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請問有什么辦法可以提高LDO的PSRR？ |
| 作者：lewyong 欄目：電源技術(shù) |
小弟在做一個LDO，用的是tsmc0.6CMOS工藝，可是psrr只能做到70dB，我試了好幾種方法都不行，希望高手能指點(diǎn)一下。我主要是提高運(yùn)放的psrr，但效果不好，目前用的是折疊共源共柵運(yùn)放，電流源也是共源共柵的，增益從40dB到120dB都試過，psrr變化不顯著，應(yīng)該運(yùn)放沒什么可挖的了。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： lewyong 于 2006/6/5 17:05:00 發(fā)布：
PSRR的問題已經(jīng)解決 現(xiàn)在還有一個關(guān)于dropout電壓的問題：能否根據(jù)要求的dropout電壓定量的估算出管子的寬長比？ 從公式看，Vdropout=Iout*Ron, Ron為線性區(qū)的導(dǎo)通電阻，Ron=1/[uCox(Vgs-Vt)],我看到有的文章就是依據(jù)此公式算出Vdropout，不過對此我非常不解：對于一定的負(fù)載，Ron值應(yīng)為常數(shù)，因此Vgs也應(yīng)為常數(shù)，那如何判斷Vgs的值呢？ 希望有設(shè)計(jì)過LDO的高工能指點(diǎn)一下，小弟不勝感激。 * - 本貼最后修改時間：2006-6-5 18:36:16 修改者：lewyong |
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