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模電高手請分析,感謝萬分 |
| 作者：fzj 欄目：電源技術 |
可控硅對大容量電解電容(2000UF~50000UF)進行充電處理,充電范圍為DC50V-DC250V,而且必須穩(wěn)定,由于可控硅是過零關斷型器件為此作為50HZ的交流電壓 10MS的開通周期會造成電容過充,穩(wěn)壓很難控制,所以我想采用移相調壓的控制方式從而使控制電壓得到穩(wěn)定,但實際實驗結果卻出乎意料,以下是部分實驗原理圖和實際在對阻性負載測試出來的某時間段電壓波形,可是對容性負載進行測試卻工作不正常,可控硅誤觸發(fā),有時在整個周期中全導通,請高手幫忙分析,為何可控硅控制容性負載會工作不正常????我個人理解是這樣的:因為瞬間的大電流,由線電阻和銅鉑電阻等構成的R和實際使用的C在交流波形的相位上形成了一定的偏差,致使過零信號產生相位畸變,從而使單片機在相位上誤觸發(fā)! 煩請高手幫我分析,謝謝. |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： fzj 于 2006/12/25 15:26:00 發(fā)布：
對應電路圖如下:
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2006/12/25 17:25:00 發(fā)布：
用交流經(jīng)可控硅控制對大電容充電 這個思路未必合理。樓主算算充電的平均電流多大？充電電流的峰值更大。 為什么不用準確的直流電源對電容充電？如果不是非得在交流的幾分之一個周期里對電容充電，可以用較長時間充電的話，用直流電源充電更好，電源功率也不必那么大。 |
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