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DM642的高速信號(hào)線走內(nèi)層好還是走外層好?

作者:chinaliuxm 欄目:DSP技術(shù)
DM642的高速信號(hào)線走內(nèi)層好還是走外層好?
欲繪制DM642的6層PCB板
1 信號(hào)層
2 地平面
3 電源層
4 信號(hào)層
5 地平面
6 信號(hào)層

3電源層分為兩塊供電區(qū)域,5地平面中有模擬地區(qū)域。
問(wèn)題1:這樣的疊層有沒(méi)有問(wèn)題?
問(wèn)題2:像數(shù)據(jù)線這樣的高速信號(hào)線走內(nèi)層好還是走外層好?
問(wèn)題3:欲接4MB的FlashROM,但板上無(wú)FPGA/CPLD,從實(shí)現(xiàn)FlashROM讀寫功能的難易程度來(lái)說(shuō),擴(kuò)展地址線的方式應(yīng)采用GPIO還是鎖存器?

請(qǐng)高手指教

2樓: >>參與討論
shixiudong
史修棟的回答:

你問(wèn)問(wèn)題的方式,比較清晰明了,樂(lè)于回答你的問(wèn)題:

問(wèn)題1:這樣的疊層有沒(méi)有問(wèn)題?

答:
    這樣的疊層沒(méi)有問(wèn)題,只是有點(diǎn)浪費(fèi)。我作了多個(gè)項(xiàng)目了,都只用四層板就搞定DM642,還能穩(wěn)穩(wěn)地超頻運(yùn)行在150MHz的外部主頻下(采用6nS的SDRAM)。我的四層疊層如下:信號(hào)層、地平面、電源層、信號(hào)層。
    注意模擬地的上下方也不能走高速數(shù)字信號(hào)。

問(wèn)題2:像數(shù)據(jù)線這樣的高速信號(hào)線走內(nèi)層好還是走外層好?

答:
    首先糾正一個(gè)誤區(qū):外部的64根數(shù)線,并不是最關(guān)鍵的高速信號(hào)線,你仔細(xì)研究分析DM642的EMIF時(shí)序圖,就會(huì)明白這一點(diǎn)。最關(guān)鍵的是SDRM的時(shí)鐘信號(hào)線。
    推薦最關(guān)鍵的信號(hào)線走在外層,避免任何通孔。至于數(shù)據(jù)線,隨便哪一層都可以。當(dāng)然,精到的端接方式比布線方式還重要。

問(wèn)題3:欲接4MB的FlashROM,但板上無(wú)FPGA/CPLD,從實(shí)現(xiàn)FlashROM讀寫功能的難易程度來(lái)說(shuō),擴(kuò)展地址線的方式應(yīng)采用GPIO還是鎖存器?

答:
    不推薦采用鎖存器。如果不使用PCI的情況下,推薦FLASH的兩位最高地址位連接在GP0的9-15腳的隨便兩個(gè),并且用一個(gè)1K的電阻接地。其他20位地址線,依次連接在DM642的EA3-22,即可。

回答完畢。

史修棟

3樓: >>參與討論
chinaliuxm
多謝史先生指點(diǎn)!
受益匪淺,多謝史先生指點(diǎn),大好人!

4樓: >>參與討論
jinzhao
領(lǐng)教!
 
5樓: >>參與討論
shaden
如果這樣DSP怎么加載呢?GP端口的狀態(tài)上電的時(shí)候不確定啊
 不推薦采用鎖存器。如果不使用PCI的情況下,推薦FLASH的兩位最高地址位連接在GP0的9-15腳的隨便兩個(gè),并且用一個(gè)1K的電阻接地。其他20位地址線,依次連接在DM642的EA3-22,即可。

這樣的話boot的時(shí)候怎么加載呢?而且上電的時(shí)候,怎么保證那幾個(gè)GP 端口是000電平呢??

6樓: >>參與討論
shixiudong
補(bǔ)充常識(shí)

問(wèn):這樣的話boot的時(shí)候怎么加載呢?而且上電的時(shí)候,怎么保證那幾個(gè)GP 端口是000電平呢?

答:因?yàn)槭浅WR(shí),所以沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明:
    FLASH的ce信號(hào),連接dsp的ce1信號(hào)。
    dsp復(fù)位的時(shí)候,那幾個(gè)gp腳是默認(rèn)下拉的,用一個(gè)1K的電阻接地是為了更保險(xiǎn)而已,不加也可以。
    其實(shí),我現(xiàn)在的64xx設(shè)計(jì),都是把boot的1K-byte程序放在fpga內(nèi)部的,根本不用并行FLASH實(shí)現(xiàn)boot了。這樣簡(jiǎn)化了布線,減少了器件數(shù)目,提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。

一般來(lái)說(shuō),系統(tǒng)越簡(jiǎn)單,可靠性越高。


史修棟

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