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開關(guān)電源工程師請進(jìn)!看看這個(gè)電路有何作用?? |
| 作者：hezhenyu 欄目：電源技術(shù) |
附圖是常見開關(guān)電源的初級(jí)電線圈上并的一個(gè)放電回路 。我想問的是C5，R2，D4這幾個(gè)元件具體的作用是什么？其中電阻大小對MOS管，或者主回路的IC(集成了MOS管)有什么影響？我發(fā)現(xiàn)R2開路就必?zé)竺娴腎C！且這個(gè)電阻值各個(gè)廠家也不一樣!有的是56K,68K,75K,82K,100K,150K!我現(xiàn)在用的是100K! 望復(fù)！謝謝！
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| 作者： wuyishan 于 2006/9/15 14:53:00 發(fā)布：
放電回路 r2失效以后整個(gè)吸收回路失去了放電回路，吸收回路完全失效，mos管會(huì)被高的電壓尖峰擊穿損壞。 |
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| 作者： dxm1981 于 2006/9/16 14:56:00 發(fā)布：
snubber 每本電源書上都有介紹的 |
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| 作者： hxjklf 于 2006/9/16 19:53:00 發(fā)布：
不妨用示波器看看 我想你用100K，那你的電源功率應(yīng)該不大，應(yīng)該小于10W。電阻和電容的值可以根據(jù)輸出功率及頻率適當(dāng)?shù)娜≈担β瘦敵龃蟮臅r(shí)候變壓器初級(jí)繞線少，尖峰高，就需要更小的電阻更大的電容了。小了肯定在這上面的耗散功率就大，但尖峰吸收肯定好些�？梢栽跐M載及空載情況下拿示波器觀看功率管基極及集電集的波形，取個(gè)最接近驅(qū)動(dòng)功率管的波形時(shí)的阻容值就行了 |
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| 作者： jinggx 于 2006/9/17 14:50:00 發(fā)布：
尖鋒吸收用的。 |
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| 作者： qjy_dali 于 2006/9/18 0:37:00 發(fā)布：
這個(gè)用得太普通了，但相當(dāng)重要 |
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| 作者： czy1983 于 2006/9/18 19:33:00 發(fā)布：
新手 我這４０Ｗ，但是用了兩個(gè)１２０Ｋ的啊 |
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| 作者： wofansile 于 2006/9/18 22:00:00 發(fā)布：
經(jīng)典的MOS管吸收電路 吸收電壓尖峰，電阻是給C提供放電回路的。三者缺一不可。 |
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| 作者： hezhenyu 于 2006/9/20 16:10:00 發(fā)布：
輸出為7.5V/1.5A 謝謝各位的回答!輸出為7.5V/1.5A 不知這R,C的取值有沒有經(jīng)驗(yàn)值!?我們第一次做電源的 |
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| 作者： mstar 于 2006/9/22 10:24:00 發(fā)布：
隨便說說 如果次級(jí)的快速二極管是理想的，那么C5 R2 D4真的就是多余的了。 由于快速二極管依然有個(gè)導(dǎo)通時(shí)間，在Q1關(guān)斷的瞬間，二極管還沒有來得及導(dǎo)通這個(gè)時(shí)間內(nèi)，沒有續(xù)流電路的存在，將在Q1的S端產(chǎn)生一個(gè)高電壓，會(huì)擊穿Q1。C5 R2 D4的作用就是給線圈中積蓄的能量一個(gè)緩沖出路，不至于產(chǎn)生過高的電壓擊穿Q1，這個(gè)緩沖放在次級(jí)線圈電路中同樣有效。 至于器件參數(shù)的計(jì)算，除了考慮原線圈在Q1導(dǎo)通時(shí)的電流（能量）外，也要考慮采用的次級(jí)快速二級(jí)別管的本身的性能 這里的D4也有個(gè)導(dǎo)通時(shí)間的問題，如果q1的寄生電容太小，Q1導(dǎo)通時(shí)的電路過大，在Q1關(guān)斷的時(shí)候，S端的電壓上升過快，超過D4的導(dǎo)通時(shí)間，或者自己沒有把握（在試驗(yàn)階段），建議在Q1旁路增加一個(gè)緩沖電路 如果討厭計(jì)算電路元件的參數(shù)，那么用足夠快的示波器觀測波形，逐步調(diào)整元件參數(shù) 如果這樣還擔(dān)心Q1會(huì)損壞，呵呵，那就選擊穿電壓高的器件吧 |
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| 作者： 549747249 于 2006/9/22 22:12:00 發(fā)布：
猜想 C5 R2 D4至關(guān)重要,C5吸收在Q1關(guān)斷的時(shí)候初極產(chǎn)生尖鋒脈沖電壓.R2則在Q1導(dǎo)通時(shí)放掉C5的電能.R,C的取值以電源的工作頻率和功率選定. |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： hqeepower 于 2006/9/23 12:29:00 發(fā)布：
吸收電路 對EMI,效率，mos管耐壓等都有影響，參數(shù)與電源的功率和頻率有關(guān) * - 本貼最后修改時(shí)間：2006-9-23 12:31:21 修改者：hqeepower |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： zsj129 于 2006/9/24 0:51:00 發(fā)布：
太重要了喲 C5 R2 D4太重要了，伙計(jì)，C5吸收在Q1關(guān)斷的時(shí)候初極產(chǎn)生尖鋒脈沖電壓.R2則在Q1導(dǎo)通時(shí)放掉C5的電能 .R,C的取值以電源的工作頻率和功率選定.也可以跟據(jù)你的經(jīng)驗(yàn)來定 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： myskylan 于 2006/9/24 21:20:00 發(fā)布：
電路的真實(shí)作用 告訴你以上電路的真實(shí)作用. 從圖中,可看出這是個(gè)單端反激開關(guān)電源電路.其變壓器工作于第一象限,即單象限工作.在Q1導(dǎo)通時(shí),TF3的儲(chǔ)能.當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí),TF3釋放能量． 在Ｑ１關(guān)斷的瞬間，Ｑ１上的電壓為電源電壓＋次級(jí)反射電壓（通過變壓器耦合）＋漏感關(guān)斷電壓．對于電源電壓及次級(jí)反射電壓，這是確定的值，而由于漏感形成的關(guān)斷電壓是沒有辦法去掉的（因?yàn)橹疤岬降淖儔浩鞴ぷ饔趩蜗笙�，在磁芯中必須開氣隙，電路先天性存在大的漏感），只能采用抑制的辦法，Ｄ４，Ｃ５，Ｒ２便是這抑制電路，它只在Ｑ１關(guān)斷時(shí)作． 那么，Ｃ５，Ｒ２取值多少合適呢？這與Ｑ１的漏極擊穿電壓值有關(guān)，耐壓值低，那么Ｃ５大點(diǎn)，Ｒ２小點(diǎn)，反之，Ｃ５變小點(diǎn)，Ｒ２變大點(diǎn)．對于樓主所說的Ｒ２取掉，Ｑ１會(huì)燒，我估計(jì)其耐壓值應(yīng)該為６００Ｖ．建議選漏極擊穿電壓為６５０Ｖ或７００Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ．Ｃ５為１０３／１ＫＶ，Ｒ２為６８Ｋ／２Ｗ． |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhzhfa 于 2006/11/6 1:17:00 發(fā)布：
一句話 就是起阻尼振蕩的，防止電源電壓和初級(jí)的eL加在一起形成高電壓燒壞其他的元件， |
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