|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測(cè)控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計(jì) | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
哪位老兄用過(guò)Atmel的dataflash? |
| 作者：kokan 欄目：單片機(jī) |
我在用AT45DB321和AT45DB642，往某頁(yè)寫入數(shù)據(jù)（直接寫主存），讀（直接讀主存），有時(shí)能讀到寫入的數(shù)據(jù)，但有時(shí)讀到的全是FF，請(qǐng)問(wèn)大蝦這是怎么回事。小弟先拜謝了！ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： nikle 于 2005/3/14 11:50:00 發(fā)布：
寫之前要先擦除 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： kokan 于 2005/3/14 17:24:00 發(fā)布：
謝謝nikle 之前也做了Erase； 錯(cuò)誤找到了。我把讀SPDR時(shí)，送的數(shù)由0x55變0xFF，就好使了。 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： pheavecn 于 2005/3/14 18:05:00 發(fā)布：
這個(gè)嘛，赫赫，肯定沒(méi)找到問(wèn)題在哪！ |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： mxh0506 于 2005/3/14 22:19:00 發(fā)布：
要認(rèn)真讀手冊(cè)哦~~ |
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： kokan 于 2005/3/16 12:48:00 發(fā)布：
每寫一次要擦除一下！我每次只寫幾個(gè)字節(jié)， 下次還得接著上次的寫，那豈不是很麻煩嗎？ 請(qǐng)問(wèn)各位高手，都用什么辦法解決； 1。存夠1頁(yè)再寫； 2。...... 請(qǐng)高手指教，小弟先拜謝了； |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： mxh0506 于 2005/3/16 20:38:00 發(fā)布：
使用大容量FLASH要注意平衡損耗和檢錯(cuò) 不宜象使用RAM一樣使用FLASH,會(huì)降低使用壽命. |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： kokan 于 2005/3/17 10:47:00 發(fā)布：
寫DataFlash最好的方法是不是： 把每次要寫的字節(jié)積累起來(lái)；然后整體寫入某頁(yè)，且寫之前，必須擦除該頁(yè)。 |
|
| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： athlon64fx 于 2005/3/17 22:04:00 發(fā)布：
是的，FLASH 只能擦除頁(yè) |
|
| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： xyele 于 2005/3/18 13:13:00 發(fā)布：
AT45DB系列DataFLASH內(nèi)部就有個(gè)頁(yè)Buffer，用來(lái)暫存的 你可以把Buffer存滿了，然后寫進(jìn)FLASH |
|
| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： kokan 于 2005/3/18 17:29:00 發(fā)布：
如果只在寫某頁(yè)前擦1下該頁(yè)，第2次接著上次沒(méi)寫完的地方續(xù)寫， 第3次接著第2次沒(méi)寫完的地方續(xù)寫...，直到寫完該頁(yè)為止。 這樣操作行不行？ |
|
| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： pheavecn 于 2005/3/18 17:40:00 發(fā)布：
樓上的，不行！ |
|
| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： kokan 于 2005/3/18 18:01:00 發(fā)布：
那可殘啦。這AT45DB系列做的也太爛了！氣憤。 看來(lái)非得積累起來(lái)，一頁(yè)頁(yè)寫了。 TMD，有時(shí)候，不夠1頁(yè)，我就要要其中的數(shù)據(jù)， 而且要同時(shí)往2個(gè)不同的主存頁(yè)中寫。一頁(yè)寫索引，一頁(yè)寫數(shù)據(jù)。 有時(shí)還要往另外的頁(yè)中另一種數(shù)據(jù)。 即：同時(shí)寫3種數(shù)據(jù)到3個(gè)不同的頁(yè)中，而且每種數(shù)據(jù)每次都寫不滿1頁(yè)； |
|
| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： zsmbj 于 2005/3/18 18:18:00 發(fā)布：
基于FLASH技術(shù)都是這樣的啦。不光是AT45DB。 除非用EEPROM。 |
|
| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： wangshujun 于 2005/3/18 20:09:00 發(fā)布：
這兩款的批量?jī)r(jià)格是多少 |
|
| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： kokan 于 2005/3/20 13:28:00 發(fā)布：
大家是否用過(guò)DOC（Disk on chip)。 請(qǐng)用的過(guò)前輩指點(diǎn)。 |
|
| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： gufan 于 2005/3/22 21:11:00 發(fā)布：
寫時(shí)，無(wú)須每次都要擦 利用緩沖區(qū)，將要寫的頁(yè)的內(nèi)容讀到緩沖區(qū)，在緩沖區(qū)中空的位置上寫新的數(shù)據(jù)，然后用緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)重新寫Dataflash就可以了。 只要在寫頁(yè)的第一個(gè)字節(jié)時(shí)擦除頁(yè)就可以了 |
|
| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： tongxy 于 2006/3/30 19:56:00 發(fā)布：
DOC求教 大俠，請(qǐng)問(wèn)你那里有DOC2000的資料嗎，小女子畢業(yè)設(shè)計(jì)用，有的話請(qǐng)發(fā)給我一分，先在這里謝過(guò)拉。 |
|
|
|
| 免費(fèi)注冊(cè)為維庫(kù)電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)會(huì)員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號(hào) |