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請(qǐng)教yppah!

作者:dongln 欄目:ARM技術(shù)
請(qǐng)教yppah!
    多謝你的回復(fù)!
    我個(gè)人認(rèn)為軟件實(shí)現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)的死區(qū)比較簡(jiǎn)單,不知道對(duì)否?看來(lái)大蝦認(rèn)為硬件更可靠。
    我的電機(jī)因?yàn)轵?qū)動(dòng)電流要求比較大,所以選用的是6DI30A-050,新編資料比較簡(jiǎn)單,好像不自帶死區(qū),是不是現(xiàn)在的全橋電路都自帶死區(qū)?
    所以只好用門(mén)電路和RC電路實(shí)現(xiàn),不知大蝦有沒(méi)有更好的實(shí)現(xiàn)方法?


2樓: >>參與討論
yppah
電流有多大
    最好是選帶有死區(qū)的全橋芯片,可以試試IR2110,驅(qū)動(dòng)IGBTMOSFET絕對(duì)沒(méi)有問(wèn)題,TD430也不錯(cuò)。我認(rèn)為你自己延時(shí)不合理,浪費(fèi)資源并且?guī)?lái)不穩(wěn)的因素,萬(wàn)一燒電機(jī)你連原因都查不出來(lái),危險(xiǎn)啊

3樓: >>參與討論
dongln
re
    電流大概能到十幾A,我現(xiàn)通過(guò)光電隔離,然后由達(dá)林頓ULN2803驅(qū)動(dòng)6DI30A-050,6DI30A-050
    Ton=3uS,Tstg=12uS,Tf=1.5uS,
    照這樣看是不是自帶死區(qū)了?你的意思是不是由IR2110驅(qū)動(dòng)6DI30A-050?


4樓: >>參與討論
dongln
頂:
    昨天晚上看了看相關(guān)資料,絕得IR2110不錯(cuò),能不能推薦一款全橋電路?因?yàn)?a target="_blank" href="http://m.58mhw.cn/stock-ic/6DI30A-050.html">6DI30A-050好像是GTR的。有說(shuō)GTR的用IR2110好象有問(wèn)題,最好是IGBTMOSFET


5樓: >>參與討論
yppah
才10幾A啊
    用GTR太大材小用了吧,MOSFET很便宜,電流對(duì)沒(méi)問(wèn)題,你再考慮一下吧

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