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請(qǐng)教關(guān)于MOS管Qg的問(wèn)題? |
| 作者:智尊寶 欄目:模擬技術(shù) |
小弟對(duì)MOS管Qg的概念不是很清楚,不知道哪位高手能詳細(xì)的解釋一下,還有測(cè)試Qg的方法。 在此謝過(guò)! |
| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: 赤鑄 于 2006/12/29 23:02:00 發(fā)布:
MOS 管的原理是用靜電引力控制溝道通斷 柵極與溝道(襯底)間構(gòu)成了電容,所以 MOS 管有輸入電容 Ciss(其實(shí)輸入電容細(xì)分為好幾項(xiàng)) 有了電容,當(dāng)加上輸入控制電壓 V,就會(huì)積累電荷 Qg = Ciss*V 這個(gè)電荷當(dāng)然不是憑空來(lái)的,而是從信號(hào)源來(lái)的,信號(hào)源驅(qū)動(dòng) MOS 管的過(guò)程,其實(shí)也是對(duì)輸入電容“充電”的過(guò)程 測(cè)試方法可以自己去看一些 MOS 管的 datasheets 中的測(cè)試電路 |
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