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我想拿片內(nèi)flash做e2prom用，但是用iap寫(xiě)完了，下次復(fù)位全是ff |
| 作者：ouclb 欄目：ARM技術(shù) |
是不是分散加載文件應(yīng)該設(shè)置一下,比如我想把第10扇區(qū)的開(kāi)始512字節(jié)寫(xiě)0x11,那么應(yīng)該怎么修改分散加載文件來(lái)保證這512個(gè)字節(jié)不是0xff，而是我上次寫(xiě)的0x11? |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： zlgarm 于 2005/8/15 15:41:00 發(fā)布：
請(qǐng)參考我們的IAP例子。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 馮廣周 于 2006/1/3 22:39:00 發(fā)布：
ouclb:和我的用法一樣。 我調(diào)試AIP程序時(shí)只能在RAM中調(diào)試正確。在內(nèi)部FLASH中調(diào)試時(shí)老是取數(shù)據(jù)終止！不知道樓主這樣的用法實(shí)現(xiàn)了嗎？貼點(diǎn)資料上來(lái)共享一下如何。謝謝了 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 馮廣周 于 2006/1/4 8:00:00 發(fā)布：
我頂回去，希望朋友們幫忙看看 |
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