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RC內(nèi)部振蕩電路設(shè)計(jì)問題 |
| 作者：entertest 欄目：IC設(shè)計(jì) |
要設(shè)計(jì)一個(gè)芯片內(nèi)部的RC振蕩電路（不帶晶體），頻率為32768，精度為—+2%,請問設(shè)計(jì)過該電路的給點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)，或者提供點(diǎn)相關(guān)資料看看。謝謝 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： huahl 于 2006/3/27 17:03:00 發(fā)布：
電阻電容內(nèi)置嗎 rc的內(nèi)置，外置相差很大的，內(nèi)置的還要看工藝的 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： flushrat 于 2006/3/27 19:03:00 發(fā)布：
主題：RC內(nèi)部振蕩電路設(shè)計(jì)問題 用ring-oscillator，然后分頻 2%比較難 據(jù)我所知4%左右差不多，2%沒試過 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/27 20:26:00 發(fā)布：
謝謝上面兩位 to flushart 如果只是用ring-oscillator,32768HZ需要用很多級非門,擔(dān)心版圖面積過大,同時(shí)非門的傳輸延遲和溫度的關(guān)系太大了. 有沒有其他頻率補(bǔ)償技術(shù)可以利用的(CMOS工藝). to huahl 我用的是內(nèi)置rc，考慮到面積，不可能取太大的r和c，同時(shí)又要考慮到功耗，感覺有點(diǎn)難。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/27 20:45:00 發(fā)布：
有兩個(gè)方向，大家比較一下 想了兩個(gè)方向，如圖（1）和（2），（1）中的R2可以用來降低電源對頻率的影響。想問問大家這兩個(gè)圖各有什么優(yōu)缺點(diǎn)，還可不可采用其他更好的結(jié)構(gòu)。
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/28 11:19:00 發(fā)布：
自己頂 沒有人頂,就自己頂一下 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhang_2000 于 2006/3/28 21:47:00 發(fā)布：
對于第一種 書上有說明 RS=10*R 時(shí),頻率約為 F=1/2.2RC , 做到片子內(nèi)部,可就要求很嚴(yán)格,達(dá)到2%的精度 我看夠戧啊! 你自己在分析,仿真一下吧. |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： huahl 于 2006/3/28 22:40:00 發(fā)布：
一起學(xué)習(xí) 我一直都是用圖1的，圖二沒試過，不過圖2里電阻在那里，是不是RC振蕩？ 還請高人解釋。同學(xué)習(xí)！ |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： 王子風(fēng) 于 2006/3/29 14:29:00 發(fā)布：
環(huán)型振蕩 圖二個(gè)人覺得應(yīng)該是環(huán)型振蕩，奇數(shù)個(gè)非門，利用非門的延遲產(chǎn)生振蕩，我有做個(gè)這樣的振蕩，不過沒有那些電容。 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： 王子風(fēng) 于 2006/3/29 14:34:00 發(fā)布：
精度問題 另外2%的精度很難做到，每次流片工藝都會(huì)漂的 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： niezimei 于 2006/3/29 15:34:00 發(fā)布：
多諧振蕩器 用遲滯比較器和電容的充放電組成，10%的誤差還差不多。 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/29 20:17:00 發(fā)布：
再給點(diǎn)參數(shù)性能 供電電壓范圍是2-5v，功耗要低于1uA。在整個(gè)電壓范圍精度可以適當(dāng)放寬到+—5%，我用第一種電路可以達(dá)到精度要求，但是功耗就遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過1uA了，調(diào)了這么久，感覺沒招了，請大蝦們支招。 |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/29 20:21:00 發(fā)布：
jixu 我用比較器結(jié)構(gòu)的電路也仿了一下，功耗可以滿足要求，但是精度又下去了，只能到+—10%。 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： boris 于 2006/3/29 20:50:00 發(fā)布：
±5%的精度好像不太可能 除非做校準(zhǔn)，一般CMOS工藝中電阻值和電容值都有±10%以上的偏差（具體數(shù)據(jù)以所用工藝的PCM參數(shù)為準(zhǔn)）。RC振蕩器的頻率與電阻值和電容值都強(qiáng)相關(guān)，很難滿足±5%的要求。 當(dāng)然，如果不考慮犧牲良率的代價(jià)，電阻值和電容值的偏差會(huì)小一些。 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/30 10:14:00 發(fā)布：
聽說TI做出來了 可惜不知道他們是怎么做出來的 |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/30 10:42:00 發(fā)布：
咨詢 有沒有關(guān)于這方面的網(wǎng)站或bbs？ |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhang_2000 于 2006/3/30 23:06:00 發(fā)布：
聽說大的公司 在中測的時(shí)候, 聽說國外大的公司 在中測的時(shí)候,可以用注入的方法來修正電容 一邊測試一邊修正 TI做出來，可能是這種方法 |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： bbady 于 2006/3/31 11:25:00 發(fā)布：
沒戲�。。。�！ |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/3/31 14:29:00 發(fā)布：
謝謝 謝謝上面各位提出的建議。我和老板商量了一下，現(xiàn)在除了功耗必須少于1uA，其他的性能參數(shù)可以適當(dāng)放寬，比如精度。還有就是精度的測量是在整個(gè)電壓范圍和溫度范圍。 我現(xiàn)在的想法是用CMOS亞閾特性來做一個(gè)帶隙，這樣就可以控制溫度范圍和電壓范圍的精度，同時(shí)又保證合理的功耗，不知道可不可行。 繼續(xù)等待大家的幫助中.......... |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： lylnk 于 2006/3/31 16:18:00 發(fā)布：
很困難 如果使用LOGIC工藝，電阻變化+/-20%，電容大概+/-10%。 光是電阻變化就可以使頻率變化達(dá)到+/-20%。 加修調(diào)可能加很大面積，大概幾個(gè)PAD的面積。 |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： 王子風(fēng) 于 2006/3/31 16:34:00 發(fā)布：
比較器結(jié)構(gòu) 不知道樓主說的比較器結(jié)構(gòu)是什么樣的，能不能貼個(gè)圖給小弟學(xué)習(xí)一下？ |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： cloudjob99 于 2006/4/1 22:34:00 發(fā)布：
幾乎是不可能的 因?yàn)閞c的精度在普通的CMOS工藝中有大于20%的誤差。 還沒有看到那家公司有什么好辦法。 |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/4/3 8:35:00 發(fā)布：
謝謝lylnk 如果絕對頻率允許浮動(dòng)，相對頻率維持正負(fù)10%，不知道這個(gè)性能容不容易達(dá)到？還有就是多晶硅電容大小和電壓的大小關(guān)系應(yīng)該沒有你說的這么大吧 |
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| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： extraord 于 2006/4/4 13:43:00 發(fā)布：
Cap +/-4% 可以接外接電阻，做一個(gè)橫流源，否則4%都做不到，20%差不多可能 |
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| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/4/4 14:35:00 發(fā)布：
to 王子風(fēng) 比較器的結(jié)構(gòu)和用555構(gòu)成的振蕩電路原理相同，就是對電容充電，充到比較器的一個(gè)閾值電壓，比較器輸出結(jié)果翻轉(zhuǎn)。電容放電，放到另外一個(gè)閾值電壓，比較器輸出結(jié)果再翻轉(zhuǎn)。如此循環(huán)而已。 |
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| 26樓： | >>參與討論 |
| 作者： look&think 于 2006/4/4 15:04:00 發(fā)布：
這個(gè)，基本上，比較難 我作過這樣的電路，能作到+/-10%以內(nèi)就很不容易了，還要低功耗，實(shí)在太難，除非允許初測時(shí)修正電阻等。 |
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| 27樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2006/4/4 17:45:00 發(fā)布：
hehe 老板說可以修調(diào)電阻 |
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| 28樓： | >>參與討論 |
| 作者： hover99 于 2006/4/8 23:20:00 發(fā)布：
我們公司有的 目前我們設(shè)計(jì)的產(chǎn)品都是基于RC-oscillator的，公司的一個(gè)專利，誤差可以控制在6%以內(nèi)。不過功耗面積都滿大的。 |
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| 29樓： | >>參與討論 |
| 作者： microe 于 2006/4/9 6:58:00 發(fā)布：
SILICON oscillator 有一種產(chǎn)品叫SILICON oscillator, MAXIM, LINEAR 都有產(chǎn)品， 剖開片子看看，也許有幫助 |
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| 30樓： | >>參與討論 |
| 作者： larkzer 于 2006/4/14 19:24:00 發(fā)布：
算是低頻的振蕩器 低頻的 用反相器－比較困難吧 可以找一些這方面的論文看，也許有啟發(fā)。 可以采用比較器延時(shí)和RC延時(shí)結(jié)合 控制頻率 試試 T＝2.2(Tcom+Trc)，從而減小RC精度對頻率的影響 |
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| 31樓： | >>參與討論 |
| 作者： jackichen 于 2006/4/15 14:50:00 發(fā)布：
我曾經(jīng)做出來過這種振蕩器 我當(dāng)年在MAXIM工作時(shí)做出來了一個(gè)高精度CMOS振蕩器系列產(chǎn)品。經(jīng)激光修調(diào)后可達(dá)到＋/-0.5％的精度（-40~125oC有50ppm)。我采用了馳張式和環(huán)形結(jié)構(gòu)兩種。有興趣的可查一下近兩年的美國專利。根據(jù)回國后工作的經(jīng)驗(yàn)，在只有燒鋁修正的條件下，達(dá)到+/-1.5%的精度還是可以的。國內(nèi)現(xiàn)有的CMOS工藝中，如果不進(jìn)行溫度曲率的糾正，達(dá)到100PPM(-40~125oC)zai |
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| 32樓： | >>參與討論 |
| 作者： bearpp 于 2006/8/14 15:14:00 發(fā)布：
夠嗆 不修的話，10%以內(nèi)就算不錯(cuò)了吧，除非有什么特殊的架構(gòu)或者工藝處理。 我覺得RC oscillator這塊可以開個(gè)專題討論討論阿 |
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