|
|||||||||||
| 技術交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術 | 電源技術 | 測控之家 | EMC技術 | ARM技術 | EDA技術 | PCB技術 | 嵌入式系統(tǒng) 驅動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術 | 新手園地 | 單 片 機 | DSP技術 | MCU技術 | IC 設計 | IC 產業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
關于晶體管飽和電流問題. |
| 作者：jwwhy 欄目：電源技術 |
各位大佬； 小弟想問想；要一個三極管飽和，是不是給它加一個規(guī)格書上提供的飽和電流. 例；9013 飽和時要求IB；50MA IC；500MA ； 現(xiàn)在要這個三極管飽和，我只要基極給它50MN電流就可以了嗎 小弟不太明白，希望各位路過朋友告知‘不甚感激 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/8/30 21:16:00 發(fā)布：
飽和 給定Ib＝50MA，再使Rc＝Vcc/Ic,就是飽和狀態(tài)了。 例如電源12V，則Rc＝12/0.5＝24歐姆。 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： jwwhy 于 2006/8/30 21:29:00 發(fā)布：
謝謝了看來以后要多多請教 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： jwwhy 于 2006/8/31 11:34:00 發(fā)布：
繼續(xù)請教 假設我現(xiàn)在驅動電流為1MA，我要三極管飽和，是不是需要放大倍數(shù)大于 500，然后500MA=VCC-IC*Rc，Rc為飽和是的設置電阻呀 設飽和IC電流為500MA |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/8/31 14:36:00 發(fā)布：
Ib＝1mA 要想達到飽和啊 原理確實需要Hfe最小500——◎Ic＝500MA.html">500MA;Vce=0.5V. 如果是按手冊數(shù)據(jù)的話，Hfe應取2000左右——可以是Hfe1*Hfe2。 “500MA=VCC-IC*Rc”——這個式子看不懂。 |
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： jwwhy 于 2006/8/31 19:30:00 發(fā)布：
繼續(xù)請教 也就是說我設置的放大倍數(shù)可以達到飽和條件了.IC=500MA，后面的是設置Rc 電阻的 對不對呀 、 關于你說要放大倍數(shù)要2000左右. 為什么要那么大呀 |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/8/31 20:32:00 發(fā)布：
平常2000，飽和500 別人只是點撥（還可能不對），還要靠自己看書學習。 |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： jwwhy 于 2006/9/1 10:41:00 發(fā)布：
可以飽和呀 也就是說，1MA也可以使三極管飽和，只是要選擇較大的放大倍數(shù)就可以了 |
|
| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： jwwhy 于 2006/9/2 14:43:00 發(fā)布：
怎么了 呀 我想知道這樣想是不是正確呀 |
|
| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/9/2 16:05:00 發(fā)布：
三極管飽和狀態(tài) 飽和的電路狀態(tài)：Ic/Ib＜Hfe1 特定電路的參數(shù): Rb/Rc＜Hfe1 飽和狀態(tài)的本質: Vcb→0 飽和的物理機制: 集電結電壓已接近或達到正向偏置,不能收集更多的載流子了. 需要注意的是,在接近飽和狀態(tài)時,Hfe只有標準狀態(tài)的1/5或1/10,甚至更低. 所以以上各式中的Hfe1是指"飽和狀態(tài)條件下的放大倍數(shù)". 可以這么說,只要Rc足夠大,不管多少電流都能達到飽和. |
|
| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： jwwhy 于 2006/9/2 17:35:00 發(fā)布：
謝謝了 謝謝戈新亮呀 看來以后還要多多請教呀 希望你們不要感覺小弟麻煩呀 我是真的對這些東西理解不了呀 |
|
|
|
| 免費注冊為維庫電子開發(fā)網會員，參與電子工程師社區(qū)討論，點此進入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號 |