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請教：mos管中的內(nèi)置二極管 |
| 作者：swordafei 欄目：模擬技術(shù) |
以前的mos管中沒有內(nèi)置二極管，d極和s極可以互換，隨著工藝的進(jìn)步現(xiàn)在的mos管中有內(nèi)置二極管，請大俠指點內(nèi)置二極管在mos內(nèi)是怎么放置的，為什么有內(nèi)置二極管后d極和s極不能互換了，還有mos的性能有什么變化？ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： china2w 于 2006/9/28 10:44:00 發(fā)布：
以前的貼子里面有的，你用 MOS 在主題里面搜一下 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 樓上的 于 2006/9/28 10:51:00 發(fā)布：
* 這個二極管是工藝所造成的，不可避免，不是故意放個二極管在那里。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： swordafei 于 2006/9/28 13:59:00 發(fā)布：
樓上的 放了二極管和沒放在性能上有沒有什么不同？ |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： zjp8683463 于 2006/10/8 9:41:00 發(fā)布：
是不是起到嵌位VDS作用 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： 佳人難再得 于 2006/10/8 13:01:00 發(fā)布：
是防止反向擊穿的 為防止MOSFET接電感負(fù)載時，在截止瞬間產(chǎn)生感應(yīng)電壓與電源電壓之和擊穿MOSFET，一般功率MOSFET在漏極與源極之間內(nèi)接一個快速恢復(fù)二極管,如圖所示
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： demon_01 于 2006/10/8 17:20:00 發(fā)布：
同意“佳人難再得” |
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