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Lpc2210不能在外部RAM調(diào)試 |
| 作者：hunteren 欄目：ARM技術(shù) |
我最近買的EasyArm2200 不能在外部RAM調(diào)試,每次進(jìn)入AXD時(shí)出現(xiàn)下面錯(cuò)誤: error 0xaa553101! FLASH Sector 0 write failed! 我的設(shè)置也檢查過: FLASH 0 Address: 0x80000000 0x00080000 (RAM) JP6跳線設(shè)置成bank0 ram ; bank1 FLASH. JP7跳線設(shè)置成 outside scatter file 如下: ROM_LOAD 0x80000000 { ROM_EXEC 0x80000000 { Startup.o (vectors, +First) * (+RO) } IRAM 0x40000000 { Startup.o (+RW,+ZI) } STACKS 0x40004000 UNINIT { stack.o (+ZI) } ERAM 0x80040000 { * (+RW,+ZI) } HEAP +0 UNINIT { heap.o (+ZI) } } 做的實(shí)驗(yàn)都是很簡(jiǎn)單的光盤上的. 請(qǐng)周工和諸位高手幫忙看看! |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： zlgarm 于 2006/8/1 17:43:00 發(fā)布：
re: 在外部RAM調(diào)試，請(qǐng)將FLASH的地址和大小都設(shè)置為0，教材有詳細(xì)介紹！ |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： mahuaqiang 于 2006/8/1 18:25:00 發(fā)布：
仿真的時(shí)候設(shè)置為0 仿真的時(shí)候設(shè)置為0X00000000/0X00000000 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： zlgarm 于 2006/8/2 9:35:00 發(fā)布：
LPC2210不能在外部RAM調(diào)試 AXD->OPTIONS->CONFIG TARGET->CONFIG 進(jìn)入easyjtag setup 窗口 你的FLASH 0 address 的 start address ＝ 0x80000000 明白了吧， |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： hunteren 于 2006/8/2 14:36:00 發(fā)布：
LPC2210不能在外部RAM調(diào)試 zlgarm: 你怎么回答的不一樣! AXD->OPTIONS->CONFIG TARGET->CONFIG 進(jìn)入easyjtag setup 窗口 我都設(shè)置了: FLASH 0 Address: start address : 0x80000000 size: 0x00080000 (RAM) FLASH 0 Address: start address : 0x80000000 size: 0x00080000 (RAM) 為什么仿真的時(shí)候ram設(shè)置為0X00000000/0X00000000 那么FLASH呢?也設(shè)置為0X00000000/0X00000000. |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： huilily 于 2006/8/2 14:43:00 發(fā)布：
RE 固化片外FLASH的時(shí)候設(shè)置 0x80000000/0x00200000..... * - 本貼最后修改時(shí)間：2006-8-2 14:46:26 修改者：huilily |
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