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請(qǐng)教此電容 |
| 作者：zmmhmily 欄目：技術(shù)交流 |
功率MOSFET的開關(guān)特性 因?yàn)?a target="_blank" href="http://m.58mhw.cn/icstock/283/MOSFET.html">MOSFET存在輸入電容Ci， Ci有充電過程，柵極電壓UGS呈指數(shù)曲線上升,當(dāng)UGS上升到開啟電壓UT時(shí)，開始出現(xiàn)漏極電流iD，從脈沖電壓的前沿到iD出現(xiàn)，這段時(shí)間稱為開通延遲時(shí)間td。 請(qǐng)問在上述說明中,輸入電容Ci是什么東東,是一種等效形式還是工藝中集成的?多謝! |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： awey 于 2006/8/9 15:16:00 發(fā)布：
不是有意集成一個(gè)電容，是難以避免會(huì)有一個(gè)電容 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： manbo789 于 2006/8/9 15:39:00 發(fā)布：
柵極電壓UGS 應(yīng)該是呈對(duì)數(shù)曲線上升 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/8/9 16:08:00 發(fā)布：
輸入電容Ci是什么東東 樓主少見地認(rèn)真，提問表述很準(zhǔn)確。 FET的電容Ci,它只是一種“效應(yīng)”。 “等效形式”和“工藝中集成”的說法都不完整—— 應(yīng)該是：Ci是寄生的極間電容Cgs與Cds在共源電路中的等效結(jié)果， 其值為：Ci＝Cgs+（1+A）Cgd （米勒效應(yīng)） |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： manbo789 于 2006/8/9 16:09:00 發(fā)布：
MOSFET存在輸入電容Ci，千萬不可忽視 本人做開關(guān)電源曾忽視，結(jié)果開關(guān)管噴火花，還帶響的�。� |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： zmmhmily 于 2006/8/9 17:09:00 發(fā)布：
十分感謝各位指導(dǎo) |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： zengbojz 于 2006/8/9 18:12:00 發(fā)布：
此電容決定了元件的工作頻率及驅(qū)動(dòng)電流大小 |
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