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問(wèn)下大家:AT24C系列的E2ROM,讀寫(xiě)后要延時(shí)多長(zhǎng)時(shí)間啊? |
| 作者:guorock 欄目:單片機(jī) |
AT24C64: 我以前的經(jīng)驗(yàn)是,寫(xiě)完一個(gè)字節(jié)或一個(gè)PAGE的數(shù)據(jù),都延時(shí)大概10毫秒,然后再寫(xiě)下一個(gè)字節(jié); 想問(wèn)問(wèn):寫(xiě)的時(shí)候,這個(gè)延時(shí)能否再縮短點(diǎn),大家都用多長(zhǎng)時(shí)間? 讀的時(shí)候,是不是可以不用延時(shí)。 謝謝! |
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| 作者: awey 于 2006/7/17 11:54:00 發(fā)布:
按Datasheet要求做,不然很難保證沒(méi)問(wèn)題 讀的時(shí)候不用延時(shí)。 |
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| 作者: 南海漁歌 于 2006/7/17 12:54:00 發(fā)布:
我延時(shí)5ms. 在寫(xiě)單字節(jié)時(shí),沒(méi)有延時(shí). |
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| 作者: zljzlj 于 2006/7/17 14:29:00 發(fā)布:
延時(shí) 看 datasheet 讀不用延時(shí) 寫(xiě)單獨(dú)字節(jié)步用,連續(xù)寫(xiě)入,或整片寫(xiě)入要注意寫(xiě)的方法,如果你是以1字節(jié)為單位循環(huán)寫(xiě)入,必須遵照DATAsheet的 做大延時(shí)好像時(shí)10ms,推薦利用他的PAGE寫(xiě)方式,可以用5ms。 |
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| 作者: aMonster 于 2006/7/17 19:39:00 發(fā)布:
用5ms 其實(shí)不要太相信所謂的“大廠”, 他們的DATASHEET上的參數(shù)都差不多, 當(dāng)用起來(lái)就差遠(yuǎn)了。 一般ATMEL,MICROCHIP的4ms就可以,我一般用5ms; artschip的說(shuō)是4ms,50%會(huì)有問(wèn)題,我一般用8ms; 三星的正在測(cè), 所以如果要做通用的程序的話, 就用10ms吧,保險(xiǎn) |
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| 作者: guorock 于 2006/7/18 17:17:00 發(fā)布:
寫(xiě)下我的測(cè)試結(jié)果! 頁(yè)寫(xiě)時(shí),延時(shí)1毫秒就可以讀了, 字節(jié)寫(xiě)時(shí)延時(shí)1毫秒讀出來(lái)的數(shù)據(jù)為0,但再延時(shí)1毫秒,讀出來(lái)的數(shù)據(jù)正確! |
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