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求助,mosfet的開關(guān)速度. |
| 作者：oppop 欄目：電源技術(shù) |
最近在做有關(guān)MOSFET開關(guān)的東西,MOSFET的手冊(cè)上面說了它的上升下降時(shí)間都在納秒級(jí)別.但是我用一個(gè)方波驅(qū)動(dòng)它的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)柵極總是會(huì)影響方波.本來方波的上升和下降時(shí)間都在5納秒,一接到柵極,上升下降時(shí)間就會(huì)變成2微秒左右.請(qǐng)問如何減小上升和下降時(shí)間,謝謝. |
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| 作者： 赤鑄 于 2006/9/5 16:10:00 發(fā)布：
柵極電容影響 大功率 MOSFET 輸入電容能達(dá)到 nF 量級(jí)，需要“強(qiáng)力”的驅(qū)動(dòng)電路 有專用驅(qū)動(dòng)芯片，還可以用三極管搭 |
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| 作者： maychang 于 2006/9/5 16:34:00 發(fā)布：
功率MOSFET的G-D之間電容影響更大 注意datasheet中輸入電壓與電荷關(guān)系曲線。 驅(qū)動(dòng)能力必須很強(qiáng)才能使上升下降時(shí)間在微秒以下。 |
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| 作者： 尤新亮 于 2006/9/5 16:51:00 發(fā)布：
準(zhǔn)確地講應(yīng)是共源輸入電容：Ciss 要求驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻Rs足夠小就能達(dá)到要求。 有用的時(shí)間常數(shù)τ＝Rs*Ciss。 |
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| 作者： oppop 于 2006/9/6 8:54:00 發(fā)布：
多謝各位指點(diǎn). 原來我是用一個(gè)7404驅(qū)動(dòng)的,由于我對(duì)MOSFET不是很了解,所以走了彎路. 原來的上升下降時(shí)間是10納秒,現(xiàn)在是2微秒,MOSFET輸入電容為1800PF,那么7404的輸出電阻就在大概在1K左右,我這樣推導(dǎo)應(yīng)該是對(duì)的把. 也就是說需要一個(gè)輸出電阻在10歐姆以下的驅(qū)動(dòng)電路才能達(dá)到上升下降時(shí)間在20納秒以下啦??? 我是用MOSFET 做PWM的,如果上升下降時(shí)間過大的話,MOSFET對(duì)管就會(huì)在頻率較高的時(shí)候發(fā)熱很大. |
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| 作者： 尤新亮 于 2006/9/6 9:51:00 發(fā)布：
真的需要那么快？ 你的推導(dǎo)大意是對(duì)的，但τ≠t． |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： judge 于 2006/9/6 12:25:00 發(fā)布：
MOS講究的地方多了， 還有好多要注意的。別小看了。 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： xplore 于 2006/9/6 14:51:00 發(fā)布：
小驅(qū)動(dòng)能力的開關(guān)有很高速的 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： danny_chow 于 2006/9/7 10:28:00 發(fā)布：
取t=4*τ 尤新亮說得對(duì),取t=4*τ |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： oppop 于 2006/9/7 22:07:00 發(fā)布：
有什么好的值得推薦的驅(qū)動(dòng)芯片嗎？？？ 有什么好的值得推薦的驅(qū)動(dòng)芯片嗎？？？ |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2006/9/7 22:26:00 發(fā)布：
有什么好的值得推薦的驅(qū)動(dòng)芯片嗎？？？ 到www.irf.com看看 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： mgyml 于 2006/9/7 23:58:00 發(fā)布：
注意門及電阻Rg不能太大，電阻越大，開通速度越慢! |
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