|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測(cè)控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計(jì) | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
實(shí)用資料——閂扣效應(yīng) |
| 作者：chunyang 欄目：通信技術(shù) |
故事要從CMOS電路說(shuō)起。CMOS是Complementary METAL Oxide SEMICONDUCTOR互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的簡(jiǎn)稱，是當(dāng)今主流IC制造工藝。因?yàn)椴捎脜㈦s制造工藝的原因，CMOS電路中必然存在一種PNPN的4層結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)恰好與可控硅的4層結(jié)構(gòu)類似，故同樣具有可控硅的傳輸特性，所以稱之為寄生可控硅。 在正常情況下，這些PN結(jié)都是反偏的，電流只能受控向一個(gè)設(shè)計(jì)方向流動(dòng)，反向則處于高阻狀態(tài)。在特殊情況下如：輸出端有較大電壓過(guò)沖、輸入端存在過(guò)高ESD電壓以及器件通電前有低內(nèi)阻信號(hào)加在輸入端上等，換句話說(shuō)，耦合至器件IO的ESD、浪涌電壓或噪聲尖峰所產(chǎn)生的任何過(guò)高的電壓瞬變，都有可能使帶電粒子越過(guò)PN結(jié)勢(shì)壘，從而觸發(fā)這個(gè)寄生可控硅——這是一種物理上的單粒子效應(yīng)，或者因加在寄生可控硅兩端過(guò)高的電壓瞬變dv/dt值也會(huì)導(dǎo)致寄生可控硅的觸發(fā)（這也是觸發(fā)可控硅導(dǎo)通的一種方法）。而觸發(fā)一旦發(fā)生會(huì)導(dǎo)致一個(gè)再生過(guò)程而引起電荷注入，從而使寄生可控硅的導(dǎo)通維持下去，其較低的內(nèi)阻會(huì)導(dǎo)致很大的內(nèi)部短路電流，輕則鎖死電路使器件無(wú)法工作，重則摧毀器件甚至供電回路等，這種現(xiàn)象就是所謂的閂扣現(xiàn)象。 閂扣現(xiàn)象一旦發(fā)生，撤除的辦法只能是降低寄生可控硅的導(dǎo)通電流使其脫離自維持導(dǎo)通狀態(tài)如采取斷電等措施，對(duì)系統(tǒng)的影響重大。所以，良好的電路設(shè)計(jì)包括采取有效的ESD抑制手段等是電路可靠性保障中的重要一環(huán)。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： iC921 于 2005/12/12 20:45:00 發(fā)布：
期望詳解中.... |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： chunyang 于 2005/12/13 9:31:00 發(fā)布：
還要詳解什么？ IC921大俠不會(huì)是揣著明白裝糊涂吧？ |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： iC921 于 2006/3/15 23:39:00 發(fā)布：
真不行... |
|
|
|
| 免費(fèi)注冊(cè)為維庫(kù)電子開發(fā)網(wǎng)會(huì)員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號(hào) |