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請(qǐng)教各位,關(guān)于ARM降頻影響SDRAM取指的問題. |
| 作者：skyxiang 欄目：ARM技術(shù) |
請(qǐng)教各位兄弟: 在降低ARM的系統(tǒng)頻率的過程中,不知道各位是否遇到過取指令異常的現(xiàn)象. 我估計(jì)原因如下: 由于降低了整個(gè)系統(tǒng)的頻率,因此,SDRAM的刷新頻率也隨之改變了, 因此在這個(gè)時(shí)候,會(huì)產(chǎn)生取指失敗的情況. 比如說原來系統(tǒng)跑100MHZ, 現(xiàn)在降為60MHZ, 但是SDRAM的刷新參數(shù)沒有相應(yīng)做改變,因此刷新頻率降低了.雖然用這樣的刷新頻率在SDRAM上是可以正常工作的,但是就是在變頻的一瞬間,可能會(huì)產(chǎn)生取指失敗的情況. 大概估計(jì)的原因如上,不知道各位兄弟是怎樣處理這個(gè)問題的? 各位兄弟請(qǐng)幫一下忙,看看, 謝謝! |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： wangkj 于 2007/1/4 12:55:00 發(fā)布：
這兩個(gè)可以非同步 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： skyxiang 于 2007/1/5 16:16:00 發(fā)布：
我自己頂一個(gè)方法,希望有更多的朋友幫忙. 多謝wangkj 的提示. 不知道能不能夠再說清楚一點(diǎn). 我不是特別明白. 如果見貼,請(qǐng)繼續(xù)指教. 我自己先頂一個(gè)方法吧,希望能夠有更多的兄弟幫一下忙. 現(xiàn)在我這邊的做法是這樣的: 打開CACHE, 在變頻的前后加入一些空操作的指令,由于CACHE的打開,并且空指令的代碼是一致的,因此,ARM的取指肯定能夠在CACHE里面命中并取指 而不會(huì)在SDRAM里面取,因此,這樣就避免了頻率改變一瞬間取指產(chǎn)生錯(cuò)誤的情況. 希望大家能夠有更好的方法! 能夠教導(dǎo)一下! 感謝! |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 平常人 于 2007/1/5 16:22:00 發(fā)布：
這種問題最好還是看看芯片手冊(cè)，盲目地試驗(yàn)不一定能真正解決問題 如果手冊(cè)中沒有特別解釋，那就應(yīng)該找芯片廠商了，可能是個(gè)BUG！ |
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