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請問SmartARM2200中的部分元件可不可以在周立功銷售部買到呢？ |
| 作者：lcs00 欄目：ARM技術(shù) |
請問SmartARM2200中的液晶模塊TFT6758周立功的銷售部有沒有得賣呢？ 還有那個(gè)PSRAM MT45W4MW16有沒有得賣呢，VFBGA封裝要用什么特殊工具焊上去么？可不可以用其它SDRAM代替呢？ 對NandFlash K9f28xx0C操作使用了PLD ATF16LV8，nWE和nOE為什么不能直接接在K9F的讀寫信號線呢？這個(gè)芯片有沒有其它的代替方案？ 謝謝！ * - 本貼最后修改時(shí)間：2006-9-21 13:04:49 修改者：lcs00 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： db10 于 2006/9/23 1:19:00 發(fā)布：
呵呵 你說的還有那個(gè)PSRAM MT45W4MW16有沒有得賣呢，VFBGA封裝要用什么特殊工具焊上去么？可不可以用其它SDRAM代替呢？ 肯定不行，LPC2200系列更本不支持SDRAM。 對NandFlash K9f28xx0C操作使用了PLD ATF16LV8，nWE和nOE為什么不能直接接在K9F的讀寫信號線呢？這個(gè)芯片有沒有其它的代替方案？ 如果你的設(shè)備上外圍不多，可以直接連，他們用PLD ATF16LV8這樣做，是為了多連設(shè)備，將0x83000000地址段再細(xì)分了而已。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： lcs00 于 2006/9/23 9:04:00 發(fā)布：
呵呵，謝謝 您說的這個(gè)意思我明白，它為了實(shí)現(xiàn)在一個(gè)地址段實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的片選，開發(fā)者的這個(gè)意圖很明顯；但是，如果僅僅這樣，為什么用高速的4選16代替呢。 CPU的nWE和nOE為什么不能直接跟NandFlash的讀寫信號線只是簡單相連呢，資料解釋K9f28有特殊的時(shí)序要求。 |
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