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看好了:80C51的I/O該如何利用晶體管驅(qū)動外圍設備 |
| 作者:LPC900 欄目:單片機 |
80C51單片機的P1、P2、P3都是準雙向I/O,P0是開漏I/O。對開漏I/O來說,外接上拉電阻后,特性與準雙向I/O類似。準雙向I/O的特點是,高電平時輸出電流的驅(qū)動能力很弱,僅數(shù)十微安;低電平時吸收電流的驅(qū)動能力較強,可達數(shù)毫安。這一點請參考具體器件的《數(shù)據(jù)手冊》。 在圖①中,采用NPN晶體管驅(qū)動外部設備是錯誤的,I/O無法正常驅(qū)動晶體管,甚至會被拉低成低電平。在圖②和圖③中,換用PNP管驅(qū)動,思路正確,但電路形式都不對,直接后果是流過負載的電流很小,上不去。只有圖④才是正確的接法。
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| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: LPC900 于 2006/12/11 9:39:00 發(fā)布:
圖①和圖④是對稱的 我們看這樣的變換:從圖①出發(fā),VCC和GND對調(diào),NPN管換成PNP管,晶體管的b、e、c極的電流都反向。這樣會得到一個中間形式的電路,旋轉(zhuǎn)后就是圖④了。在圖①中,I/O是輸出高電平有效,而在圖④中,變成了低電平有效。 |
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| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: yang_hy 于 2006/12/11 11:46:00 發(fā)布:
關鍵要看負載的大!小了就可以接 |
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| 4樓: | >>參與討論 |
| 作者: QuickEDS 于 2006/12/11 12:24:00 發(fā)布:
行啊 灌 |
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| 5樓: | >>參與討論 |
| 作者: gezhi 于 2006/12/11 12:27:00 發(fā)布:
我接過圖1,每出什么問題! |
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| 6樓: | >>參與討論 |
| 作者: lyjian 于 2006/12/11 13:17:00 發(fā)布:
這四個圖都能工作 |
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| 7樓: | >>參與討論 |
| 作者: mxinfa 于 2006/12/12 15:35:00 發(fā)布:
不太明白,麻煩樓主解釋一下 1是不正確的我實踐過 2跟3不正確不太明白,幾乎一直是這樣使用的 另外如果換用AVR等口驅(qū)動能力強的單片機是不是1沒問題? 謝謝,麻煩解答 |
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| 8樓: | >>參與討論 |
| 作者: forthlab 于 2006/12/12 16:46:00 發(fā)布:
圖1就是少了上拉而已。 51的IO難道只能用圖4么? 圖2,3只是理論上,三極管輸入有弱懸空,容易受干擾的危險。不過如果干擾能讓負載動作,恐怕CPU也差不多了。 不過還是提倡設計規(guī)范,弱驅(qū)動的還是要加電阻,省幾厘的電阻沒有意義。 |
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| 9樓: | >>參與討論 |
| 作者: conwh 于 2006/12/12 16:54:00 發(fā)布:
實際這只是講了標準配置,實際現(xiàn)在有很多的51核都有很大的驅(qū)動 能力 |
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| 10樓: | >>參與討論 |
| 作者: plj812 于 2006/12/12 17:00:00 發(fā)布:
能不能工作要看具體情況 能不能工作要看具體情況,但最好不要用圖1電路,因為80C51的I/O復位時輸出高電平,三極管會導通.I/O拉低又功耗增加. |
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| 11樓: | >>參與討論 |
| 作者: mxinfa 于 2006/12/12 18:56:00 發(fā)布:
forthlab,弱懸空?詳細講解一下 書上不是說發(fā)射結(jié)導通的時候Ic與Ie幾乎相等的嗎?就是相差一個很小的基極電流而已,那2與3怎么就不行了呢?上面說的2與3“流過負載的電流很小”什么意思? |
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| 12樓: | >>參與討論 |
| 作者: IceAge 于 2006/12/12 22:24:00 發(fā)布:
圖① 可以在 8051 下工作 但在80C51下不一定會工作,就是說,圖①中的輸出電阻必須足夠大才能保證 IO 口的高電平,這意味著相當小的驅(qū)動電流,不明的請仔細看看 datasheet。 圖②和圖③中,確實不是好的做法,盡管可以工作,或是特意如此(比如對不定負載限流)。 “Ic與Ie幾乎相等“這沒錯,但是 Vb = VCC - Ie *(Rload + 100) - 0.7 可能會很小 ---> Ib = (Vb - 0.2) / 2K ---> 可能會很小, 相互作用的結(jié)果使得 PNP 工作在放大區(qū)(取決于PNP特性了, Vec 可以相當大如果 beta值不大的話),可能無法驅(qū)動負載。 圖④可以保證PNP工作在截至區(qū),基本上可以與beta值(放大倍數(shù))無關。 |
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| 13樓: | >>參與討論 |
| 作者: northerns 于 2006/12/13 9:33:00 發(fā)布:
圖1把負載接在E上,在接地好像也沒出什么問題 |
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| 14樓: | >>參與討論 |
| 作者: hq_y 于 2006/12/13 10:51:00 發(fā)布:
圖① 可以在 8051 下工作,但在80C51下不一定會工作 我認為一個是可以加上拉電阻到VCC; 還有其實也要看 1)負載需要多大的電流! 2)這跟三極管的hfe也有關系; |
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| 15樓: | >>參與討論 |
| 作者: wangkj 于 2006/12/13 11:14:00 發(fā)布:
規(guī)避風險,所以應該用4 因為這4個電路功能相同,硬件就是要規(guī)避風險。 軟件錯了改改無所謂,硬件錯了,那是金錢和時間啊。 |
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| 16樓: | >>參與討論 |
| 作者: xwj 于 2006/12/13 12:11:00 發(fā)布:
沒有錯的,只有好與不好的問題 LZ,要是把VCC改成12V呢? |
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| 17樓: | >>參與討論 |
| 作者: wszqw 于 2006/12/13 13:56:00 發(fā)布:
12V的可以用1和4結(jié)合起來~~
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| 18樓: | >>參與討論 |
| 作者: wszqw 于 2006/12/13 14:14:00 發(fā)布:
這個還不太好 http://www.21icbbs.com/club/bbs/list.asp?boardid=26&page=1&t=2366999&tp=%u8FD9%u91CC%u7528NMOS%u8FD8%u662FPMOS%u5408%u9002%uFF1F%u3010%u56FE%u3011 是這個帖子里面的圖【8樓】,也不是最合適的 12V的用這個
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| 19樓: | >>參與討論 |
| 作者: wszqw 于 2006/12/14 17:57:00 發(fā)布:
好帖,建議加精 我也是最近才研究過這個問題 很多新手都不了解 |
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| 20樓: | >>參與討論 |
| 作者: cx3333 于 2006/12/14 18:19:00 發(fā)布:
如果是12V 呵呵 |
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| 21樓: | >>參與討論 |
| 作者: IceAge 于 2006/12/14 21:48:00 發(fā)布:
cx3333 12V不能這么做. IO 為高時, 穩(wěn)壓管并非理想中的完全截至, 穩(wěn)壓管端壓介于 0 - 9 V 之間, IO 會高于 5 V, 漏電流會使PNP處于半導通狀態(tài)。 仔細看看 穩(wěn)壓管 的 VA 特性曲線 |
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| 22樓: | >>參與討論 |
| 作者: fsaok 于 2006/12/14 21:59:00 發(fā)布:
過于嚴謹 看負載如何, 某些負載是圖1 到圖 4 都不能工作, 某些負載是 4 個圖都可以工作, 某些負載是用圖 2 最好, 因為 Rb 和Re都可以省略 |
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| 23樓: | >>參與討論 |
| 作者: 4280089 于 2006/12/18 9:52:00 發(fā)布:
如果負載是繼電器的話,感覺用起圖4的電路不好! 我見過的圖1驅(qū)動繼電器的產(chǎn)品,用得還比較爽的!不知各位有什么意見呢!? |
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| 24樓: | >>參與討論 |
| 作者: 農(nóng)民講習所 于 2006/12/18 10:10:00 發(fā)布:
1、2、3、4都不對。只有18樓的對。 MCU驅(qū)動負載一定要使用OC方式。 原因就是和負載驅(qū)動能力、電壓無關。這是工控行業(yè)習慣(幾乎成為默認標準)。 |
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| 25樓: | >>參與討論 |
| 作者: wdna_2000 于 2006/12/18 14:22:00 發(fā)布:
疑問 電路沒有問題,只是用的人使用方式問題。 |
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| 26樓: | >>參與討論 |
| 作者: dwh000 于 2006/12/19 14:22:00 發(fā)布:
作個標記 有時間了來學習 ! |
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| 27樓: | >>參與討論 |
| 作者: rock815 于 2006/12/19 19:19:00 發(fā)布:
負載是啥?會不會與他有關?? 不清楚 應該都可以呀 |
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| 28樓: | >>參與討論 |
| 作者: hunter01 于 2006/12/20 10:30:00 發(fā)布:
12v只能用圖四,調(diào)一下電阻而已,24v我都用過 但只能用p0口,無上拉 |
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| 29樓: | >>參與討論 |
| 作者: 199041042 于 2006/12/20 14:37:00 發(fā)布:
驅(qū)動 我用三星的S3C9228的I/O驅(qū)動 數(shù)碼管用的類似圖1,但是把負載接到發(fā)射極,還停好用 |
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