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SD/MMC 卡寫時序請教 |
| 作者：dragonyoo 欄目：嵌入式系統(tǒng) |
SD/MMC 卡寫時序請教 最近準備用FPGA實現(xiàn)對SD/MMC卡的控制，在讀規(guī)范時一直有個疑問，因為我的控制邏輯設(shè)計用在AD轉(zhuǎn)換方面，對寫時序的要求較高，而對讀幾乎沒什么要求。 所以就寫時序的一些疑問請教大家： 1、寫時序怎樣達到吞吐速率最高？ 肯定選擇block write模式。在這種方式下，擦除有兩種模式： A、只管發(fā)送block write命令，這時候Erase操作是隱含的。 B、Erase操作是顯現(xiàn)的，即先發(fā)送Erase命令，然后選擇Multiple block write with pre-defined block count命令。 這兩種哪種會快一些？ 2、Erase操作 顯現(xiàn)發(fā)送Erase命令，是以ERASE_GROUP為單位的。而寫操作是以block為單位的，在進行寫操作時，Erase隱含在寫操作中。這會不會造成一些數(shù)據(jù)丟失？ 譬如我要寫某GROUP的一個block，隱含的Erase會不會把其他block數(shù)據(jù)全部擦除？ 3、寫操作的busy怎樣計算？ 在進行block write時，SD/MMC 卡會在data0出現(xiàn)busy狀態(tài)，這種狀態(tài)最多持續(xù)多長時間？我看規(guī)范和一些器件手冊都沒有標出來。因為這涉及到SD/MMC 卡的實際數(shù)據(jù)吞吐量。 在高速SD/MMC 卡中，雖然Burst data會達到52MHZ，但如果他的busy狀態(tài)持續(xù)時間很長，則平均速率會很低。 請各位大俠不吝賜教 |
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