|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機 | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計 | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
有問NAND FLASH的問題？急 |
| 作者：xujian370 欄目：ARM技術(shù) |
NAND FLASH的片選線我是用地址，讀寫信號譯碼出來的，現(xiàn)在的問題是能讀到ID號，但是我要檢測壞塊，我去讀每個BLOCK的第1和2頁的空閑的16個字節(jié)，通過判斷第6個字節(jié)來判斷塊的好壞，但是我讀到的都是0XC0，這是什么問題��？ 難道片選一定要用IO線來控制��？還有程序中的檢測空閑與忙是讀狀態(tài)寄存器還是讀R/B這個引腳��？datasheet好象沒講清楚。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： 平常人 于 2006/8/2 15:51:00 發(fā)布：
問NAND FLASH的問題 NAND的片選最好用I/O，因為地址線隨時可以變化的，比如在中斷處理期間。 判斷空閑與忙最好是先檢測R/B，R/B為Ready時讀狀態(tài)寄存器。 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujian370 于 2006/8/2 16:07:00 發(fā)布：
上面的問題是出在哪��？ |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 平常人 于 2006/8/2 18:28:00 發(fā)布：
上面的問題是出在哪�。坎缓谜f 你最好用帶邏輯通道的示波器看看。 貼個圖上來，再解釋一下，我做過NAND但沒用ARM做過。 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujian370 于 2006/8/2 19:14:00 發(fā)布：
繼續(xù) 其實很簡單，ARM的WR和RD接NAND FLASH的寫讀信號，片選信號是地址譯碼后的，ALE，CLE接兩個地址信號，IO0-IO8接D0-D7，看看有什么問題？ |
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： 平常人 于 2006/8/2 21:18:00 發(fā)布：
片選信號不能落后于ALE和CLE 你的片選信號是地址譯碼后得到，而ALE，CLE接兩個地址信號，地址譯碼需要時間，所以CE落后于ALE和CLE，這里有問題。 另外更重要的是，你應(yīng)用I/O輸出CE，這樣CE不會隨指令的變化而變化，在NAND的datasheet上有很多情況不允許CE隨便改變。 |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujian370 于 2006/8/3 13:31:00 發(fā)布：
我已經(jīng)把CE改成片選和IO引腳相與了 問題依然存在：可以讀ID號。但是讀不了數(shù)據(jù)，我先在沒有寫數(shù)據(jù)，因為我在找壞的塊，所以只要讀。我是ARM的CS2，地址A18，A19譯碼的到片選CS_NAND，根據(jù)上面的建議我用一個IO口P0.23與上面的片選CS_NAND相與。A17接CLE，A16接ALE 我的程序如下： void Page_read(ADDRFLASH addr,UCHAR read_command) { UCHAR TEMP; IO0SET=IOSET|(1<<23); //片選有效 flash_commd=read_command; //輸入命令 flash_addr=addr.addrlow; //輸入地址 flash_addr=addr.addrmid1; flash_addr=addr.addrmid2; flash_addr=addr.addrhigh; IO0CLR=IO0CLR|(1<<23); //保證NAND FLASH的片選信號一直為低電平 //P0.23和片選相與了 while(!Do_ready()); //busy } R/B沒有出現(xiàn)低電平。所以最后一句是直通的。 怎么會沒有出現(xiàn)低電平的呢？我是按照它的時序?qū)懙陌?br> |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujian370 于 2006/8/3 16:49:00 發(fā)布：
頂一下 |
|
| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： 平常人 于 2006/8/3 17:13:00 發(fā)布：
R/B沒有出現(xiàn)低電平，說明你的命令沒被正確接受 你應(yīng)該用帶邏輯通道的示波器看看，我沒在ARM上做過NAND，也不清楚你的ARM的時序，很難講是什么問題。 看不懂你這兩句： IO0SET=IOSET|(1<<23); //片選有效 IO0CLR=IO0CLR|(1<<23); //保證NAND FLASH的片選信號一直為低電平 你應(yīng)保證在Page_read()運行的整個過程中，CS始終保持低電平不要變化。 還有，“用一個IO口P0.23與上面的片選CS_NAND相與”有何意義？直接在P0.23輸出低電平作為片選就好了嗎。 |
|
| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujian370 于 2006/8/4 13:28:00 發(fā)布：
我的R/B引腳始終不會變低 芯片復(fù)位在向命令寄存器中寫入0xFF后，R/B應(yīng)該變低一會，但我用示波器看不到那個信號變低，這邊都不能變低，不要說后面程序的這個信號了。但復(fù)位后ID和狀態(tài)寄存器都能順利的讀取。為什么R/B信號總是不能變低��？應(yīng)該不是芯片問題吧。 |
|
| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： 平常人 于 2006/8/4 13:33:00 發(fā)布：
難說，換一片試試？ |
|
| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujian370 于 2006/8/4 14:48:00 發(fā)布：
繼續(xù) 現(xiàn)在直接讀頁，讀出的都是0XFF，這樣就檢測不出壞的BLOCK，難道是被人用過的片子啊？不管現(xiàn)在先寫一頁在讀出一頁來，看看對不對。謝謝關(guān)注，平常人。有沒有聯(lián)系方法，我們保持聯(lián)系 |
|
| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： toobad 于 2006/8/4 17:05:00 發(fā)布：
難道是被人用過的片子啊？ 沒有壞塊還不好嗎? 被人用過的片子常常并不見得是沒有壞塊，而是塊內(nèi)的數(shù)據(jù)區(qū)/冗余區(qū)有 非0xFF和非0x00的數(shù)據(jù)。 |
|
|
|
| 免費注冊為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會員，參與電子工程師社區(qū)討論，點此進入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號 |