|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計 | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
計算飽和深度?? |
| 作者：longwuyi 欄目：模擬技術(shù) |
請各為大佬看看
|
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： wofansile 于 2006/12/7 6:58:00 發(fā)布：
三極管導(dǎo)通時的實際IB是1.02mA 三極管飽和導(dǎo)通時，基極與發(fā)射極之間電壓為0.7V，R1上的電流除去R2上的電流后就是實際的IB值 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： awey 于 2006/12/7 8:49:00 發(fā)布：
三極管Ib＝0.4mA 就飽和了，而實際Ib是這個值的2.55倍 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： tgif_1981 于 2006/12/7 9:23:00 發(fā)布：
貌似非門電路 通過戴維寧定理可以算出等效電阻Rb為1.385K，等效電源為2V 這樣一來Ib=(2－0.6)/1.385K=1.02mA 通過Ic/hEF算出飽和導(dǎo)通時Ib的最小值也就是IBS，只要實際Ib大于IBS管子就飽和導(dǎo)通。 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/12/7 9:51:00 發(fā)布：
不必精確計算飽和深度 0.96mA與1.03mA之差在于Ube的取值不同：前者取0.7V，后者取了0.6V。 |
|
|
|
| 免費(fèi)注冊為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號 |