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s3c44b0 的指令周期 |
| 作者:babyfans 欄目:ARM技術(shù) |
我用的是S3C44B0(ARM7) ,fpllo =64M 請(qǐng)問S3C44B0 的指令周期是多少,執(zhí)行一條指令需要多長(zhǎng)時(shí)間。我在對(duì)FLASH寫的時(shí)候,我做的延時(shí)和FLASH的datasheet 要求的不一致,以前沒關(guān)心過這塊ARM的指令周期是多少。還請(qǐng)知道的告訴我一下,怎樣計(jì)算這塊ARM的指令周期。 |
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| 作者: study123a 于 2006/8/9 11:54:00 發(fā)布:
同問S3C44B0 的指令周期? 同問S3C44B0 的指令周期? |
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| 作者: twentyone 于 2006/8/9 15:27:00 發(fā)布:
re 不同指令的周期不一樣,可以參考ARM7TDMI TECHNIQUE REFERENCE MANUAL. 樓主如果在做FLASH燒寫的話,可以通過查詢的方式來確定FLASH操作是否完成。 |
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| 作者: babyfans 于 2006/8/9 15:51:00 發(fā)布:
做過試驗(yàn)了。 FLASH 當(dāng)寫得時(shí)候可以通過檢查DB6是否翻轉(zhuǎn)來判斷寫操作是否完成。但是我按這種方法連續(xù)寫了3個(gè)半字,發(fā)現(xiàn)兩邊兩個(gè)半字都可以寫入,但是中間這個(gè)半字就寫入不成。也不知怎么回事。所以delay(80);后反而可以全部寫入。所以我想知道指令周期是多少。 單片機(jī)不是有2周期3周期指令嗎,一個(gè)指令周期也有確定值得。 那ARM6是多少呀。不會(huì)因?yàn)槭侵噶盍魉,而是64M分之一吧? 那就是64分之1us 了:) |
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| 作者: rockos 于 2006/8/9 16:04:00 發(fā)布:
關(guān)于指令周期 ARM屬于RISC, 每條指令是定長(zhǎng)的. 但這并不意味著ARM的指令周期都是確定的,和x86一樣,ARM的指令周期會(huì)隨指令碼,指令中所帶的操作數(shù)和目標(biāo)操作地址是否對(duì)齊而變。詳細(xì)信息可以參見ARM Reference Manual. 以單片機(jī)的固定指令周期思想硬套ARM處理器是不成立的,樓主鉆進(jìn)這個(gè)牛角尖了。 另外,寫FLASH采用延時(shí)方案是不要求固定時(shí)延的,只規(guī)定了最小延時(shí)時(shí)間。你寫FLASH的方法應(yīng)當(dāng)也有問題,FLASH通常是按照塊進(jìn)寫擦除和寫入的,沒聽說過有哪種FLASH支持只寫一個(gè)個(gè)的字節(jié),半字或字。 |
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| 作者: babyfans 于 2006/8/9 17:49:00 發(fā)布:
AM29LV160DB-70EC 用的是 AM29LV160DB-70EC 自己看看datasheet吧?纯词悄悴恢肋是沒有。 你說的是E2PROM的寫法?纯窗桑。。 |
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| 作者: alang7 于 2006/8/9 18:46:00 發(fā)布:
一個(gè)NOR,一個(gè)NAND 都哪兒跟哪兒啊 |
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| 作者: babyfans 于 2006/8/10 8:28:00 發(fā)布:
haha 我看看先。 |
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