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AT89S51最小系統(tǒng)當中的電容和電阻是怎么定的？ |
| 作者：septanne 欄目：單片機 |
1.復位電路的電容為什么要用幾十uf，還要電解電容？電阻用的是幾千歐的？ 2.還有為什么晶振兩端要并聯(lián)的電容值是30PF？ 3.I/O口的上拉電阻的阻值是怎么確定的呢？ 請問老師們，謝謝了。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： lfy21cn 于 2006/2/6 8:02:00 發(fā)布：
呵呵,看來你剛接觸,不是太熟 1、復位電路一般R取10K，C取10UF，教科書上R肯定是8.2K，都可以的，無所謂，RC越大，充電時間越長，單片機上電復位過程越長，其實RC取值不是需要特別嚴格。還有種說法，R=1K，C=22UF，抗干擾性更好，其實我覺得差不了多少。 2、兩PF小電容一般取15-30PF即可。影響不大的。理論上是你用的晶體越高，應該用更小的電容。比如說12M晶體，你用20PF，1M晶體，你用30PF，其實你日常應用，根本是沒有差別的，用20、30PF都一樣。 3、I/O口上拉電阻是用來提高它的帶載能力的，注意啊，打個比方，你編程后讓某個I/O口置高電平，不帶載應該電位就是5V，因為它的帶載能力很弱，尤其這種輸出為高電平帶載，稍微帶點負載（輸出電流哪怕不到毫安級），這點電位你用萬用表量的話，要下降很大，接一電阻并到這個I/O口跟VCC，可以提高它的帶載能力，這個電阻就叫上拉電阻。一般這個電阻取值都是1K到10K左右，注意這個電阻也不能太小啊，雖然越小上拉能力越強，但是I/O承受的灌電流越大，太大要燒I/O口的。， 打了半天，累死我了，希望你能明白，好運！ |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： sambie 于 2006/2/6 11:14:00 發(fā)布：
我來替septanne謝謝lfy21cn 順便請教一下，我的晶振12MHZ，用兩小電容22PF，通過測量發(fā)現(xiàn)定時（累計）誤差過大，比如10小時達10秒之多。有網友說電容取值可能影響晶振的頻率。我沒有頻率計，根據(jù)經驗，您覺得我應該選用多大電容合適？我的定時偏差是“定時提前”，即每10小時提前10秒。我希望能縮小到2秒以下。謝謝了。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： dai_weis 于 2006/2/6 11:56:00 發(fā)布：
RE 定時誤差一般由于晶體的個體差異，還有就是程序中定時器應該用自動裝載，要不會因為執(zhí)行代碼影響精度。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： septanne 于 2006/2/6 18:14:00 發(fā)布：
謝謝您的經驗:) |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： ccelec 于 2006/2/7 9:41:00 發(fā)布：
準確的應該這樣說： 1、復位電路的電阻和電容要根據(jù)復位脈沖的寬度要求計算得到：比如如果單片機的復位脈沖要求至少20ms，高電平是5V，最大低電平為0.8V，則應按RC電路的放電（或充電）方程計算，使從5V放電到0.8V（或相反）所用的時間不小于20ms。 這個數(shù)據(jù)最好要經過計算，經驗數(shù)據(jù)在有些情況下可能會因不符合要求而出現(xiàn)復位不穩(wěn)定現(xiàn)象。 2、晶體諧振器的電容一大小是于晶體的特性決定的，嚴格來說應該參照晶體的資料。一般在10-30p中間都可行。有些單片機內部有并聯(lián)電容（比如430），這時注意計算外部電容時去掉內容并聯(lián)電容。 3、IO的上拉電阻的大小要看用途和IO的內部結構而定。如果僅僅是得到一個穩(wěn)定的高電平，即負載比較小，10k以上為好，這樣功耗小。但如果是驅動三極管或光隔等負載，則需要根據(jù)被驅動元件所需要的電流來計算，計算時還要注意，有些IO口內部有20－100K上拉，這樣，外部上拉后，實際的上拉電阻是內外電阻的并聯(lián)值。有些IO內部是集電極開路，這樣的IO的上拉等于外部上拉。 IO上拉電阻的最小阻與IO的灌電流能力有關，如果灌電流最大.20mA,則5V的系統(tǒng)的電小上拉電阻為5/0.02=250歐。所以一般不下于330歐都沒問題。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： 58722612 于 2006/2/11 12:56:00 發(fā)布：
復位 主要是由單片機的復位時間決定的比如51系列的復位時間必須大于10ms才能可靠復位。所以復位電路的電阻 電容參數(shù)的確定是由它們充放電時間必須大于10ms既rc>10ms |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： septanne 于 2006/2/11 20:07:00 發(fā)布：
說的非常詳細，謝謝:) |
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