7樓: >>參與討論
computer00
為什么要說負(fù)載電阻?不要誤導(dǎo)人哦
    NE5532的意思是 Ib*hFE>Ic。
    既然已經(jīng)用集電極電流來算了,還要什么負(fù)載電阻? 

8樓: >>參與討論
xiaoqiu
to:tuwen 三極管處于深度飽和時,Vbc會低于0.5V。
tuwen:當(dāng)Vce<0.6V時,B-C結(jié)即進(jìn)入正偏,Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大,就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。
  我個人認(rèn)為Vbc應(yīng)該處于臨界正偏,更合理。

9樓: >>參與討論
NE5532
Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限
偷了個懶,不好意思。

10樓: >>參與討論
lai832
正確的說法是:
(理論。
飽和:
發(fā)射結(jié)正偏,
集電結(jié)正偏,
同時:
IB>>IC/B(B是放大倍數(shù))"<<"是遠(yuǎn)大于
就算集電結(jié)開路也算是飽和的一種特殊形式。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-5 1:10:30 修改者:lai832

11樓: >>參與討論
赤鑄
用數(shù)據(jù)說明吧
對于常見小功率非達(dá)林頓管:
VCE(sat)=0.1V 不稀奇吧?此時一般定義為 Ic/Ib=10
某些管子,當(dāng) Vce 增加到 0.5V 時,hFE>50,這能算是正常放大吧?
而此時 Vbe>0.55V 大概沒問題吧,如果電流大一些,就是 Vbe>0.6V
顯然,此時 Vbe>Vce => Vb>Vc, Vbc>0

所以Vb>Vc作為飽和的依據(jù)不夠準(zhǔn)確(偏嚴(yán)),雖然也“差不多”了
Vbc 略大于0,仍然可以放大,再大了,bc結(jié)導(dǎo)通了,當(dāng)然就沒戲了

當(dāng)然,在做設(shè)計時,為保證可靠工作,一般都以 Vc>Vb 作為“不飽和”條件

-----------------------
糾正:同上,放大倍數(shù)能判斷飽和程度,但不能判斷飽和。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-11 0:58:39 修改者:赤鑄

12樓: >>參與討論
sharks
導(dǎo)通到不能再導(dǎo)通,就是飽和
 
13樓: >>參與討論
wuhanhebin
只要滿足...
只要滿足... p-n-p Vce<0.4V   n-p-n Vce<0.7V 可滿足要求!不復(fù)雜...

14樓: >>參與討論
楊真人
是兩個PN結(jié)都正偏
“是兩個PN結(jié)都正偏”這叫“過飽和”。

15樓: >>參與討論
楊真人
飽和

0≤IC/IB≤1 這個區(qū)域叫“飽和區(qū)”。
如果IC/IB接近且大于1,叫“臨界飽和”,但由于范圍很窄不好定義為一個區(qū),因尚有微弱放大效果,歸入“放大區(qū)”。

1<IC/IB 這個區(qū)域叫“放大區(qū)”。

如果IC/IB接近且大于0,叫“臨界截止”,但由于范圍很窄不好定義為一個區(qū),因尚有微弱放大效果,歸入“放大區(qū)”。
IC/IB≤0 這個區(qū)域叫“截止區(qū)”。

……腦里建立一個圖象了嗎?

16樓: >>參與討論
炎黃子孫
哪位勇敢者幫忙來總結(jié)一下上面得,我看花眼了。^_^
 
17樓: >>參與討論
木耳鳥
三極管做開關(guān)時怎么可能工作在放大區(qū)?
三極管做開關(guān)時怎么可能工作在放大區(qū)?
三極管深度飽和的時候,管壓降約等于零,不會太大.

18樓: >>參與討論
renmingcan
理解不是很對。!
 
19樓: >>參與討論
wuhanhebin
請問三極管不處于正偏,能工作嗎?
請問三極管不處于正偏,能工作嗎?只要滿足... p-n-p Vce<0.4V   n-p-n Vce<0.7V 可滿足要求!不復(fù)雜...,不要誤人子弟了!

20樓: >>參與討論
winkle
是啊,哪位能出來總結(jié)下?
雖然很基礎(chǔ),但感覺看書始終對這個理解不透!

21樓: >>參與討論
赤鑄
樓上的不要太激動
前面有人提到的正偏指的是bc結(jié)或be結(jié)?赡懿⒎悄阏f的正偏。
另外不知道你的“p-n-p Vce<0.4V   n-p-n Vce<0.7V”哪里來的數(shù)據(jù)

概念上,
放大區(qū):Vbc<0
飽和區(qū):Vbc>0(bc結(jié)正偏)
Vbc=0為臨界飽和區(qū)

實(shí)用意義上,Vbc>0時Vce往往仍嫌大。所以中小功率管常用Ic/Ib=10定義飽和,此時的Vce一般已接近深飽和Vce,再增大Ib變化也很小了

(以上均指NPN)

22樓: >>參與討論
yzqok
二者只能選一.
 
23樓: >>參與討論
tangqin
書生氣
我用三極管只考慮:
1)耐壓夠不夠
2)負(fù)載電流夠不夠大
3)速度夠不夠快(有時卻是要慢速)
4)B極控制電流夠不夠
5)有時可能考慮功率問題
6)有時要考慮漏電流問題(能否“完全”截止)。
7)一般都不怎么考慮增益(我的應(yīng)用還沒有對此參數(shù)要求很高)

考慮到PN結(jié)這一步的不是大家就是書生。

24樓: >>參與討論
cf100
暈,我發(fā)了長長的一個帖卻沒有影子?
不多說明了,說一下我的觀點(diǎn):
   從特性曲線上可以看出飽和區(qū)和放大區(qū)有個明顯的分界,該分界線是Vbe=Vce。到該線就是臨界飽和點(diǎn)。當(dāng)Vce<Vbe時就是飽和區(qū)。
   我們首先要從理論上來明確什么是飽和,因?yàn)檫@是三極管的一種工作狀態(tài)。而且在電路設(shè)計中作為一種理論得到應(yīng)用。而不是我認(rèn)為這樣,我認(rèn)為那樣,實(shí)際上怎樣。理論上沒有一種說法是IC/IB=10為計算飽和點(diǎn)的基礎(chǔ)。而且在線測量中測電流沒有測電壓方便。如果IC/IB=300,那IC/IB=10也飽和太過了;如果IC/IB=12(電子鎮(zhèn)流器用管都這樣),那IC/IB=10又太不保險了。如果說我的電路IC/IB=10算飽和剛好,那也要讓別人能接受才行。


25樓: >>參與討論
楊真人
有意思。引用一下。
……如果IC/IB=300,那IC/IB=10也飽和太過了;如果IC/IB=12(電子鎮(zhèn)流器用管都這樣),那IC/IB=10又太不保險了。如果說我的電路IC/IB=10算飽和剛好,那也要讓別人能接受才行。



26樓: >>參與討論
楊真人
三極管應(yīng)該工作在正偏置
三極管應(yīng)該工作在正偏置。但是當(dāng)兩個PN結(jié)都處于正偏,情況就比較特殊,不能就這個表面現(xiàn)象簡單判斷出一個原因。

27樓: >>參與討論
t14495716
學(xué)習(xí)中
 
28樓: >>參與討論
wushuangli
這是表象
不是本質(zhì)
是結(jié)果不是原因

29樓: >>參與討論
wushuangli
我的理解
諸位所列數(shù)據(jù)都是結(jié)果不是原因,是表象而不是本質(zhì)
飽和需要的條件是兩個PN都要正偏
不過我的理解也有錯誤
飽和下作開關(guān)是合適的,這是由于三極管的兩個PN其實(shí)不是完全一樣的
be節(jié)正偏產(chǎn)生的電流更大,中間的區(qū)比較窄,cb節(jié)的電流比較小
總的效果是Vce很小,最為開關(guān)的效率仍然很高

30樓: >>參與討論
李冬發(fā)
我來說說吧,從以上看來大多數(shù)人對3極管的工作原理是不了解的
我來說說吧,從以上看來大多數(shù)人對3極管的工作原理是不了解的


  首先要說的是,樓主認(rèn)為的3極管工作在飽和狀態(tài)時兩個PN結(jié)都正偏是錯的!這個錯誤很嚴(yán)重!

  3極管之所以具有放大功能,就是因?yàn)槠涮厥獾牟牧辖M合結(jié)構(gòu)。不管是PNP管還是NPN管,原理是一樣。為能方便說明清楚,這里用NPN型硅管來說明。在書上學(xué)說3極管可以看成是2個背靠背的2極管。在坐的都發(fā)現(xiàn)了其中的嚴(yán)重問題,我們真的把2個2極管背靠背接起來時,并沒有3極管的放大功能。也就是說,3極管與背靠背接起來的2個2極管不一樣!

  好了,現(xiàn)在來說說3極管的放大原理。這里只能很簡要地說說,不可能真正說得清楚。NPN型硅管,2邊是N型半導(dǎo)體硅,中間夾著一個很薄的P型半導(dǎo)體硅,3個區(qū)的參雜的濃度還不一樣。這里形成了2個PN結(jié),1個叫發(fā)射結(jié),1個叫集電結(jié)。這樣,在共發(fā)射極的電路中,當(dāng)Ib為一正值時,原來2個PN結(jié)被破壞,集電結(jié)變得能反向?qū)!而且流?jīng)這個PN結(jié)的電流還與Ib這電流成一比值關(guān)系。當(dāng)3極管飽和后,Vbe約為0.7V,Vce約為0.3V。要注意的是,此時,集射結(jié)還是反向?qū),而不是正向(qū)。真?shí)情況是,這個PN結(jié)已經(jīng)不存在了,不是PN結(jié)了!

  當(dāng)Ib一直增大時,Ic也會一直增大。當(dāng)然,Ic的增大有個限度,當(dāng)Ib大到一定的時候,再增大Ib,Ic不會再增大了。也就是說飽和了,Ic與Ib不在是線性的了。

  就說到這里。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-10 18:21:11 修改者:李冬發(fā)

31樓: >>參與討論
SSQWQ
三極管放大區(qū)與飽和區(qū)
  首先要說的是,樓主認(rèn)為的3極管工作在飽和狀態(tài)時兩個PN結(jié)都正偏是錯的!有一個是反偏的.!

  三極管之所以具有放大功能,就是因?yàn)槠涮厥獾牟牧辖M合結(jié)構(gòu)。不管是PNP管還是NPN管,原理是一樣。為能方便說明清楚,這里用NPN型硅管來說明。在書上學(xué)說3極管可以看成是2個背靠背的2極管。在坐的都發(fā)現(xiàn)了其中的嚴(yán)重問題,我們真的把2個二極管背靠背接起來時,并沒有三極管的放大功能。也就是說,三極管與背靠背接起來的2個二極管不一樣!

  好了,現(xiàn)在來說說3極管的放大原理。這里只能很簡要地說說,不可能真正說得清楚。NPN型硅管,2邊是N型半導(dǎo)體硅,中間夾著一個很薄的P型半導(dǎo)體硅,三個區(qū)的參雜的濃度還不一樣。這里形成了2個PN結(jié),1個叫發(fā)射結(jié),1個叫集電結(jié)。這樣,在共發(fā)射極的電路中,當(dāng)Ib為一正值時,原來2個PN結(jié)被破壞,集電結(jié)變得能反向?qū)ǎ《伊鹘?jīng)這個PN結(jié)的電流還與Ib這電流成一比值關(guān)系。當(dāng)3極管飽和后,Vbe約為0.6-0.7V,Vce約為0.2-0.3V。要注意的是,此時,集射結(jié)還是反向?qū),而不是正向(qū)。真?shí)情況是,這個PN結(jié)已經(jīng)不存在了,不是PN結(jié)了!

  當(dāng)Ib一直增大時,Ic也會一直增大。當(dāng)然,Ic的增大有個限度,當(dāng)Ib大到一定的時候,再增大Ib,Ic不會再增大了。也就是說飽和了,Ic與Ib不在是線性的了。

32樓: >>參與討論
cf100
看樣子什么樣的人都有!
    我想大多數(shù)人還是有這方面的理論基礎(chǔ)的。在電子線路論述三極管輸出特性曲線的時候,講到三極管在飽和區(qū)的現(xiàn)象就是二個PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制。今天還是第一次聽說飽和時二個PN結(jié)正偏為錯誤,深感震驚。聽說飽和時集電結(jié)仍是反偏以及這個PN結(jié)不存在了,覺得周星星也沒那無厘頭的事敢做!
    書上是說三極管BE間和BC間表現(xiàn)為PN結(jié)特性,在測量上可等效為二個PN結(jié)反串。以前無件緊張時,也有三極管代二極管用的。但二個二極管接成一個三極管來用,書上從沒推薦使用。
    而且很多書上也有習(xí)題,題目大意是這樣的:三極管由二個PN結(jié)構(gòu)成,能否用二個二極管接成一個三極管?
答案是:否!
原因:從三極管制造工藝上和電流放大原理看,基區(qū)很薄,利于基區(qū)少數(shù)載流子通過基區(qū)而不被中和,而用二極管接成的,基區(qū)范圍很大,基區(qū)的少數(shù)載流子在基區(qū)有足夠的時間和空間被中和。
    而李冬發(fā)所說:在共發(fā)射極的電路中,當(dāng)Ib為一正值時,原來2個PN結(jié)被破壞,集電結(jié)變得能反向?qū)ǎ?br>    這是現(xiàn)象,不是本質(zhì)。集電極反向并不能導(dǎo)通,而是由于BE結(jié)正偏導(dǎo)通,大量載流子被發(fā)射到基區(qū),成為基區(qū)的少數(shù)載流子;(此為PN結(jié)的載流子的擴(kuò)散運(yùn)動)而BC結(jié)由于反偏,而基區(qū)又有大量的少數(shù)載流子,在電場力的作用下,基區(qū)的少數(shù)載流子就越過BC結(jié)而進(jìn)入集電區(qū)。(此為載流子的漂移運(yùn)動)
    電子線路的書上論述得還要詳細(xì),如果說書上不對,那還有什么意思在說下去。

以下轉(zhuǎn)帖李冬發(fā)的帖子:
我來說說吧,從以上看來大多數(shù)人對3極管的工作原理是不了解的


  首先要說的是,樓主認(rèn)為的3極管工作在飽和狀態(tài)時兩個PN結(jié)都正偏是錯的!這個錯誤很嚴(yán)重!

  3極管之所以具有放大功能,就是因?yàn)槠涮厥獾牟牧辖M合結(jié)構(gòu)。不管是PNP管還是NPN管,原理是一樣。為能方便說明清楚,這里用NPN型硅管來說明。在書上學(xué)說3極管可以看成是2個背靠背的2極管。在坐的都發(fā)現(xiàn)了其中的嚴(yán)重問題,我們真的把2個2極管背靠背接起來時,并沒有3極管的放大功能。也就是說,3極管與背靠背接起來的2個2極管不一樣!

  好了,現(xiàn)在來說說3極管的放大原理。這里只能很簡要地說說,不可能真正說得清楚。NPN型硅管,2邊是N型半導(dǎo)體硅,中間夾著一個很薄的P型半導(dǎo)體硅,3個區(qū)的參雜的濃度還不一樣。這里形成了2個PN結(jié),1個叫發(fā)射結(jié),1個叫集電結(jié)。這樣,在共發(fā)射極的電路中,當(dāng)Ib為一正值時,原來2個PN結(jié)被破壞,集電結(jié)變得能反向?qū)ǎ《伊鹘?jīng)這個PN結(jié)的電流還與Ib這電流成一比值關(guān)系。當(dāng)3極管飽和后,Vbe約為0.7V,Vce約為0.3V。要注意的是,此時,集射結(jié)還是反向?qū),而不是正向(qū)。真?shí)情況是,這個PN結(jié)已經(jīng)不存在了,不是PN結(jié)了!

  當(dāng)Ib一直增大時,Ic也會一直增大。當(dāng)然,Ic的增大有個限度,當(dāng)Ib大到一定的時候,再增大Ib,Ic不會再增大了。也就是說飽和了,Ic與Ib不在是線性的了。

  就說到這里。


33樓: >>參與討論
楊真人
我們不能懷疑課本的說法?
那么加利略該死了。

“在電子線路論述三極管輸出特性曲線的時候,講到三極管在飽和區(qū)的現(xiàn)象就是二個PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制!

上面雙引號里的話,我認(rèn)為非黑體字的部分可以忽略。

我的觀點(diǎn):IB=IC是正飽和點(diǎn)。三極管能正常工作,其BC結(jié)必須反偏。
IB>IC,IC中部分電流是正向通過BC結(jié)才叫“BC結(jié)正偏”
(我把這個情況叫“過飽和”其實(shí)也欠妥,應(yīng)叫“不確定狀態(tài)”,無法從這個現(xiàn)象簡單認(rèn)定屬于截止、放大、飽和這三者中之一,也就是“半導(dǎo)體三極管的第四狀態(tài)”。)

說就說不了那么多。還請各位自己畫原理圖和特性曲線吧。

34樓: >>參與討論
computer00
還是電子管比較容易理解,嘿嘿。
 
35樓: >>參與討論
cf100
林子是大了
    楊真人從輸出特性曲線中看出了第四態(tài)。絕對世界第一。眾人肉眼,那及真人法眼!
    

36樓: >>參與討論
楊真人
.........
 
37樓: >>參與討論
cf100
有趣有趣。
    不過我還是建議大家多看點(diǎn)基礎(chǔ)書,但不要什么都帶批判的眼光去看問題,如果懷疑書本上的一切,就失去了討論的基礎(chǔ)了。

38樓: >>參與討論
cf100
如果我這樣對我的學(xué)生上課,非給轟下講臺不可!
    我膽小,但我不敢標(biāo)新立異宣傳三個基本狀態(tài)之外的第四態(tài),我也不敢宣揚(yáng)在基本工作環(huán)境下,PN結(jié)會消失。(除非反向雪崩擊穿)
    而且我在應(yīng)用中也只要能使IC不隨IB增加就進(jìn)入飽和態(tài),而且也知道這時的VCE接近于0,相當(dāng)于開關(guān)接通。而這時的VBE>=VCE,或VBC>=0.(理論上稱之為零偏或正偏)

39樓: >>參與討論
cf100
不早了,明天有空再繼續(xù)論戰(zhàn)。
   不過最好有依據(jù),不然光靠自己空想想,沒有理論支持,這樣也沒什么意思。
   大家都是讀過書的,可不能不講理呀。

40樓: >>參與討論
楊真人
CF100教授生氣了。
大概想罵將出口。但是又忍住了。教授的修養(yǎng)就是不同一般啊。

我沒文化,不會說高深理論。有什么得罪,請原諒。有哪里錯了,請指教。

方便告訴我,您是在哪幾個大學(xué)任教的呢?交不起學(xué)費(fèi)的學(xué)生收不收啊?

41樓: >>參與討論
赤鑄
飽和時兩個都正偏是沒錯的
正偏只是指電壓,不一定要有電流從b->c

這個問題本來很簡單:
Vbc>0(或Vbe>Vce)為飽和
Vbc=0(或Vce=Vbe)為臨界飽和點(diǎn)
(指NPN)


我前面引用的“中小功率管常用Ic/Ib=10”之類實(shí)際上是另一個問題:飽和程度。把問題攪亂了,抱歉。
cf100說的“如果IC/IB=300,那IC/IB=10也飽和太過了;如果IC/IB=12,那IC/IB=10又太不保險了。如果說我的電路IC/IB=10算飽和剛好,那也要讓別人能接受才行!币舱沁@個問題。另外討論吧,呵呵。


42樓: >>參與討論
楊真人
吐溫先生,久仰了。
對您的觀點(diǎn)“談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻”表示認(rèn)同。

記得以前你也有過讓我佩服的文章。還是點(diǎn)到即止。高手莫過于此。

43樓: >>參與討論
楊真人
還是各執(zhí)一辭。
相信分歧在于BC結(jié)正偏上。

書本(可能是教科書)作者認(rèn)為VBE>VCE就是BC結(jié)正偏。他用電壓表正表筆接NPN管的B,用負(fù)表筆接C,大家都看見表針擺動?!這就是BC結(jié)正偏!!觀眾讀者對此權(quán)威測試堅信不疑。

我認(rèn)為BC結(jié)的正偏特征是電流從B極通過BC的PN結(jié)流到C極,而這個電流必須是大于0才算。眾多高手批判一節(jié)接一節(jié)。似乎三極管飽和時,應(yīng)該是有一部分電流經(jīng)過BE結(jié)直接出去,另外一部分則是從B極經(jīng)過BC結(jié)到C極,然后又從C極越過BC結(jié)和BE結(jié)直接跳到E極去。

VBE>VCE只是飽和狀態(tài)下的一種外在現(xiàn)象。(不好意思,這“不是本質(zhì)”。)以此斷定BC結(jié)正偏是否科學(xué)?一個是極,一個是結(jié)。晶體管不是因?yàn)橛袠O才有神奇,而是因?yàn)橛薪Y(jié)。

李東發(fā)的說法有點(diǎn)過頭。相信是他極力去表達(dá)自己的觀點(diǎn)的時候用錯了字眼,而不是刻意去歪曲科學(xué)。

為證明一切,接個電流表串到C極看看就得了。如果飽和時BC結(jié)有正向電流,應(yīng)該能夠體現(xiàn)在物理量上。

本打算說說OC輸出的。怕被人說搞偽科學(xué)啊,不說了。也不再就這個論題繼續(xù)爭論下去。暫當(dāng)潛水員吧。拍我磚?拍就拍吧。我被人拍到慣曬了。

學(xué)術(shù)爭論是好事?茖W(xué)之路從來不平坦。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-13 7:32:41 修改者:楊真人

44樓: >>參與討論
王奉瑾
向教師致敬
俺就沒這份耐心
哈~~~~~~


45樓: >>參與討論
王奉瑾
真人不能懷疑課本
只能懷疑修煉的秘訣
哈哈~~~~

46樓: >>參與討論
王奉瑾
最通俗有效的解答:)
 
47樓: >>參與討論
楊真人
向老王致敬!
太陽還沒升起來的時候,老王已經(jīng)上來看21IC了。哈哈!向老王致敬!

48樓: >>參與討論
楊真人
不討論問題。純灌水。
懷疑課本我是被教育的。況且懷疑不等于推翻啊。所有本本都說是經(jīng)典中的經(jīng)典。有時候真不知道哪本才是真經(jīng)。在這里,我只是把自己的觀點(diǎn)展示給他人。如何理解,認(rèn)同與否,都沒關(guān)系。

“實(shí)踐是檢驗(yàn)真理的唯一標(biāo)準(zhǔn)!薄獋ト苏f的(誰說的?我忘了。不好意思。我牢記這句話不是因?yàn)閭ト苏f的,而是這句話對我有用。這話記了,偉人名字忘了。原諒我吧。:)



* - 本貼最后修改時間:2005-1-12 23:50:15 修改者:楊真人

49樓: >>參與討論
王奉瑾
嘿嘿,俺只是路過這里.........
在黎明前..........

50樓: >>參與討論
cf100
呵呵,大家都早呀。
   楊真人認(rèn)為BC結(jié)之所以不正偏,是因?yàn)闆]有電流從B流向C, 就算是從電壓上測量B高于C。(NPN)
   而且前面各位的論述中也沒有提及正偏則BC結(jié)就會有一電流從B流向C。
就如三極管在放大狀態(tài)時,BC結(jié)反偏,但BC結(jié)卻在這時相當(dāng)于導(dǎo)通,這是載流子的漂移運(yùn)動。
    三極管是一個整體,不能簡單地分裂成二個PN結(jié)來分析。
    二極管特性中講到單向?qū)щ娦裕杭春线m的正向電壓(正向偏置,簡稱正偏)導(dǎo)通;反向電壓(反向偏置)截止。
    由此可見正偏反偏僅為表象,為外界的條件。前面也并沒人用二極管特性去解釋三極管特性。
    再來看一下樓主的提問:三極管什么時候工作在飽和區(qū)?答案當(dāng)然可以是二個結(jié)正偏時,也就是二個結(jié)在測量中體現(xiàn)正向電壓!如果再深究下去,那一大片人不是由此而搞混思路?
    有時間我可以講一下三極管的物理模型,不過對應(yīng)用來講實(shí)在是沒必要。


51樓: >>參與討論
zxuchu
最最關(guān)鍵的一點(diǎn)就是
樓上各位,說的那么復(fù)雜有何用?最最關(guān)鍵的一點(diǎn)就是:滿足Vce≤0.5V,就絕對進(jìn)入飽和狀態(tài),Vce≤0.1V時,就是處在深度飽和狀態(tài)。

52樓: >>參與討論
zxuchu
最最關(guān)鍵的一點(diǎn)就是......(補(bǔ)充一點(diǎn))
除了滿足Vce≤0.5V,就絕對進(jìn)入飽和狀態(tài),Vce≤0.1V時,就是處在深度飽和狀態(tài)。還應(yīng)同時滿足Ic≠βIb。

53樓: >>參與討論
赤鑄
不能以具體Vce值為判據(jù)
不同型號晶體管具體參數(shù)可能不同
不同溫度下肯定不同

54樓: >>參與討論
楊真人
UP。
。

55樓: >>參與討論
楊真人
倒數(shù)第二
行的回答夠簡潔。繼續(xù)留意。

56樓: >>參與討論
cf100
規(guī)定電壓值當(dāng)然不行
鍺管在VCE>0.3V時還算是放大區(qū)的。
    而用二個結(jié)在電壓上表現(xiàn)出正偏的表象來判定進(jìn)入飽和。是簡便而實(shí)用的方法。
不用分三極管是NPN、PNP、鍺、硅。
    當(dāng)然此電壓我們是用VBE和VBC來表示的。從表象上看是加在二個結(jié)之間。

57樓: >>參與討論
luhuaren
RE
反問一句:
三極管在放大區(qū)時,集電極電流為什么是基極電流的B倍?

58樓: >>參與討論
cf100
可參考一下三極管的電流放大原理
與基區(qū)的結(jié)構(gòu)和集電結(jié)的面積等有關(guān)。

59樓: >>參與討論
lbs18
應(yīng)該不是那樣的!
采用合適的偏置電阻時Vce的電壓僅為0.2V,而Vbe開啟電壓為0.7V左右(實(shí)際值可能會有所偏差),此時兩個PN結(jié)都處于正偏,三極管處于飽和工作狀態(tài)。

60樓: >>參與討論
楊真人
?
 
61樓: >>參與討論
xhlg915
answer
Vc<Vb&&Ve<Vb

62樓: >>參與討論
楊真人
嗯,所謂放大區(qū),其實(shí)是“線性放大區(qū)”。
以下是本人的理解:

通常說的“放大區(qū)”,其實(shí)是指“線性放大區(qū)”。

三極管的正常工作區(qū)是從IC*IB=0到IC/IB=1。
IC*IB=0為截止點(diǎn)。
IC/IB=1為飽和點(diǎn)。
嚴(yán)格來說,IC*IB>0 到 IC/IB>1 整個區(qū)域都具有放大能力。

從三極管伏安特性圖象中,我們看到的曲線,中間比較直的一段就是“線性放大區(qū)”。

靠近截止點(diǎn)(不包括截止點(diǎn))到開始進(jìn)入“線性放大區(qū)”之前的一段,叫“臨界截止區(qū)”。雖然也具有一定放大能力,但是有明顯失真,一般模擬電路不使用這段。數(shù)字電路和開關(guān)電路則使用這段,并力求使用接近截止點(diǎn)的一部分。

“線性放大區(qū)”到靠近飽和點(diǎn)(不包括飽和點(diǎn))的一段,叫“臨界飽和區(qū)”。雖然也具有一定放大能力,但是有明顯失真,一般模擬電路不使用這段。但數(shù)字電路和開關(guān)電路就經(jīng)常使用這段。

“線性放大區(qū)”,常用于大多數(shù)模擬電路,是應(yīng)用最廣的一段。在音頻電路等對失真要求嚴(yán)格的電路,則避免與“臨界截止區(qū)”以及“臨界飽和區(qū)”沾邊。

以上純屬個人觀點(diǎn)!!
如果是不需要考試的朋友,就自己看著辦吧。
如果是學(xué)生,請按課本和老師給你的標(biāo)準(zhǔn)答案填試卷。否則后果自負(fù)!!


圖象1是某型號二極管的伏-安特性圖。



圖象2是某型號三極管的伏-安特性圖。圖中沒有給出靠近0點(diǎn)的部分的放大圖象。而這被忽略的部分,跟二極管靠近0的部分相似。

聲明:這些圖象決不是本人空想出來的。有條件者可以自己實(shí)測。


圖象3是某型號硅二極管的伏-安特性,1uA-100uA段放大圖。

可以看出,這個二極管并沒有因?yàn)檎螂妷旱陀?.3V就截止。呵呵,給那些一味說電壓的老大潑一勺冷水。

* - 本貼最后修改時間:2005-1-14 8:09:52 修改者:楊真人

63樓: >>參與討論
xj803
Ib*β>Ic時為飽和
Ib*β>Ic時為飽和,Vbe<0.5V(硅管)/0.2V(鍺管)截止,
要使三極管飽和,必須
         β(Vb-Vbe)/Rb > Vc/Rc   (假設(shè)三極管飽和Vce=0)

64樓: >>參與討論
zhenglixin
一般用在開關(guān)電路中
 
65樓: >>參與討論
ljq200
這個問題我也很想知道。
 
66樓: >>參與討論
zbhui123
什么什么啊,根本就不是那么回事
 
67樓: >>參與討論
zbhui123
“部分則是從B極經(jīng)過BC結(jié)到C極”
差不多吧
這時候從b到c的電流就叫做擴(kuò)散,而從c到b叫漂移
只是這個擴(kuò)散電流非常微弱,相對這個漂移可以忽略而已

68樓: >>參與討論
zbhui123
不好意思,我說反了。希望沒有誤人子弟
 
69樓: >>參與討論
zbhui123
那你去翻書哈,其實(shí)很復(fù)雜的
 
70樓: >>參與討論
赤鑄
IC*IB=0?
 
71樓: >>參與討論
楊真人
作為典型,不能忽略Re.您的圖顯然不存在Re。
哈哈,浪頭一個接一個。

72樓: >>參與討論
big_ben
關(guān)鍵的一點(diǎn)
ΔIc/ΔIb≈0
就是說Ic已經(jīng)大到極限,Ib的變化已經(jīng)不能再引起Ic變化。

73樓: >>參與討論
楊真人
嗯。這是一個很重要的條件。
IC*IB=0,表示當(dāng)IC、IB中任一為零即可宣告三極管截止。
IB=0時IC=0.
而IC=0時,IB不一定是0。

74樓: >>參與討論
楊真人
我發(fā)現(xiàn)祖國的未來還是有希望的!
握手!

75樓: >>參與討論
楊真人
CF100教授,……?
還沒回答我的問題!蟾攀且?yàn)槲覜]錢,不屑一顧了。...

76樓: >>參與討論
zbhui123
》楊真人
楊真人 寫于 2005-1-13 21:54:23
希望你不是在校學(xué)生。
關(guān)于界定三極管飽和的問題。
攻關(guān)項(xiàng)目:
1.OC輸出
2.CE極外部短路
3.BC極外部短路
求證:“兩個結(jié)都是正偏就是飽和”的正確性。


什么意思,你是問我嗎?

以npn,be正偏為前提來研究一下
我想bc正偏時,電場方向由b指向c,則b區(qū)大量的電子不能漂移至c區(qū),只能一擴(kuò)散的方式被c區(qū)收集(擴(kuò)散電流不能把全部電子過渡到c區(qū)),而此時的漂移電流則是反向的。在這種情況下c電位的提高能直接影響漂移電流的大小,它會不會成正比呢?(如同電阻的形式?),換一個意思說,飽和區(qū)c極電流和c極電位成正比關(guān)系,而與b極電流不再存在比例關(guān)系。
c極電位足夠高時,bc反偏,電力線由c指向b,絕大多數(shù)的b區(qū)電子漂移至c區(qū)(這才是飽和嘛~),c極電位的增加不能影響到從e到b的電子數(shù)即不能影響從b到c的電子數(shù)(當(dāng)然了,已經(jīng)絕大多數(shù)的b區(qū)電子漂移至c區(qū)),這時c區(qū)電流的大小完全取決與be正偏產(chǎn)生的b區(qū)電子數(shù),就是說Ic正函數(shù)Vb,可能算出來正好正比與Ib吧。
那c極電位在增高,就擊穿了........

77樓: >>參與討論
zbhui123
“Ib的變化已經(jīng)不能再引起Ic變化!盭
飽和區(qū)的Ib當(dāng)然會影響Ic的變化,Ib增加則b區(qū)電子增加,則擴(kuò)散電流加強(qiáng),所以c極電流增加,這個從晶體管曲線上已經(jīng)看得到了

78樓: >>參與討論
楊真人
從你發(fā)言看起來三極管飽和了還能繼續(xù)起放大作用
不是吧?
飽和區(qū)的Ib當(dāng)然會影響Ic的變化,Ib增加則b區(qū)電子增加,則擴(kuò)散電流加強(qiáng),所以c極電流增加……


達(dá)到飽和點(diǎn)時,三極管的IB再大也不會讓IC持續(xù)增大。唯一可以隨IB增大的是IE。

這下子你真是空想主義了。扁你一下。

79樓: >>參與討論
zbhui123
倒了,你沒看到飽和時Ic隨Ib增大嗎?
你才是空想主義啊,好好地讀一下你的圖2
以vce0.1v做垂直輔助線(要先承認(rèn)這條線0.1v線是處于飽和區(qū),否則就沒話說了),是不是發(fā)現(xiàn),在飽和區(qū)中vce不變的情況下,Ic隨Ib的增加而增加?蓜e說看不見啊。
不要說增加的幅度很小就不算增加,那樣的話也沒話說了

這就是擴(kuò)散電流的作用

80樓: >>參與討論
zbhui123
補(bǔ)
剛才說的輔助線是方便觀察所設(shè)的,實(shí)際上此輔助線應(yīng)該是稍稍讓右偏的,即以vbc不變的前提來討論

不過結(jié)果都是一樣,擴(kuò)散電流會增加而已

81樓: >>參與討論
tianyong
樓主所說,應(yīng)該是在放大區(qū)
據(jù)樓主所說,C極接在Vcc上,這樣用管子,一般是為了提升驅(qū)動能力.
而看后面討論的那些看法,我覺得他們都是建立在三極管搭建非門的基礎(chǔ)上.

82樓: >>參與討論
yzilong
不提負(fù)載
飽和、截止跟負(fù)載好像沒有任何關(guān)系吧

83樓: >>參與討論
lzf2008
應(yīng)該是做為開關(guān)電路的情況下吧!
 
84樓: >>參與討論
cf100
暈!還沒搞清?
理論上那么簡明扼要的事,被某些人搞得那么復(fù)雜!還美其名曰:灌灌水!
又不是什么高深的理論。
在討論三極管時拿來了二極管的特性曲線,還號稱發(fā)現(xiàn)二極管在低于門坎電壓下還有電流。ǹ磮D的時候最好看清是什么圖?還看不清的話你再看一下X軸的比例。┮源送瞥,二極管在加正向低電壓時也不是截止的。那二極管反向也是有一個電流的,那是不是也不會截止?
而帖出來的幾個輸出圖也都是大功率三極管的圖,芝麻也被放大成西瓜了,但那幾個圖要來說明一個什么問題呢?是不是由此可斷定三極管飽和時,BC和BE間沒有正向電壓?
關(guān)鍵問題只有一個,不要再東繞西繞。

問題是: 三極管飽和時,二個結(jié)是否正偏!

85樓: >>參與討論
nj_majie
我來說幾句.
我覺得你最好還是不要看書.看書太累,而且看后你的理解也不一定對.我對模擬電路也是很頭疼的,所以我就在網(wǎng)上發(fā)現(xiàn)有模擬電路的課件賣.就花了八十元買了課件.看了幾遍后覺得值.課件就是大學(xué)的老師在課堂里上的課錄成視頻.我想你要是看了后肯定會有非常大的進(jìn)步.我本人就從電大下了好幾門課件.其中有單片機(jī)原理,數(shù)字電路,計算機(jī)接口原理,自動控制技術(shù)等.如果你想要的話可以和我聯(lián)系.
e_mail:025_majie@163.com

86樓: >>參與討論
xingxiuge
求助
我是剛剛畢業(yè)的大學(xué)生,在校期間學(xué)的是自動化專業(yè)。04年7月畢業(yè)后,馬上參加工作,現(xiàn)在從事我的專業(yè)工作,剛剛開始工作,感覺找不到頭緒,雖然在校期間我的成績每次都名列前矛,自己感覺成績也不錯,但是一參加工作,實(shí)際一實(shí)踐才發(fā)現(xiàn)原來自己懂得少之又少。比如,555定時器在學(xué)校的設(shè)計時,經(jīng)常用到,但是現(xiàn)在 ,連管腳都弄不清楚,更不用說 應(yīng)用實(shí)列了,更不用提設(shè)計了,我現(xiàn)在 在車間實(shí)習(xí),師傅們大多數(shù)也不清楚原理 ,我想找一些書看 ,但又不知道看哪些書合適,我想訂《電子技術(shù)》這本雜志,但是里面的內(nèi)容有看不懂。敬請專家指點(diǎn),我該從何學(xué)起?

87樓: >>參與討論
楊真人
問題是: 三極管飽和時,二個結(jié)是否正偏!

開始咆哮了?
我不是要針對任何人,只是想把問題搞清楚。
三極管飽和時,B極對C極有極間電壓正偏置,這個說法我審慎接受。
但因B極對C極有極間電壓正偏置就斷定BC結(jié)正偏,似乎有偷換概念的嫌疑。
三極管是電流驅(qū)動的器件,它的工作狀態(tài)離不開電流參數(shù)。HFE參數(shù)就是從電流參數(shù)的比較中得到的。
>而帖出來的幾個輸出圖也都是大功率三極管的圖
哦,真是大功率嗎?
圖象1:1N4001-4007
圖象2:2SC945
圖象3:914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
還沒回答我的問題。
新增問題:您導(dǎo)師的名字、課本的書名和作者名。

88樓: >>參與討論
axo.b
三極管有飽和區(qū),放大區(qū)和截止區(qū)
三極管作為開關(guān)用:應(yīng)工作于飽和區(qū)和截止區(qū)
作為放大用:應(yīng)工作于防大區(qū)

89樓: >>參與討論
cf100
呵呵,我有什么可氣急的?
爭論難免,但最好不要想引起爭吵。
現(xiàn)在好象成了正偏概念解釋了。

好吧,我來解釋一下:
正偏,正向偏置的簡稱。P區(qū)接電源正極,N區(qū)接電源的負(fù)極(稱為正向偏置)。

楊真人之話可是自相矛盾的很呀。正偏本身就是一種外加的因素,何來正偏不是正偏一說?

90樓: >>參與討論
cf100
楊真人之矛盾說
楊真人說:但因B極對C極有極間電壓正偏置就斷定BC結(jié)正偏,似乎有偷換概念的嫌疑。
此正偏即彼正偏,不知楊真人的正偏概念上升到哪個層次。最低級別的電子技術(shù)書籍都有正偏之詳盡描述,楊真人是真不懂還是走火入魔?

恩師之名,無披露的必要。怕辱了他老人家的名聲。

91樓: >>參與討論
楊真人
理直氣壯還怕有辱師名?你老師怎會有這樣的……
“此正偏即彼正偏”——你以為這是二極管啊?

你(們)看過的書也許我也看過。雖然我提倡多看書,但我不迷信書。象三極管飽和這樣基礎(chǔ)的知識,我也很用心去探索求證。也許這樣會效率巨低,比不上教授說一句“兩結(jié)正偏”,但是我深信自己的觀察。
我在這里提出的是自己的見解。不強(qiáng)求別人接受我的觀點(diǎn),相反,我是很希望別人能說服我。

zbhui123 回避了我的問題。不過他的回帖是用了一番心思。我從心底里感謝他。可惜他的解說仍然不足以說服我改變觀點(diǎn)。


zbhui123的教道

92樓: >>參與討論
zbhui123
請教cf100老師另外一個問題
偶對晶體管的理解也就這么多了
有個問題一直困惑我,Bvceo為什么小于Bvcbo老是理解不好。

能否請cf100老師(看樣子你是從事教育行業(yè)的吧)給簡要地解釋一下這個現(xiàn)象的原因呢,能用越通俗易懂的方式就越好,因?yàn)槲遗驴床欢?br>
93樓: >>參與討論
cf100
BVcbo是BE短路是的反壓. BVceo是B極置空是的反壓.
這樣的話,BVcbo就是集電極的反向擊穿電壓,特性相當(dāng)于二極管的反向擊穿特性,擊穿電壓高.(擊穿前的反向電流為Icbo)
而BVceo由于B極置空,擊穿前的飽和電流為Iceo,而Iceo比Icbo大hfe倍,這樣參與擊穿任務(wù)的載流子數(shù)量就多得多.
反向電流雖然稱為飽和電流, 但由于反向電壓增加后,一些不活躍的載流子得到能量后,還是會參與導(dǎo)電,所以反向電流還是有個小幅增加.
當(dāng)然還存在一些別的因素但主要因素是以上二點(diǎn).
擊穿發(fā)生時,由于三極管的電流放大作用,擊穿過程還伴隨發(fā)生正反饋,這樣在BVceo狀態(tài)擊穿時還會呈現(xiàn)出負(fù)阻特性.
根據(jù)這個原理,你就可以知道為什么高反壓三極管的HFE都在二十多,十多甚至小于十.
而對反壓沒有要求的普通管都會在100,200

94樓: >>參與討論
cf100
我講的是PN結(jié),二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)中不能省略的基礎(chǔ)
大家講的觀點(diǎn)和見解是必須有依據(jù)的.
我不期望說服任何人,不過我只希望說出在理論上有共識的事實(shí).

95樓: >>參與討論
zbhui123
擊穿發(fā)生時,由于三極管的電流放大作用,
擊穿過程還伴隨發(fā)生正反饋,這樣在BVceo狀態(tài)擊穿時還會呈現(xiàn)出負(fù)阻特性.

怎么好象是可控硅

96樓: >>參與討論
cf100
可控硅硬擊穿時,只是可控硅相當(dāng)于二個不同的三極管,反饋更強(qiáng)烈
不信你可以看一下BVceo的曲線,可能引起雪崩擊穿的電流為飽和電流,導(dǎo)致三極管基極電勢Vb升高,出現(xiàn)所謂的“快回(Snap-back)”現(xiàn)象,即在Vb升高到一定程度時,三極管導(dǎo)通,由于有一定的集電極電流,集電極電壓快速返回一定的電壓值,從而發(fā)生雪崩擊穿。如果功率不受限制,那下一步溫度過高產(chǎn)生的二次擊穿將是破壞性的。

97樓: >>參與討論
27686752

頂.說的對

98樓: >>參與討論
stiffen
理解對嗎
不全!

99樓: >>參與討論
tuwen
從晶體管特性曲線看飽和問題
我前面說過:談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻,F(xiàn)在再作詳細(xì)一點(diǎn)的解釋。

借用楊真人提供的那幅某晶體管的輸出特性曲線。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止,為了說明方便,我向右延伸到了4.0V。

如果電源電壓為V,負(fù)載電阻為R,那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束:

                Ic = (V-Vce)/R   

在晶體管的輸出特性曲線圖上,上述關(guān)系式是一條斜線,斜率是 -1/R,X軸上的截距是電源電壓V,Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖
說的“Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限”)。這條斜線稱為“靜態(tài)負(fù)載線”(以下簡稱負(fù)載線)。各個基極電流Ib值的曲線與負(fù)
載線的交點(diǎn)就是該晶體管在不同基極電流下的工作點(diǎn)。見下圖:


圖中假定電源電壓為4V,綠色的斜線是負(fù)載電阻為80歐姆的負(fù)載線,V/R=50MA,圖中標(biāo)出了Ib分別等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的
工作點(diǎn)A、B、C、D、E、F。據(jù)此在右側(cè)作出了Ic與Ib的關(guān)系曲線。根據(jù)這個曲線,就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線
性放大區(qū),Ic隨Ib的增大幾乎成線性地快速上升,可以看出β值約為200。蘭色段開始變彎曲,斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了,這就是
“飽和”。實(shí)際上,飽和是一個漸變的過程,蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條
件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸,與Ic=50MA的水平線相交,交點(diǎn)對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。

由圖可見,根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽
和程度就越深。

圖中還畫出了負(fù)載電阻為200歐姆時的負(fù)載線。可以看出,對應(yīng)于Ib=0.1mA,負(fù)載電阻為80歐姆時,晶體管是處于線性放大區(qū),而負(fù)載電
阻200歐姆時,已經(jīng)接近進(jìn)入飽和區(qū)了。負(fù)載電阻由大到小變化,負(fù)載線以Vce=4.0為圓心呈扇狀向上展開。負(fù)載電阻越小,進(jìn)入飽和狀態(tài)所需要
的Ib值就越大,飽和狀態(tài)下的C-E壓降也越大。在負(fù)載電阻特別小的電路,例如高頻諧振放大器,集電極負(fù)載是電感線圈,直流電阻接近0,負(fù)
載線幾乎成90度向上伸展(如圖中的紅色負(fù)載線)。這樣的電路中,晶體管直到燒毀了也進(jìn)入不了飽和狀態(tài)。

以上所說的“負(fù)載線”,都是指直流靜態(tài)負(fù)載線;“飽和”都是指直流靜態(tài)飽和。

to 楊真人:謝謝你的夸獎。不過我的名字同那位外國作家沒有關(guān)系,還是別那樣叫。對于你說的以IC/IB=1為飽和點(diǎn),我深感驚訝。不知道你是
從哪里得出這個結(jié)論的?還是以上面的圖為例,Ib=1mA就已經(jīng)充分飽和了。按照你的觀點(diǎn),難道要到Ib=50MA才算飽和嗎?

我認(rèn)為,大多數(shù)電子技術(shù)人員,都是晶體管的使用者,只要了解它的外部特性就行了。除非是研制、生產(chǎn)晶體管的科技人員,對于內(nèi)部的工作原
理,沒有必要去深究。個人看法,不一定對。


* - 本貼最后修改時間:2005-1-16 20:34:21 修改者:tuwen

100樓: >>參與討論
cf100
再論基礎(chǔ)知識
楊真人說:可以看出,這個硅二極管并沒有因?yàn)檎螂妷旱陀?.3V就截止。呵呵,給那些一味說電壓的老大潑一勺冷水。


從以上論述中,可以知道楊真人是知道當(dāng)硅二極管正向電壓大于0.5V是才開始導(dǎo)通。否則不會有此一說。

如果有電流就認(rèn)為是不截止,那二極管也有反向電流的,只不過值如正向電壓小于0.3V那么小。由此楊真人是否也由此可以看出,反向也不因?yàn)橛蟹聪螂妷憾刂。憑楊真人的推理,單向?qū)щ娦允欠駨拇俗龉?而楊真人也算是給那些一味說電壓的老大潑了一桶冷水。

論理也要講理論,理論是無數(shù)人實(shí)踐的結(jié)晶。如果以反理論的自有理論來進(jìn)行論理,好象也不大合宜吧。

101樓: >>參與討論
楊真人
強(qiáng)烈支持!
tuwen 這個名字深入我心。tuwen 是我的偶像!

您的圖好得不得了!收藏了!

呵呵,如果三極管永遠(yuǎn)不燒那就有東西看了。

其實(shí)老早你回的帖我就頂了。但是很多人就是不看R。Rb,Re,Rc都不能忽略。

102樓: >>參與討論
楊真人

 
103樓: >>參與討論
computer00
為什么一定要提負(fù)載電阻?
   只說電流關(guān)系,不行么?
   只要Ib*β>Ic,三極管不就飽和了么?
   我管你負(fù)載電阻和電源電壓是多少。
   不信可以拿表來測。

104樓: >>參與討論
楊真人
哈哈,幾乎可以當(dāng)我的接班人了。
不過電阻是不可忽略的。這個Ic是在有電阻的情況下才好計算的。否則就無意義了。試想看,沒有R,Ic將會怎樣?忽略CE壓降和溫度等現(xiàn)實(shí)因素,Ib*β=Ic的關(guān)系將維持不變,即使Ib無窮大。
因此,忽略電阻而單獨(dú)討論電流或電壓都是不足夠的。這也是我在此大搞風(fēng)浪的原因之一。不打算繼續(xù)搞了。累了。hehe


105樓: >>參與討論
zbhui123
應(yīng)用上有電阻才不可忽略
要是討論飽和機(jī)制的話,不需要考慮負(fù)載電阻,所謂的Ic好計算可以作為確定Ib時Ic與Vce的正函數(shù)看待就可以了

“忽略電阻而單獨(dú)討論電流或電壓都是不足夠的”
在應(yīng)用上是這樣的,如果要深入理解,就要屏棄這種外在現(xiàn)象的影響而直接考慮伏安特性

106樓: >>參與討論
zbhui123
你學(xué)計算機(jī)的,怎么對晶體管內(nèi)部了解這么多
 
107樓: >>參與討論
zbhui123
服了你了,問點(diǎn)題外話
你今年多大歲數(shù)了,干什么工作的

108樓: >>參與討論
computer00
歸根結(jié)底,還是在計算電流嘛
    所以我就覺得,有電流關(guān)系Ib*β>Ic就夠了。
    我明白tuwen先生的意思,考慮負(fù)載電阻和電源電壓是計算集電極電流的。


109樓: >>參與討論
computer00
怎么,老楊同志,你想逃?沒那么容易
     我追……

110樓: >>參與討論
hotpower
單向?qū)щ娦允欠駨拇俗龉牛?--這是一個壞消息...
我是模擬菜鳥...再聽大家講課...

111樓: >>參與討論
big_ben
支持tuwen
tuwen的《從晶體管特性曲線看飽和問題》分析很全面,很正確。強(qiáng)烈支持。建議加精!

112樓: >>參與討論
楊真人
hehe,追不到了。
 
113樓: >>參與討論
tuwen
我所說的僅限于“直流靜態(tài)飽和”
我上面所說的分析方法僅限于“直流靜態(tài)飽和”。
實(shí)際電路中,還存在“暫態(tài)飽和”的情況。典型的例子是開關(guān)電源。開關(guān)電源的負(fù)載不是一個純電阻,而是含有電感。晶體管開關(guān)導(dǎo)通之后,電流隨時間持續(xù)上升。只要在集電極電流Ic升高到Ib*β之前關(guān)斷,就可以保證晶體管處于飽和狀態(tài)。
從這個角度來看,computer00主張只談Ic與Ib的關(guān)系,也是有道理的。


114樓: >>參與討論
zbhui123
諸位的高論偶已收錄了
楊真人、cf100、tuwen的圖及內(nèi)容偶已存入PC,版權(quán)無視

聞道有先后,術(shù)業(yè)有專攻。大家在這里討論討論可以取長補(bǔ)短,沒意思吵架。樓主引出的這個話題使偶學(xué)到不少東西,學(xué)海漫漫,偶真是滄海一鼠啊。
對于應(yīng)用來說,能理解tuwen的表達(dá)應(yīng)該就足夠了。
感慨于楊真人的求識和cf100的博深,偶不寒而栗,什么時候偶才能成材呢

115樓: >>參與討論
緣天劍
學(xué)習(xí)!
學(xué)習(xí)!

116樓: >>參與討論
楊真人
提醒你

我的帖中含有部分歪理,請審慎。我的用意是要大家開動腦筋,多方面地觀察分析同一個問題,去偽存真。
我給你的幾個問題不是“無意義”的。例如BC極外部短路、OC輸出這兩個問題,是在實(shí)際中被使用的。而這兩個應(yīng)用中,套用“兩結(jié)正偏”理論根本就解釋不了。
提示:
1. OC輸出實(shí)際是Rc=∞。Rc越大越容易進(jìn)入飽和區(qū),無數(shù)數(shù)據(jù)可以證實(shí)這一點(diǎn)。
2. BC極外部短路即BC極無電位差。電路如圖,“讓數(shù)據(jù)說話”吧:


cf100的理論我知道,我也明白他的意思。不過對他部分觀點(diǎn)保留意見。

因?yàn)槲也皇浅绦騿T,錢先生的計算機(jī)水平我不敢懷疑。但是這不代表他在半導(dǎo)體方面也有計算機(jī)這么卓越。
computer00的觀點(diǎn)跟我的觀點(diǎn)并不矛盾。tuwen 的解說很實(shí)在。我對你說“沒必要”,就是請您仔細(xì)分析 tuwen 的圖和回帖。

117樓: >>參與討論
cf100
首先聲明:我的說法僅表達(dá)公認(rèn)的理論,無個人獨(dú)創(chuàng)的理論。
我也期望楊真人能進(jìn)行有益的探索,但所得的結(jié)論是要經(jīng)得起推理。
楊真人對飽和時兩結(jié)正偏有懷疑,不斷提出一些特例來進(jìn)行證明二結(jié)正偏的錯誤。
現(xiàn)在主要集中在二點(diǎn):1、OC門  2、BC短路 。 看樣子楊真人也是花了不少時間的,我的回帖可能又要讓你失望了。
1、OC門問題。楊真人說:OC輸出實(shí)際是Rc=∞。Rc越大越容易進(jìn)入飽和區(qū),無數(shù)數(shù)據(jù)可以證實(shí)這一點(diǎn)。
   你可以用100K、1M、10M......做RC電阻,然后測量VCE,結(jié)果是VCE(100K)>VCE(1M)>VCE(10M).......。電阻越大,飽和度越深,沒證據(jù)證明二結(jié)不是正偏。
2、至于第二點(diǎn)中的圖,那是個共集電極電路在RB=0的特例。理論上認(rèn)為,共集電極電路是不會進(jìn)入飽和的,如果你了解反饋原理的話,你是不會拿這個電路來說理的。你的實(shí)驗(yàn)圖也證明確了IC=HFE*IB,而且共集電極電路也只能無限接近飽和的臨界點(diǎn),而不可能進(jìn)入飽和。而且你的這個圖在理論上可以進(jìn)行討論,實(shí)際應(yīng)用時把三極管的二個極短路了來用,我想大家會笑話你的,還不如用個1N4148,集成電路內(nèi)部可以看到這類圖,組成如電流源電路,但分立電路中不大用。
    楊真人前面說我不透路導(dǎo)師的姓名是不夠理直氣壯,我說了。結(jié)果又說不代表他在半導(dǎo)體方面也有計算機(jī)這么卓越。
    這樣看上去就好象是說了也不是,不說也不是。其實(shí)我一開始的時候就說我的導(dǎo)師的姓名與討論這個問題一點(diǎn)必然關(guān)系也沒有的。


* - 本貼最后修改時間:2005-1-19 16:39:21 修改者:cf100

118樓: >>參與討論
楊真人
佩服你的堅持。
re:"實(shí)際應(yīng)用時把三極管的二個極短路了來用,我想大家會笑話你的,還不如用個1N4148,集成電路內(nèi)部可以看到這類圖,組成如電流源電路,但分立電路中不大用。"
這樣用總會有原因的。BC短路,由于負(fù)反饋?zhàn)饔蒙,三極管到達(dá)臨界飽和點(diǎn)后就不能繼續(xù)深化飽和,處于自我調(diào)整狀態(tài)。

不打算繼續(xù)爭論下去。否則會有更多混亂。這是我不希望的。

“地心說”曾經(jīng)被公認(rèn)過。“日心說”也被公認(rèn)過。隨著觀察范圍擴(kuò)大,很多舊理論論都要重新審視?倳腥藙(chuàng)立“地心說”、“日心說”。遺憾那不是我。我只能從自己開始,讓認(rèn)識透徹一點(diǎn)。

還望多多指教!謝謝您的參與!



結(jié)束。

119樓: >>參與討論
mojian
飽和只是相對的,當(dāng)c極
 
120樓: >>參與討論
mojian
飽和只是相對的.
    飽和只是相對的,當(dāng)c極電流不能隨b極電流成放大倍數(shù)變化時,可認(rèn)為已開始進(jìn)入飽和區(qū)了。當(dāng)然這樣的電路一定不能是負(fù)反饋電路。相反,當(dāng)c極電流不能隨b極電流成放大分?jǐn)?shù)縮小時,也可認(rèn)為已開始進(jìn)入截止區(qū)了。

121樓: >>參與討論
cf100
就事論事,我是不希望扯出別的話題的。
任何理論,都有其適用范圍和生成期。
可能光憑你我的一已之力,沒有高深廣博的理論知識,沒有合適的機(jī)緣巧合,窮一生之時也不可能改變那怕一個很小的公理。
此所謂:知可為、知不可為。

122樓: >>參與討論
zbhui123
>>楊真人 發(fā)表于 2005-1-19 11:13
偶還是沒看到你要說的意思
1. OC輸出實(shí)際是Rc=∞。Rc越大越容易進(jìn)入飽和區(qū),無數(shù)數(shù)據(jù)可以證實(shí)這一點(diǎn)。
2. BC極外部短路即BC極無電位差。電路如圖,“讓數(shù)據(jù)說話”吧

1.說不是“兩結(jié)正偏”嗎?那你要說明OC時C的電位是多少?
2.vbc=vbe那不正是臨界嗎?有什么矛盾呢?圖上的數(shù)據(jù)是模型計算出來的嗎?




123樓: >>參與討論
楊真人
呵呵,CT vs T,CT WIN。
 
124樓: >>參與討論
ydff
受益非淺!楊真人那副“用數(shù)據(jù)說話”的圖用的是什么仿真軟件?
在哪里可以下載到?謝謝!

125樓: >>參與討論
lai832
我又來灌水來了
1\當(dāng)集電結(jié),發(fā)射結(jié)都正偏時為飽和,
2\NPN:VB>VC>VE;PNP:VB<VC<VE(與1本來就是一回事---這就是都正偏的表達(dá)式)
3\|IB|>>|IC/B|(基極電流遠(yuǎn)大于集電極電流除以放大倍數(shù))(|IB|=|IC/B|是臨界飽和,
4\(特性曲線)---沒圖不好說:VCE很小,IC不會因IB的變化面變化(說得不好聽點(diǎn)就是在飽和區(qū))
5\IC不受IB控制,(截止也是有這情況,但不明顯也少人提起過.)

有一點(diǎn)前面有朋友出錯的,三極管飽不飽和,判斷與偏置無關(guān)(我是說有沒有,不是他的值)而是三極管本身工作在那個區(qū),
判斷數(shù)據(jù)是:基集發(fā)三極的電流和電壓(曲線也是這些量)
與其它沒太大關(guān)系,其它的(如各區(qū)電子或空穴的情況是深入的,是探飽和時,三極管內(nèi)部是怎樣的.


TO:zbhui123
OC時(NPN管)也是飽和的一種特殊性,
你算算符合上面的條件嗎?
符合了.

TO:mojian
切記,上面所說的飽和都是同一時間(這樣說,是同一瞬間都會)存在的,并沒有先后之分,不能有時間的差異.不要想負(fù)反饋的事,與這無關(guān),

TO:楊真人
1.BC短路,由于負(fù)反饋?zhàn)饔蒙睿龢O管到達(dá)臨界飽和點(diǎn)后就不能繼續(xù)深化飽和,處于自我調(diào)整狀態(tài)。
你這種是特殊性,要實(shí)際考慮,為什么上面OC特殊性也說呢?因?yàn)锽E電阻比CE電阻還要大,所以這個也是飽和----但也要看他們的關(guān)系才行.因如(IB+IC)過小的時候,還不是飽和狀態(tài).
也不能說是負(fù)反饋.------我如果說B極是輸出,C是輸入,你能反駁嗎?短路了,所以這已不再是負(fù)反饋了.而是BE內(nèi)阻和CE內(nèi)阻的原因了.
2.“在電子線路論述三極管輸出特性曲線的時候,講到三極管在飽和區(qū)的現(xiàn)象就是二個PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制!
中"三極管在飽和區(qū)的現(xiàn)象就是二個PN結(jié)均正偏"
你這說法不對,你這樣兩個二極管這樣接起不到實(shí)際作用,記得三極管的C極的電流可以流到E極的,你的行嗎?(以NPN為例)不行.


TO:NE5532
1.三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時,一定是在飽和和截止區(qū)之間轉(zhuǎn)換,不會在放大區(qū)。
這得看你的電路處理了(與信號也有關(guān)系),處理不好就會要有在飽和區(qū)的過渡.

2.Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限
這是理想值(實(shí)際上約是:(VCC-VCEmin)/(RC+RE)-----VCEmin是飽和壓降.

3.但是赤鑄兄:bc結(jié)正偏,好像不能建立內(nèi)電場啊。 我記得三極管工作條件是bc反偏,be正偏啊
上面的是放大區(qū),不要讓別人看錯了,你應(yīng)寫放大條件.

TO:赤鑄
1.飽和時Vb>Vc,           (你那個貼中的上下文沒提到過VE)
但Vb>Vc不一定飽和
是正確的,但你少說了一點(diǎn).各位不要理解成:VB>VC時飽和.因還有VE呢.如:當(dāng)VE>VB呢????
2.正偏只是指電壓,不一定要有電流從b->c      (你說的是NPN管)
支持說法:因這時RCE<RBE,B極電流不會流出C極,而是流向E極.
(同時說明:如果是用疊加原理去分回路分析就會有電流從B->C了---當(dāng)然得看你的電路組成了(以NPN為例:C極只有電阻接高電平,沒有其它支路接到地,就不會有電流從B->C了.當(dāng)C極有支路接地時,用疊加原理解釋是有的)


TO:tuwen(不對)_&computer00(對)
談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻
這與電阻無關(guān)的.飽不飽和與電阻無關(guān).

TO:wuhanhebin
只要滿足... p-n-p Vce<0.4V   n-p-n Vce<0.7V 可滿足要求!不復(fù)雜...
不要忘了這只是一般性,加上一般性的數(shù)值也不對,飽和壓降可以小于0.3V以下(還有更小的呢).那來的0.7V????當(dāng)然有些特殊用途的管飽和會有十幾伏,不能這樣解釋.這樣的解釋是不正確的,不科學(xué)的.


TO:木耳鳥
三極管做開關(guān)時怎么可能工作在放大區(qū)?
要求不能工作在放大區(qū),但是很多電路在截止與飽和間過渡時會進(jìn)入放大區(qū),要盡量避免.

TO:cf100 & 楊真人
……如果IC/IB=300,那IC/IB=10也飽和太過了;如果IC/IB=12(電子鎮(zhèn)流器用管都這樣),那IC/IB=10又太不保險了。如果說我的電路IC/IB=10算飽和剛好,

上面的都是實(shí)際應(yīng)用上的,與怎樣分飽不飽和是不準(zhǔn)確的.但大家可以記住這些.


TO:李冬發(fā) & SSQWQ
(NPN)管3個區(qū)的參雜的濃度還不一樣。這里形成了2個PN結(jié),1個叫發(fā)射結(jié),1個叫集電結(jié)。
詳細(xì)點(diǎn):發(fā)射區(qū)電子濃度特別大,集電區(qū)與基區(qū)面積特別大,基區(qū)很薄.


TO:李冬發(fā) & SSQWQ
真實(shí)情況是,這個PN結(jié)已經(jīng)不存在了,不是PN結(jié)了!
應(yīng)說實(shí)際情況是,這三個區(qū)的濃度被破壞了,


TO:cf100
看樣子什么樣的人都有!
支持你以上面內(nèi)容為標(biāo)題的那個貼

說得不對的請各位愿諒,九點(diǎn)還要上班,有時間再來灌過.

* - 本貼最后修改時間:2005-1-22 9:05:33 修改者:lai832

126樓: >>參與討論
cf100
洋洋大文一篇,膽量也不。
不過可擊的漏洞比WINDOWS XP 要少多了。

127樓: >>參與討論
zhang_2000
飽和時pn結(jié)
三極管飽和時,be結(jié)正偏,bc結(jié)果反偏.這個問題怎么能搞錯呢.當(dāng)剛處于飽和狀態(tài)是ic=β*ib從這里開始不再成立.

128樓: >>參與討論
楊真人

 
129樓: >>參與討論
lai832
謝謝cf100夸獎,
灌水也要會灌,
不會灌就把田灌壞了,
本來是肥沃的田會灌成沙灘的(種過田的就知是怎會事)
見笑,我這人專找毛病的,叫我說些什么我真的不會說.

130樓: >>參與討論
shpdlizj
哪位朋友用過AD7810
我在用ADI公司的AD7810,調(diào)試時發(fā)現(xiàn)模擬信號電壓技術(shù)達(dá)到參考電壓(我定的是4V),AD輸出只能達(dá)到771,理論上應(yīng)該是1024啊,不知哪位能高指點(diǎn)一下。


                            謝謝

131樓: >>參與討論
prengui
不知為什么這個問題這么多人回帖?
 
132樓: >>參與討論
lai832
簡單的東西,
用起來了,就能變得很復(fù)習(xí).
在學(xué)校時發(fā)現(xiàn)有這樣的現(xiàn)象
有些同學(xué)說得很好,可不會用,是做教師的好材料,
而有些同學(xué)用得很好,卻不知為什么.
又有些同學(xué)說得不是很好,用得也不太好.
而說得很好,用得又很好的卻難找,有時幾屆也沒有一個.

說句心里話,學(xué)了五年三極管,有些特殊接法不知如何解釋.

133樓: >>參與討論
21engineer
雖然是一個簡單問題,可是大家討論的很深入,理解的更透徹了!
雖然是一個簡單問題,可是大家討論的很深入,理解的更透徹了!

134樓: >>參與討論
droneduck
用電流來判斷是否進(jìn)入飽和
在放大狀態(tài)下,Vce如何計算??
Vce應(yīng)該和Ic有關(guān),Ic又由Ib和hFE得來。
Ic增大,hFE又減小,咔咔。。。。那如何保證進(jìn)入深度飽和???

135樓: >>參與討論
lianle
真理不辨不明!
雖然一個簡單的問題,通過幾位老師的辯論,更使我懂得真理不辨不明的道理!

136樓: >>參與討論
戰(zhàn)地記者
搞暈了
誰再來總結(jié)下啊

137樓: >>參與討論
執(zhí)著者

學(xué)習(xí)電子技術(shù)的人好多啊!我要加油了!

138樓: >>參與討論
333
好貼啊 知識就是在爭論中更新和積累的
參與討論
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