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EEPROM和Flash，哪個(gè)更可靠？ |
| 作者：airbunny 欄目：嵌入式系統(tǒng) |
聽一個(gè)在航天領(lǐng)域工作的朋友說，航天器上的存儲(chǔ)器都不敢用FLASH，而使用EEPROM。但以前我一直用EEPROM，在比較惡劣的環(huán)境下有時(shí)也會(huì)出問題（主要是數(shù)據(jù)被改寫） 那么如果真要在比較差的環(huán)境下使用，EEPROM和FLASH選用哪個(gè)好呢？ |
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| 作者： sysdsn 于 2006/6/3 21:13:00 發(fā)布：
都一樣，關(guān)鍵是器件的級別。 商業(yè)級的和工業(yè)級的，和軍工級的，都不是一個(gè)檔次。 芯艦數(shù)碼工作室 QQ: 308955632 MSN: sysdsn@hotmail.com Email: sysdsn@yahoo.com Web: http://www.sysdsn.com |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： airbunny 于 2006/6/3 22:03:00 發(fā)布：
就是在相同級別下比較 |
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| 作者： ocon 于 2006/6/3 22:41:00 發(fā)布：
關(guān)鍵是芯片是否具有寫保護(hù)機(jī)制 以前在工業(yè)設(shè)備里用過類似93C46的串行EEPROM，強(qiáng)干擾下確實(shí)容易出現(xiàn)莫名其妙的意外改寫，一些德國名廠的設(shè)備也有這個(gè)問題，后來改用內(nèi)置EEPROM的單片機(jī)就沒問題了，因?yàn)樗袑懕Ｗo(hù)機(jī)制，改寫之前必須發(fā)一串特殊指令開鎖，寫完立刻鎖上。 |
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| 作者： airbunny 于 2006/6/4 22:16:00 發(fā)布：
在無線電干擾很強(qiáng)的環(huán)境下也可以么？ |
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| 作者： ocon 于 2006/6/4 22:38:00 發(fā)布：
airbunny，對于抗干擾，沒人可以提供百分之百的保證， 所能做的就是采取成本可承受的方案，盡量提高產(chǎn)品的可靠性。 |
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| 作者： airbunny 于 2006/6/6 15:13:00 發(fā)布：
這點(diǎn)是了解的 關(guān)鍵是相比而言，哪種能提供更可靠的解決方案~~~ 因?yàn)橐龅捻?xiàng)目，可靠比成本更重要…… |
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| 作者： novar 于 2006/6/6 15:27:00 發(fā)布：
個(gè)人認(rèn)為從物理上來講沒有太大區(qū)別 可靠性方面和操作方式也應(yīng)該有關(guān)系 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： cjzfz21ic 于 2006/6/6 19:06:00 發(fā)布：
從電壓看 EEPROM的改寫電平要12v FLASH的5v 是否是一個(gè)區(qū)別呢 而且，FLASH也有鎖定功能 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： xiaoguang 于 2006/6/7 21:22:00 發(fā)布：
用鐵電存貯器 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2006/6/7 23:01:00 發(fā)布：
可靠性差不多 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： 后學(xué) 于 2006/6/8 11:09:00 發(fā)布：
對于FLASH，只能按扇區(qū)擦除地， 所以軟件里面要費(fèi)些手腳，～～ |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： taoest 于 2006/6/8 17:32:00 發(fā)布：
冗余數(shù)據(jù) 冗余數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)多存幾份，或者用ECC之類的校驗(yàn)，比用好多錢，買很貴的器件來得實(shí)際。 不要在器件上兜圈了。 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： 進(jìn)程 于 2006/6/8 18:50:00 發(fā)布：
FLASH是塊搽寫的 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： leebai_001 于 2006/6/9 9:45:00 發(fā)布：
比較而言EEPROM更好一點(diǎn),操作簡單,只是容量有限. |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： 陳雙君 于 2006/6/9 10:07:00 發(fā)布：
一個(gè)都不用的最好 一個(gè)都不用的最好 |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： tanghao823 于 2006/6/11 12:50:00 發(fā)布：
11 我最近做的一個(gè)圖像存儲(chǔ)的案子.就用到了8M*16BIT 的FLASH.感覺芯片經(jīng)常被靜電打壞. |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： dragon_hn 于 2006/6/15 11:24:00 發(fā)布：
絕對不能用FLASH FLASH隨時(shí)可能壞，基本上沒有FLASH不存在壞區(qū)的，即使新買來的，所以FLASH要進(jìn)行壞區(qū)處理。而EEPROM沒有這種情況。 http://www.dragon-2008.com |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： randman 于 2006/6/15 18:22:00 發(fā)布：
具體情況具體對待吧 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： abc12349 于 2006/6/15 22:47:00 發(fā)布：
FLASH有壞區(qū)是分種類的吧？ 象NAND型的是一定有的，廠家規(guī)定就有3%左右。 其他類型應(yīng)該是沒有的，或著說出廠時(shí)已經(jīng)處理過了。 其實(shí)是因?yàn)?a target="_blank" href="http://m.58mhw.cn/stock-ic/FLASH.html">FLASH的集成度太高，比DRAM要高幾倍，每個(gè)柵極存儲(chǔ)的電荷太少。 宇宙射線的一個(gè)粒子穿過芯片就可能清除某一位的數(shù)據(jù)。 EEPROM集成度低很多，被射線改寫的可能要小的多 |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： cgffpga 于 2006/6/16 14:37:00 發(fā)布：
聽大家一說我還害怕了 聽大家一說我還害怕了. 用了4M的Nor FLASH存程序和其它大量的數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)沒備份的情況下容量都緊張了(要存幾年的數(shù)據(jù).不知道這種Flsh里能用文件系統(tǒng)么?即使可用也比較惡喔!). 害了人家了. |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： judge 于 2006/6/20 8:27:00 發(fā)布：
abc12349 回答的比較好 |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： sharn 于 2006/6/21 19:58:00 發(fā)布：
不是很清楚 |
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