|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測(cè)控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計(jì) | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
請(qǐng)教MOSFET IRFP460容易燒掉的問題 |
| 作者：jafeliu 欄目：模擬技術(shù) |
請(qǐng)教各位高手,如何才能避免燒壞MOSFET管,我的Vgs開啟電壓為5V,關(guān)斷電壓為0V,工作在220V的環(huán)境下,IRFP460是用來驅(qū)動(dòng)馬達(dá).我現(xiàn)在懷疑是不是因?yàn)镚S之間的開啟電壓太低而使MOSFET工作在放大區(qū),使本身功耗太大而燒毀MOSFET.請(qǐng)大家一起討論,歡迎回貼. |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： tznhzj 于 2006/4/20 18:03:00 發(fā)布：
你說的對(duì),柵極驅(qū)動(dòng)電壓最好高于10V,最高不要超過20V. |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： tuwen 于 2006/4/20 18:14:00 發(fā)布：
高壓大電流條件下MOSFET容易發(fā)生自激振蕩 一般都應(yīng)該在柵極串聯(lián)一個(gè)小電阻以抑制振蕩。 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 一點(diǎn)一滴 于 2006/4/20 20:01:00 發(fā)布：
我的看法 如果本身功耗太大而燒毀,IRFP460應(yīng)該很燙，這時(shí)應(yīng)該加大控制電壓 如果不燙，應(yīng)該在控制極串一小電阻，并在控制極對(duì)地接一電阻和并5.1V穩(wěn)壓管 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： wwccll9737 于 2006/4/20 20:52:00 發(fā)布：
加個(gè)散熱片試試 我用5V驅(qū)動(dòng)過，工作正常，加個(gè)散熱片試試看。 |
|
|
|
| 免費(fèi)注冊(cè)為維庫(kù)電子開發(fā)網(wǎng)會(huì)員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號(hào) |