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共射極電路消除彌勒效應(yīng)的原理是怎樣的? |
| 作者:306970351 欄目:模擬技術(shù) |
在共射極電路中,為了消除彌勒效應(yīng),往往在基極與集電極之間接一電容 不知到具體原理是什么?望各位DX指教 |
| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: 3極管 于 2006/11/1 12:50:00 發(fā)布:
偶以為: 高頻的時候加入的這個電容的阻抗增大 相當于在輸入輸出加了電壓并聯(lián)負反饋~~~ |
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| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/1 13:06:00 發(fā)布:
可是正是由于在高頻,彌勒效應(yīng)才顯現(xiàn)出來。 而產(chǎn)生彌勒效應(yīng)的原因不就是在基極與集電極之間有寄生電容嗎? 這樣在基極與集電極之間接一個電容,就恰好與寄生電容并聯(lián)了。 那這可否等效看成是寄生電容增大呢?如果是,那彌勒效應(yīng)不就更明顯了? |
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| 4樓: | >>參與討論 |
| 作者: 3極管 于 2006/11/1 13:27:00 發(fā)布:
是阻抗變小,反饋的電流增大 加了電容后bc間的電容變大了 同樣的頻率的時候阻抗變小了.反饋回來的電流變大了.從而改善高頻特性. |
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| 5樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/1 14:05:00 發(fā)布:
這樣好象也可以講得過來 但還有疑問:那這樣不就相當于寄生電容越大,高頻特性越好。 可三極管的高頻放大受到限制不正是因為寄生電容的存在嗎? 難道是寄生電容不夠大才受到限制?我可以這樣理解嗎? 如果是,總感覺有點怪。 模電真是深不可測。 |
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| 6樓: | >>參與討論 |
| 作者: mgyml 于 2006/11/1 14:58:00 發(fā)布:
共射基電路沒有彌勒效應(yīng)? 共射級電路在交流時,相當于基級接地,因此基極電位Vb保持不變,有因為Vbe基本上是一個固定的值,因此,發(fā)射極電位Ve=Vb-Vbe保持不變,從交流輸入端看,由于Ve的電位不變,可以把它看成一個交流地。因此,在輸入端,交流輸入時寄生電容Ccb相當于沒有發(fā)生作用,也就不存在彌勒效應(yīng)了。 共射級電路的頻率特性基本上就是三極管的頻率特性了,這種電路的缺點就是輸入阻抗低,一般只用于高頻電路。 |
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| 7樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/1 15:38:00 發(fā)布:
TO mgyml 不是哦。你說的是共基極電路吧 |
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| 8樓: | >>參與討論 |
| 作者: 尤新亮 于 2006/11/1 18:06:00 發(fā)布:
樓上不對了 B-C加電容相反會增加米勒效應(yīng)。 |
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| 9樓: | >>參與討論 |
| 作者: mgyml 于 2006/11/1 23:04:00 發(fā)布:
哦,沒看仔細,呵呵 共射級b、c間加電容怎么可能減小彌勒效應(yīng)呢? 彌勒效應(yīng)主要影響就是是由于b、c間的電容在輸入端和限流電阻形成了低通濾波器,影響了它的高頻性能。 b、c間加電容,只會使電路的高頻性能更差。 加這個電容估計是想讓電路不要工作在高頻范圍吧? * - 本貼最后修改時間:2006-11-1 23:06:29 修改者:mgyml |
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| 10樓: | >>參與討論 |
| 作者: 3極管 于 2006/11/1 23:38:00 發(fā)布:
主要是防止高頻自激振蕩~~~ |
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| 11樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/2 8:35:00 發(fā)布:
謝謝。明白。如果要改善高頻特性就只能另選電路了。 |
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| 12樓: | >>參與討論 |
| 作者: demon_01 于 2006/11/2 13:03:00 發(fā)布:
什么是米勒效應(yīng)? |
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| 13樓: | >>參與討論 |
| 作者: mgyml 于 2006/11/2 19:16:00 發(fā)布:
可以考慮渥爾曼電路 輸入阻抗高且高頻特性好。 |
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| 14樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/3 8:39:00 發(fā)布:
謝謝。 如果用共射電路,有沒有辦法減小彌勒效應(yīng)?(不是換高頻器件) 彌勒效應(yīng)就是在高頻時,B-C間的寄生電容會和三極管的基極電阻組成低通濾波器 而由于C極輸出電壓是基極的-A(放大倍數(shù))倍,這樣B-C間寄生電容兩端的電壓差將為輸入的|A+1|倍,相當于把寄生電容放大了。 說得有不妥的地方請各位DX幫忙指出。 |
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| 15樓: | >>參與討論 |
| 作者: 尤新亮 于 2006/11/3 12:39:00 發(fā)布:
采用低負載阻抗 以期減小米勒效應(yīng)對特性影響。 |
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| 16樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/3 14:07:00 發(fā)布:
謝謝尤老師。 能具體說說為什么不?是為了減小放大倍數(shù)? 如果后面再接一級放大器,就得要求輸入阻抗低了? |
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| 17樓: | >>參與討論 |
| 作者: 尤新亮 于 2006/11/3 18:32:00 發(fā)布:
因為不知干么用,不能冒昧具體指導 原理:設(shè)管子輸出電容為Co,負載阻抗為Rl,則其高端截至頻率fh≈1/2πRlCo. 即,當?shù)刃щ娙菀欢〞r,減小阻抗可提高頻率范圍。 |
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| 18樓: | >>參與討論 |
| 作者: 306970351 于 2006/11/6 9:39:00 發(fā)布:
謝謝。 |
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| 19樓: | >>參與討論 |
| 作者: demon_01 于 2006/11/17 14:10:00 發(fā)布:
如果我把管子換成低B-C結(jié)電容呢? 在一定的頻率下,是不是就可以不用加這個反饋電容了?如果不行,怎么樣才可以不用加這個反饋電容? |
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