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肖特基接觸和歐姆接觸討論 |
| 作者：aglow_pig 欄目：集成電路 |
肖特基有類(lèi)似二極管的電流曲線，所以常用歐姆接觸引電位 在工藝上能不能通過(guò)降低肖特基二極管的Vt（比如0V），從而形成比歐姆接觸更低的寄生電阻，作為電位孔？ 疑問(wèn)：降低Vt若通過(guò)提高摻雜濃度等方法就會(huì)形成歐姆接觸而非肖特基，工藝上有沒(méi)有其他的什么實(shí)現(xiàn)方法呢？ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： xujianming 于 2005/10/26 13:02:00 發(fā)布：
salicide 金屬化接觸 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： Jianfeng78 于 2005/10/26 17:39:00 發(fā)布：
一回事 降低肖特基Vt到一定程度后，就沒(méi)有了二極管特性，我們就稱(chēng)之為歐姆接觸。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： chiropter 于 2005/12/3 13:57:00 發(fā)布：
re 其實(shí)肖特基與歐姆接觸都屬于金半接觸，二者在勢(shì)壘高度上沒(méi)什么本質(zhì)差別。 之所以存在兩種接觸類(lèi)型，不在于勢(shì)壘高度的差異，也就是樓主說(shuō)的vt，而在于由于高摻雜的引入使得肖特基結(jié)的勢(shì)壘很窄，電子或空穴以隧穿的方式穿過(guò)勢(shì)壘，這也是歐姆接觸需要半導(dǎo)體層高摻雜的原因。而一般的肖特基結(jié)由于雜質(zhì)濃度較低，勢(shì)壘區(qū)較寬，載流子是以熱電子發(fā)射的方式躍過(guò)勢(shì)壘。 再談?wù)剺侵髡f(shuō)的調(diào)vt的問(wèn)題，其實(shí)vt是很難調(diào)整的，由于半導(dǎo)體與金屬界面存在較高密度的陷阱態(tài)，使得勢(shì)壘高度幾乎不受金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體層摻雜濃度的控制，這在教科書(shū)上一般稱(chēng)為表面釘扎效應(yīng)。 樓主還是應(yīng)該加強(qiáng)一些基本概念。 |
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