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EEPROM與FLASH閃存到底有什么區(qū)別�。� |
| 作者：zdtdl 欄目：單片機 |
以前只知道程序代碼是放在單片機的ROM或者說EEPROM里面的，聽說FLASH實質(zhì)上就是EEPROM，現(xiàn)在諸如STC89LE58RD＋單片機，內(nèi)部既有32K容量的FLASH程序存貯器，又有16K＋的EEPROM存貯器，那這兩個在使用的時候到底有什么區(qū)別��？是不是利用ISP技術(shù)進行編程寫入的程序代碼就放在FLASH閃存里面？那EEPROM一般豈不是不放東西了��？ IAP技術(shù)相對于ISP是動態(tài)的操作,CPU CORE已經(jīng)運行，自己從外面讀數(shù)據(jù)，完成寫入自身FLASH。那么這個時候程序代碼是不是先放在EEPROM中，那樣才保證CPU正常運行呢？ 我已經(jīng)一團霧水了，救救我把～～～ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： 后學(xué) 于 2005/12/13 8:17:00 發(fā)布：
FLASH只能扇區(qū)擦除，EEPROM可以字節(jié)擦除 數(shù)電書里有這部分內(nèi)容 * - 本貼最后修改時間：2005-12-14 9:11:37 修改者：后學(xué) |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： zdtdl 于 2005/12/13 8:52:00 發(fā)布：
看了我用過的數(shù)電書上沒有介紹的 樓上說得不明白啊，存儲的時候有什么區(qū)別�。� |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/12/13 9:25:00 發(fā)布：
FLASH只能塊擦除。樓上的筆誤吧 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： tc9148 于 2005/12/13 13:11:00 發(fā)布：
樓主和我的疑問一樣阿？？？ EEPROM到底在什么時候用阿！ |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： stintair 于 2005/12/13 13:46:00 發(fā)布：
主要區(qū)別在與速度吧. FLASH 叫閃速存儲器,是EEPROM的一種. |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： zdtdl 于 2005/12/13 22:53:00 發(fā)布：
那其內(nèi)部ROM的大小是否是兩者相加的容量啊 還是不明白擦除、寫入程序代碼的時候這兩部分啥關(guān)系啊？？ |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： 西安周公 于 2005/12/14 1:22:00 發(fā)布：
EEPROM與FLASH閃存主要區(qū)別在組成存儲單元的電路不同 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： hotpower 于 2005/12/14 2:12:00 發(fā)布：
暈到~~~周老前輩也半夜來灌水 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： 永遠的不知 于 2005/12/14 7:52:00 發(fā)布：
LPC900系列是不是支持字節(jié)擦除 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： zdtdl 于 2005/12/14 10:55:00 發(fā)布：
問到底 那扇區(qū)（塊）擦除和字節(jié)擦除對于應(yīng)用來說有什么不同的需要注意的地方呢? 應(yīng)用中無須關(guān)心其內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，我只要知道怎么去用它就行了吧，現(xiàn)在就是對其使用很模糊，不知道自己用了FLASH還是EEPROM，反正都沒用到極限值，所以還沒出問題，可是心里不安～～ 用c51編譯以后，有一行信息如下： Program Size：data=125.6 xdata=89 code=17855 其中程序大小應(yīng)該是17855bytes吧，即17k大小。data值怎么還有小數(shù)點的？xdata表示外部ram用了89bytes嗎？ * - 本貼最后修改時間：2005-12-14 11:02:36 修改者：zdtdl |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： isoar 于 2005/12/14 11:07:00 發(fā)布：
特點：EEPROM可單字節(jié)操作更靈活，FLASH存儲量更大些 FLASH： 只能塊擦除（叫塊擦除更準確吧，原文是BLOCK），舉例說明：比如你用的FLASH的BLOCK是512個字節(jié)（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除過（所有位寫“1”）的BLOCK才能重新寫入，意思就是只能從“1”寫到“0”，如果要從“0”改到“1”必須整塊擦除，而且擦除時的速度相對寫入和讀出要慢很多。FLASH主要用于程序存儲。 EEPROM; 可以單字節(jié)操作，沒有塊擦除的要求。相對FLASH更為靈活。當用來保存設(shè)備工作狀態(tài)，等靈活而又獨立的信息時最好用EEPROM。 |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： isoar 于 2005/12/14 11:10:00 發(fā)布：
STC的是FLASH不是EEPROM 原來那個版理討論過了，后來被STC的人都刪除了，因為他們堅持自己的是EEPROM 媽的，簡直就是流氓，所以很久沒去那個版了 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： qjy_dali 于 2005/12/14 12:33:00 發(fā)布：
FLASH以扇區(qū)擦除，EEPROM以字節(jié) 都是那個什么STC，非要把大家都搞暈 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： 西安周公 于 2005/12/14 23:48:00 發(fā)布：
我著急嘛。。。。。 你比我還遲！——夜貓子�。� |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： 楊工 于 2005/12/15 0:24:00 發(fā)布：
位變量 data=125.6說明有位變量，就是你用bit定義的變量 從使用角度看，EEPROM可以1個字節(jié)1個字節(jié)的寫，寫的時候沒有限制。 FLASH寫只能把1寫為0，不能把0寫為1。要想把0變成1，只能按塊擦除，擦除后整塊全為0xff。 另外相對的FLASH便宜些，而且扇區(qū)大的更便宜。比如AM29F040B，512K bytes。64k/sector。大約8，9元吧。 |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： hotpower 于 2005/12/15 0:42:00 發(fā)布：
哈哈,還是周老先暈睡了 |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： rener 于 2005/12/15 7:57:00 發(fā)布：
EEPROM與FLASH EEPROM指的是“電可擦除可編程只讀存儲器”， 即Electrically Erasable Programmable Read-Only MEMORY。 它的最大優(yōu)點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。EEPROM不能取代RAM的原因是其工藝復(fù)雜， 耗費的門電路過多，且重編程時間比較長，同時其有效重編程次數(shù)也比較低。 FLASH MEMORY指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進產(chǎn)品。它的最大特點是必須按塊(Block)擦除(每個區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格)， 而EEPROM則可以一次只擦除一 個字節(jié)(Byte)。目前其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優(yōu)點，但是將其用來取代RAM就顯得不合適， 因為RAM需要能夠按字節(jié)改寫，而FLASH ROM做不到。 |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： zdtdl 于 2005/12/15 14:10:00 發(fā)布：
現(xiàn)在算是明白了 使用的時候FLASH只能用來存儲程序代碼code,寫入程序的時候如果有FLASH一般都是放在FLASH里面吧。然后程序中用到的一些重要表格類數(shù)據(jù)，可以存儲在EEPROM中，而且保存以后斷電也不會丟失。FLASH和EEPROM應(yīng)該按地址分開的吧。 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： djtwph 于 2005/12/19 13:18:00 發(fā)布：
各位請指教 各位請指教: 硬盤是ROM類(我想應(yīng)該是ROM類),還是RAM類.用Word或Excle編文件時的所謂的存盤是存在哪里了?是不是存在硬盤里了?但ROM應(yīng)該是不可寫入的.對吧.請詳細解答.THANKS. |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： ipman 于 2005/12/19 15:09:00 發(fā)布：
有沒有辦法讓程序自己將一些數(shù)據(jù)保存到FLASH中？ |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： lizhi0851 于 2005/12/19 16:41:00 發(fā)布：
硬盤（轉(zhuǎn)貼） ●硬盤的磁頭 眾所周知，一塊硬盤存取數(shù)據(jù)的工作完全依靠磁頭來進行的，換句話說，沒有磁頭，也就沒有實際意義上的硬盤。那么究竟什么是磁頭呢？最簡單的理解，磁頭就是硬盤進行讀寫的“筆尖”，通過全封閉式的磁阻感應(yīng)讀寫，將信息記錄在硬盤內(nèi)部特殊的介質(zhì)上。硬盤磁頭的發(fā)展先后經(jīng)歷了“亞鐵鹽類磁頭（Monolithic HEAD）”、“MIG（METAL In GAP）磁頭”和“薄膜磁頭（Thinfilm HEAD）”、MR磁頭(Magneto Resistive HEADs，即磁阻磁頭)等幾個階段。前三種傳統(tǒng)的磁頭技術(shù)都是采取了讀寫合一的電磁感應(yīng)式磁頭，在設(shè)計方面因為同時需要兼顧讀／寫兩種特性，因此也造成了硬盤在設(shè)計方面的局限性。第四種磁阻磁頭在設(shè)計方面引入了全新的分離式磁頭結(jié)構(gòu)，寫入磁頭仍沿用傳統(tǒng)的磁感應(yīng)磁頭，而讀取磁頭則應(yīng)用了新型的MR磁頭，即所謂的感應(yīng)寫、磁阻讀，針對讀寫的不同特性分別進行優(yōu)化，以達到最好的讀／寫性能。除上述幾種磁頭外，技術(shù)更為創(chuàng)新的采用多層結(jié)構(gòu),磁阻效應(yīng)更好的材料制作的GMR磁頭（Giant Magneto Resistive HEADs）也已經(jīng)在2000年浮出水面，應(yīng)用這種技術(shù)，可以使目前硬盤的容量在此基礎(chǔ)上再提高10倍以上。 ●硬盤的盤面 如果我們把上述硬盤磁頭比喻成筆的形容成立，那么所謂硬盤的盤面自然就是這“筆”下的紙。如果你曾經(jīng)有幸打開過自己的硬盤（當然是已經(jīng)宣布死亡了的報廢產(chǎn)品喲，否則后果自負），可以發(fā)現(xiàn)硬盤內(nèi)部是由金屬磁盤組成的。有單碟、有雙碟，自然也有多碟。它們通過表面的磁性物質(zhì)結(jié)合在一起。與我們平時使用的那些普通軟磁盤存儲介質(zhì)的不連續(xù)顆粒相比，這種特殊物質(zhì)的金屬磁盤具有更高的記錄密度和更強的安全性能。目前市場上主流硬盤的盤片大都是由金屬薄膜磁盤構(gòu)成，這種金屬薄膜磁盤較之普通的金屬磁盤具有更高的剩磁和高矯頑力，因此也被大多數(shù)硬盤廠商所普遍采用。除金屬薄膜磁盤以外，目前已經(jīng)有一些硬盤廠商開始嘗試使用玻璃作為磁盤基片。與金屬薄膜磁盤相比，用玻璃作為盤片有利于把硬盤盤片做得更平滑，單位磁盤密度也會更高，同時由于玻璃的堅固特性，新一代的玻璃硬磁盤在性能方面也會更加穩(wěn)定。不過，這也帶來了新的問題，最主要的就是一旦用玻璃材質(zhì)作為盤片，玻璃材質(zhì)較之金屬材質(zhì)的脆性就會突出地體現(xiàn)出來，要解決這個問題肯定會大大提高成本，因此估計玻璃磁盤就算現(xiàn)在投入小量生產(chǎn)，一兩年內(nèi)也不會在大范圍的商業(yè)應(yīng)用中普遍流行。 ●硬盤的馬達 有了“筆”和“紙”，要讓“筆”能夠在“紙”上順利地寫字，當然還要有“手”的控制，而這雙控制磁頭在盤片上高速工作的“手”就應(yīng)該是硬盤主軸上的馬達了。硬盤正因為有了馬達才得以帶動盤片在真空封閉的環(huán)境中高速旋轉(zhuǎn)，馬達高速運轉(zhuǎn)時所產(chǎn)生的浮力使磁頭飄浮在盤片上方進行工作。硬盤在工作時，通過馬達的轉(zhuǎn)動將用戶需要存取的資料所在的扇區(qū)帶到磁頭下方，馬達的轉(zhuǎn)速越快，用戶等待存取記錄的時間也就越短。從這個意義上講，硬盤馬達的轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤最終的速度。在當今硬盤不斷向著超大容量邁進的同時，硬盤的速度也在不斷提高，這當然也就要求硬盤的馬達必須能夠跟上技術(shù)時代飛速發(fā)展的步伐。進入2000年，5400RPM(轉(zhuǎn)/分)的硬盤即將成為歷史，7200RPM勢必成為今年乃至今后一段時間的主流產(chǎn)品。這種速度方面的提升對于硬盤的馬達而言，自然也提出了更高的要求。7200RPM、10000RPM甚至15000RPM的硬盤馬達肯定不會采用傳統(tǒng)意義上的普通滾珠軸承馬達，因為隨著硬盤轉(zhuǎn)速的不斷提高，同時也會帶來諸如磨損加劇、溫度升高、噪聲增大等一系列負面問題。傳統(tǒng)的普通滾珠軸承馬達無法妥善解決這些問題，于是先前曾廣泛應(yīng)用在精密機械工業(yè)上的液態(tài)軸承馬達（Fluid Dynamic Bearing Motors）被引入到硬盤技術(shù)中。與傳統(tǒng)的滾珠軸承馬達不同，液態(tài)軸承馬達使用的是黏膜液油軸承，這種特殊的軸承以油膜代替了原先的滾珠，一方面避免了與金屬面的直接磨擦，將傳統(tǒng)馬達所帶來的噪聲及溫度降至最低；另一方面，油膜可以有效地吸收外來的震動，使硬盤的抗震能力由以往的150G提高至1200G；再一個方面，從理論上講，液態(tài)軸承馬達無磨損，使用壽命可以達到無限長，雖然我們無法通過這一點就奢想自己的新硬盤能夠“萬壽無疆”，但最起碼可以延長使用壽命倒是真切的事實。 ●硬盤的接口類型 硬盤的接口類型主要分為EIDE和SCSI兩種。 早期的EIDE接口硬盤采用了PIO Mode 4模式，其傳輸速率可以達到16.6MB／s，后來由于采用了UltraDMA／33(或稱ATA－4)技術(shù)，傳輸速率一下子提高到了33.3MB／s。如今主流的新一代Ultra DMA／66接口硬盤，其接口界面已經(jīng)獲得了INTEL與世界八大主要個人電腦制造商以及全部硬盤制造商的支持，數(shù)據(jù)傳輸率比UltraDMA／33翻了一倍，達66MB／s。而更高的Ultra DMA／100和Ultra DMA／166目前也已經(jīng)在醞釀之中。 SCSI接口硬盤的基本數(shù)據(jù)傳輸率是20MB／s(8bit,50線)。在應(yīng)用了Ultra WIDE標準后，其傳輸速率可以達到40MB／s；采用Ultra2 WIDE SCSI標準后，其傳輸速率還可以升至80MB／s(16bit,68線)；而采用Ultra 160／m SCSI標準接口后，其傳輸速度更可以飆升到160MB／s。另外，目前還有一種采用FC－AL光纖通道接口的硬盤，其傳輸速率可以達到100MB／s的數(shù)據(jù)傳輸率。 如果要比較EIDE與SCSI這兩種不同接口模式硬盤的優(yōu)劣,從價格方面分析，EIDE的價格比較便宜，SCSI價格很高。如果從性能方面分析，EIDE接口的硬盤雖然安裝容易，但其允許用戶連接的設(shè)備較少，且CPU占用率較高。而SCSI接口的硬盤在這方面卻表現(xiàn)突出：速度更快、允許增加足夠的外設(shè)(EIDE提供兩個通道,每個通道可掛兩個EIDE設(shè)備,而SCSI卻允許用戶連接7個SCSI設(shè)備)、CPU占用率較低。 通過磁頭改變磁片上小磁鐵的方向來記錄數(shù)據(jù) |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： cherrychip 于 2005/12/20 10:03:00 發(fā)布：
EE貴,FLASH便宜,用途不同 EE做不了很大,主要用于參數(shù)數(shù)據(jù)存儲,FLASH特別是NAND可以隨便就作到G,而且單位價格便宜,適合做媒體流存儲,如音樂數(shù)據(jù)視頻數(shù)據(jù)和大文件,但FALSH的寫入前必須先有塊刪除動作,EE就不需要更象是寫RAM |
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| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： eastzsp 于 2005/12/20 13:26:00 發(fā)布：
EEPROM用了很多年,個人見解, EEPROM,以前出來的工藝制造的EEPROM主要是存放用戶設(shè)置的參數(shù),速度比較慢,而程序一般寫在紫外線可檫除工藝的ROM中,叫EPROM. 隨著工藝的進步和微電子技術(shù)的發(fā)展后來才出來的FLASH,它最大的優(yōu)點可以做到大容量,而且有EEPROM的特點,因此現(xiàn)在新出來的CPU都可以集成進去很大容量的FLASH,比如前幾年用的89C51有4K空間,現(xiàn)在CRYPRESS的C8051F系列可以做到64K甚至更大.因此逐漸淘汰了EPROM和純粹的EEPROM芯片,而用FLASH代替他們.在用法上FLASH有它自己的特點,比如樓上各位所說的檫除方式等.FALSH工藝的發(fā)展以及越來越低成本的優(yōu)點,以后在設(shè)計中還可以應(yīng)用更加的廣泛.比如以前由于空間有限,為了代碼的精簡工程師們多數(shù)使用匯編,而現(xiàn)在FLASH的容量越來越大,因此用C寫單片機程序的工程師們越來越多.而廠家也給自己的單片機開發(fā)了基于C語言的平臺,比如KEIL,ADS等等.這樣使開發(fā)周期縮短,用容量換時間,也是大勢所趨. 總之,隨著科技的發(fā)展,以后可能還會有更優(yōu)秀的EEPROM出現(xiàn). |
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| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： 農(nóng)民講習(xí)所 于 2005/12/20 14:45:00 發(fā)布：
存在CPU里，要不CPU為什么那么貴啊 ：） |
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| 26樓： | >>參與討論 |
| 作者： 方譚 于 2005/12/20 20:54:00 發(fā)布：
學(xué)到東西了 |
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| 27樓： | >>參與討論 |
| 作者： MEIBOY 于 2005/12/20 22:10:00 發(fā)布：
硬盤不是芯片，不能那么簡單的分類。 硬盤不是芯片，所以，不能單純的定義硬盤屬于rom或者ram。如果真的要分的話，我覺得屬于外存儲器，有點像EEPROM。 |
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| 28樓： | >>參與討論 |
| 作者： Bingoes 于 2005/12/20 23:50:00 發(fā)布：
鐵電的ROM又如何 可以不擦除就寫入嗎？ 不需要寫入時間等待嗎？ 可以把它當成RAM來用嗎？ 價格與普通的FLASH ROM或EEPROM比較貴多少？ 拿它來做U盤實際嗎？ |
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| 29樓： | >>參與討論 |
| 作者： cherrychip 于 2005/12/21 2:10:00 發(fā)布：
目前適合作U盤的只用NAND FLASH 其他的都屬于參數(shù)存儲器,不可大用. * - 本貼最后修改時間：2005-12-21 2:11:27 修改者：cherrychip |
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| 30樓： | >>參與討論 |
| 作者： lb415a 于 2005/12/21 9:32:00 發(fā)布：
關(guān)于樓上的答復(fù) 硬盤不屬于只讀存儲器（ROM)，而是外部數(shù)據(jù)存儲器。它可讀可寫，由于它的數(shù)據(jù)記錄在磁盤上，所以斷電后數(shù)據(jù)不丟。因而又不能說硬盤是隨機存儲器（RAM）。 |
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| 31樓： | >>參與討論 |
| 作者： cherrychip 于 2005/12/21 9:50:00 發(fā)布：
準確的說硬盤是先RAM后ROM PC并沒有直接用DMA訪問硬盤的盤片,而是通過DMA訪問RAM,就是通常所說的硬盤或光驅(qū)的那個128K-2M的緩存,之后由硬盤內(nèi)的CPU再將RAM內(nèi)的數(shù)據(jù)寫入硬盤,這比較象NAND FLASH的結(jié)構(gòu)動作,所以NAND FLASH更適合作盤. |
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| 32樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/12/21 10:22:00 發(fā)布：
樓上最后來的這個推論似乎有點不合適 只要方便存儲的，都合適做盤。 |
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| 33樓： | >>參與討論 |
| 作者： sqmonkey 于 2005/12/21 11:31:00 發(fā)布：
我想請教24cxx的EEPROM與51單片機的通信問題 我想請教24cxx的EEPROM與51單片機的通信問題 我現(xiàn)在想用24cxx做89C51的外部數(shù)據(jù)存儲，能讓系統(tǒng)在斷電后保存數(shù)據(jù)，但苦于專業(yè)知識不夠，因此想請教各位同仁，能否教教我��！ |
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| 34樓： | >>參與討論 |
| 作者： zdtdl 于 2005/12/21 13:36:00 發(fā)布：
學(xué)了不少知識，我的一些體會如下 1.PC中硬盤相當于單片機中的外掛的外部數(shù)據(jù)存儲RAM，容量可以擴展到很大，于是CPU訪問它必須通過介質(zhì)高速緩存或者主內(nèi)存進行，也就是訪問是間接的。 CPU內(nèi)部肯定也會集成了內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲RAM，可能就是所謂的FLASH.html">FLASH緩存，是CPU直接訪問的；而CPU內(nèi)核的秘密則保存在內(nèi)部ROM中，不能被用戶擦除修改的吧，那些外部ROM如BIOS則是EEPROM可以用來按用戶要求被修改。 2.硬盤就像FLASH介質(zhì)一樣，屬于EEPROM掉電不丟失數(shù)據(jù)，卻又有著RAM可隨機讀寫的特點。但我想硬盤和普通FLASH的主要區(qū)別在于硬盤的介質(zhì)是金屬薄膜磁盤或者玻璃磁盤，具有更高的記錄密度和更強的安全性能，而FLASH一般由集成硅芯片組成，一個是大巫，一個是小巫：） 3.關(guān)于靜態(tài)和動態(tài)RAM的區(qū)別：CPU高速緩存一般是由靜態(tài)RAM制造的，在通電情況下可以長時間保持電量，無須每隔一段時間重新加電，因此數(shù)據(jù)傳輸速度很快，但工藝復(fù)雜成本高，因此容量��；主內(nèi)存通常采用動態(tài)RAM，它的制作成本較低，容量可以做得較大，但即使在通電情況下也不能長時間保持電量，需要每隔一段時間就進行一次重新加電過程，否則會因為電量自然放盡而丟失數(shù)據(jù)，因此數(shù)據(jù)傳輸速度受限。 |
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| 35樓： | >>參與討論 |
| 作者： skyhawl 于 2005/12/21 14:06:00 發(fā)布：
EEPROM和FLASH FLASH有sector erase，block erase，chip erase。 如果在一個sector中，擦其中一個字節(jié)，則整個sector或者block都被擦掉。 EEPROM沒有這個問題。 FLASH有byte program和word program。 FLASH單元只能有1變?yōu)?。 FLASH 的IP內(nèi)核的操作一般需要命令序列。 FLASH一般面積小，功耗低，而EEPROM則面積較大，功耗大。 FLASH和EEPROM都是非易失性的。寫進去東西，掉電也不會丟 |
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| 36樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/12/21 14:12:00 發(fā)布：
PC機的存儲結(jié)構(gòu)跟MCU的大不一樣啊 硬盤是外部存儲器，是一個外設(shè)。 PC將運行的程序和數(shù)據(jù)都放在內(nèi)存中，當內(nèi)存不足時，可借用硬盤將內(nèi)存中部分暫時不用的 數(shù)據(jù)復(fù)制到硬盤中（在硬盤上的這部分區(qū)域就叫做虛擬內(nèi)存），使用時再從硬盤中讀回。 PC的內(nèi)存就相當于了MCU系統(tǒng)中的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器，而硬盤則是一個外設(shè)。 |
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| 37樓： | >>參與討論 |
| 作者： cherrychip 于 2005/12/21 18:30:00 發(fā)布：
做U盤的存儲器要有足夠的空間,256K的U盤你要嗎? 目前做U盤能賣出去的只有NAND FLASH,誰見過鐵蛋存儲器作U盤的?不是方便不方便,要說方便SRAM最方便,還快,但成本才是主要的.EEPROM有單片上G的嗎?就算有誰買的起? |
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| 38樓： | >>參與討論 |
| 作者： 不務(wù)正業(yè) 于 2005/12/21 22:52:00 發(fā)布：
回 各位請指教 硬盤應(yīng)該算是RAM類的，不過也不是完全隨機的。硬盤是靠磁性材料的記錄信息的，停電數(shù)據(jù)也不會丟失。WORD文件當然最后是保存在硬盤中了。機器關(guān)機前所有重要信息全都保存在硬盤中。不會這個都不知道吧？ |
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| 39樓： | >>參與討論 |
| 作者： 不務(wù)正業(yè) 于 2005/12/21 23:12:00 發(fā)布：
硬盤不是工作在真空環(huán)境的吧 硬盤磁頭要懸浮在盤片上的，之所以能懸起來是利用了空氣動力學(xué)原理，高速轉(zhuǎn)動的盤片表面的空氣由于受到磨擦力的帶動而隨盤片轉(zhuǎn)動，把磁頭吹離盤片形成懸浮狀態(tài)，我記得磁頭與盤片只有幾十微米的距離。如果是真空的，就只能靠磁頭懸臂的剛性來保證磁頭不接觸盤片，這好像很難達到幾十微米的距離。 |
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| 作者： cherrychip 于 2005/12/22 17:50:00 發(fā)布：
物理存儲和文件存儲是兩個概念 現(xiàn)在的工程師玩高級的東西太多了,對底層是知道的越來越少,開發(fā)個東西先問人家要函數(shù)庫,需要初試化硬件的時候頭大暈,其實這都是基本功不扎實的表現(xiàn),沒有硬件基礎(chǔ)的軟件工程師只能跑龍?zhí)?很多高手都是先玩硬件后玩軟件的,他們對硬件中那些寄存器的理解是可見的而不是莫名其妙的,高手拿到一個可編程硬件是最先關(guān)心他是否開放了足夠的狀態(tài)和功能寄存器,而菜鳥生怕那些寄存器太多.對于一個職業(yè)工程師來講,面對一個存儲器芯片只能討論它是怎么存取數(shù)據(jù)的而不能張嘴問它是怎么存取文件的,這就好比你去買把電烙鐵問人家怎么排電路板一樣,電烙鐵和電路板看上去是非常有關(guān)系的,但都知道這個問題是不能怎么問的. |
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| 作者： linwei1234 于 2005/12/22 20:20:00 發(fā)布：
STC的EEPROM好像是FLASH存數(shù)據(jù)吧! |
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| 作者： martin 于 2005/12/23 11:08:00 發(fā)布：
EEPROM和FLASH EPROM，EEPROM，FLASH都是從浮柵管結(jié)構(gòu)發(fā)展出來的，但是工藝和特性差別很大，就是FLASH也都有很多種，又有很多工藝和特性的差別。作為工程師，我們要追尋其本質(zhì)，而不是受某些商家的誤導(dǎo)。 在網(wǎng)上找了些資料，希望有助于大家理解這些差異。 http://download.micron.com/pdf/technotes/ft01.pdf 在一些技術(shù)描述上，有些FLASH工藝也被稱為FLASH EEPROM，但是我們對于平常使用的EEPROM的概念是：可以按字節(jié)擦寫，擦寫壽命能達到百萬次的非易失性存儲器。所以，關(guān)心名稱的差異，不如關(guān)心其特性。 |
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| 作者： zdtdl 于 2005/12/23 15:01:00 發(fā)布：
回到最初的問題吧 大家說了那么多，知識也學(xué)到了很多，不過有些偏題了：） 回到最初的問題，目前通用的單片機里面，據(jù)身邊的工程師介紹說：一般既有FLASH又有EEPROM的單片機，程序和數(shù)據(jù)都是裝在FLASH里面，讀取程序和數(shù)據(jù)也都是從FLASH里面的，這是為了方便了ISP操作。當單片機的程序空間和DATA空間不分開的時候，也可以方便地進行IAP操作了。假如單片機內(nèi)部除了FLASH，又有獨立的EEPROM，進行IAP操作時先把程序從FLASH單元復(fù)制到EEPROM單元，然后通過IAP即修改了程序單元又修改了DATA單元。但有些單片機的程序空間和DATA空間是分開的，就像一些STC單片機一樣，假如說內(nèi)部沒有獨立的EEPROM的話，就不能通過IAP直接替換程序了，因為IAP前提是MCU已經(jīng)在運行正常的程序了。但程序空間和DATA空間分開時，可以通過IAP進行DATA單元的操作，那么IAP這個時候就是寫些重要數(shù)據(jù)（如表格或參數(shù)之類）的功能了。 這是FLASH和純粹EEPROM的關(guān)聯(lián)吧。 還有如STC89LE58RD+單片機中所謂的EEPROM只是將DATA FLASH單元當作EEPROM來使用，并不是純粹的EEPROM。EEPROM和FLASH最根本的區(qū)別就是（樓上都提到過）前者可以使0變1或者1變0的字節(jié)編程，擦除時將1變0；后者卻只能進行把1變?yōu)?的字節(jié)編程，擦除時將0變1。大概STC省略了先要扇區(qū)擦除保證一個字節(jié)為空即0FFH的前提，套用把1變0的“字節(jié)編程”概念，于是將可用DATA FLASH 稱為EEPROM了吧。 |
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| 作者： mochaowu03 于 2005/12/23 15:59:00 發(fā)布：
FLASH是何物 zdtdl,你好 FLASH是可改寫的ROM(裝code)，EEPROM是斷電也不會丟失的RAM(裝data & flag)。 |
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| 作者： cherrychip 于 2005/12/25 15:34:00 發(fā)布：
FLASH.html">FLASH是動畫片,哈哈 比如那個:俺們都是哪個東北銀,俺們?nèi)际腔罾卒h...就是拿FLASH作的.存儲器叫NAND FLASH |
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| 46樓： | >>參與討論 |
| 作者： 啊哈 于 2005/12/25 19:16:00 發(fā)布：
look |
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| 47樓： | >>參與討論 |
| 作者： pengyuchun 于 2005/12/26 9:50:00 發(fā)布：
re 呵呵，樓上的，你的問題原自你對存儲器的種類模糊。 現(xiàn)在所說的硬盤是靠磁頭讀寫的，是屬于磁記錄的存儲器。它讀寫速度相對較快，但它怕振動。 而EEPROM、FLASH則都是電可擦除和寫入的，和硬盤本質(zhì)不同。 EEPROM每次可以操作一個字節(jié)，操作過程一般是先擦除后寫入。 FLASH每次要擦除一個扇區(qū)，更改扇區(qū)中的任意一個已經(jīng)寫為0的位到1時，整個扇區(qū)都需要被擦除，然后重新寫入。 |
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| 作者： 盛春雷 于 2005/12/26 19:32:00 發(fā)布：
是不是FLASH更容易受干擾啊？ 記得有篇文章說，S5X系列的單片機總是程序跑飛，只好又換回C5X系列的單片機了，就覺得，FLASH擦除的快，那受電磁干擾也更大吧？ 只是一想，不知對不對：） |
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| 49樓： | >>參與討論 |
| 作者： zdtdl 于 2005/12/27 13:19:00 發(fā)布：
樓上有所誤解吧 從干擾的途徑來看，干擾本身不是直接作用于ROM等程序空間上的，而是通過單片機的管腳也就是MCU的輸入輸出端口進入的，一旦由于受到例如電磁輻射/脈沖信號/強電等干擾，端口狀態(tài)出現(xiàn)改變，從而改變了相應(yīng)寄存器的值，一旦某些狀態(tài)位同時發(fā)生了改變，很容易引起程序跑飛。因此單片機本身防止干擾的措施應(yīng)該是做在端口電路上，跟ROM或者FLASH等存儲介質(zhì)無關(guān)。 |
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| 作者： computer00 于 2005/12/27 13:54:00 發(fā)布：
干擾的途徑有很多。也不一定就是通過管腳， 內(nèi)部的邏輯電路，在強干擾下也會出錯的。 |
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| 作者： cherrychip 于 2005/12/28 9:33:00 發(fā)布：
NAND FLASH是俺見過的最皮實的芯片 風(fēng)槍吹上不冷卻通電就能工作除了NAND FLASH很少再有了,當然7805也可以. |
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| 作者： nxren 于 2005/12/29 10:45:00 發(fā)布：
暈 硬盤是硬盤,ROM 和RAM與硬盤不一樣,看看物理介質(zhì).所謂存盤對計算機來說當然是存在硬盤上.RAM在計算機上是個中轉(zhuǎn)站的作用，用來把硬盤上或輸入的數(shù)據(jù)在CPU處理之前暫時進住的作用而已,計算機里的ROM固化了一些計算機進行基本操作的程序而已,硬盤里的內(nèi)容才是我們真正用的到數(shù)據(jù).比如WINDOWS就存在硬盤上. |
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| 53樓： | >>參與討論 |
| 作者： lzamzyj 于 2005/12/29 14:50:00 發(fā)布：
路過 嘿嘿 明白了 |
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| 54樓： | >>參與討論 |
| 作者： 牛犢不怕虎 于 2011/2/28 15:00:53 發(fā)布：
沒懂。。。。。。。。。 |
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