|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測(cè)控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計(jì) | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
5402與SRAM和FLASH接口這樣可以嗎？ |
| 作者：daitoupipi 欄目：DSP技術(shù) |
DSP: 5402,100MHZ SRAM:IS61LV6416 12ns FLASH: SST39VF400,70ns DSP訪(fǎng)問(wèn)外部存儲(chǔ)器最多可插入14個(gè)等待狀態(tài) SRAM映射到程序空間，FLASH映射到數(shù)據(jù)空間 boot的時(shí)候?qū)?shù)據(jù)從FLASH拷貝到SRAM中。 附件圖為5402與SRAM FLASH的接口，不知道可不可以 要考慮做板子了，請(qǐng)各位把把關(guān)
|
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： tocert 于 2005/7/23 21:08:00 發(fā)布：
可以 可以 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： daitoupipi 于 2005/7/23 22:36:00 發(fā)布：
采用74系列門(mén)電路搭建的譯碼電路時(shí)序上沒(méi)問(wèn)題嗎？ 看到的很多例子都是用CPLD來(lái)譯碼的 用74門(mén)電路搭建的譯碼電路（上圖的非門(mén)和或門(mén)的TpdMax都是10ns以?xún)?nèi)）速度夠快嗎？有人這樣做成的嗎？ 這種電路有沒(méi)有特別需要注意什么的？ |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： yang96381 于 2005/7/25 8:00:00 發(fā)布：
注意電壓匹配!!! |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： daitoupipi 于 2005/7/25 9:16:00 發(fā)布：
都用3.3V 都用3.3V的應(yīng)該沒(méi)有問(wèn)題吧 |
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： lrx1982 于 2005/7/26 17:55:00 發(fā)布：
可以 我就這樣用過(guò)，沒(méi)什么問(wèn)題。 注意電平，用74HC的根好一些吧 |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： daitoupipi 于 2005/7/28 10:33:00 發(fā)布：
謝謝 謝謝大家的熱心回復(fù)! |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： daitoupipi 于 2005/7/29 10:49:00 發(fā)布：
為什么74HC更好? 74HC速度還沒(méi)有74AC高啊 |
|
| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhangdage 于 2005/8/3 12:28:00 發(fā)布：
不清楚 我是通過(guò)一個(gè)cpld做的譯碼，也是IS61LV6416 ，但是發(fā)現(xiàn)不能找到SRAM的高位，一直還是謎團(tuán) |
|
| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： daitoupipi 于 2005/8/8 13:30:00 發(fā)布：
新作了板子 發(fā)現(xiàn)按照上面的原理圖連接的時(shí)候SRAM很燙,這個(gè)時(shí)候量了一下6416的CE為低,WE和OE為高,數(shù)據(jù)無(wú)法正常load 后來(lái)將P\S\和M\S\T\R\B\或一下作為SRAM的CE,就一切正常了(不發(fā)燙,數(shù)據(jù)load也正常) FLASH按照上面原理圖連接沒(méi)出什么問(wèn)題 |
|
| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： aboluo 于 2005/8/8 19:16:00 發(fā)布：
應(yīng)該沒(méi)有溫度才對(duì)，至少我是這樣 80MHZ時(shí)IS61LV64256是沒(méi)有溫度的 |
|
| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： daitoupipi 于 2005/8/14 8:27:00 發(fā)布：
調(diào)試中的教訓(xùn) Ready 沒(méi)有拉高導(dǎo)致的問(wèn)題 我的板子上HOLD外接10K電阻上拉至3.3V，但READY懸空，調(diào)試的程序需要訪(fǎng)問(wèn)需要使用外部程序存儲(chǔ)器（對(duì)應(yīng)SRAM），調(diào)試發(fā)現(xiàn)存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)有時(shí)正常又時(shí)停滯（正常時(shí)XF驅(qū)動(dòng)LED閃爍），特別奇怪的是當(dāng)手指靠近DSP上編號(hào)10-30的引腳區(qū)域時(shí)，存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)幾乎都能正常，以為是虛焊，此區(qū)域內(nèi)各個(gè)引腳重新刷了一邊，問(wèn)題照舊。不解，看5402的引腳說(shuō)明，存儲(chǔ)器控制信號(hào)（MEMORY CONTROL Signal）中Ready的說(shuō)明如下： Input. Data ready. READY indicates that an external DEVICE is prepared for a bus transaction to be completed. If the DEVICE is not ready (READY is low), the processor waits one cycle and checks READY again. Note READY I that the processor performs ready detection if at least two SOFTWARE wait states are programmed. The READY signal is not sampled until the completion of the SOFTWARE wait states. 由于上電后5402對(duì)外部存儲(chǔ)器的訪(fǎng)問(wèn)默認(rèn)加入7個(gè)軟件等待狀態(tài)（大于2個(gè)軟件等待狀態(tài)），如果Ready不受外部存儲(chǔ)器控制則必須拉高表示在軟件等待結(jié)束時(shí)外部存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)已經(jīng)準(zhǔn)備好，否則DSP會(huì)繼續(xù)傻傻等待... READY拉高后，問(wèn)題解決 希望大家不要像我一樣犯這種低級(jí)錯(cuò)誤 還有關(guān)于SRAM的片選的產(chǎn)生，直接用PS板子也可以正常工作，但6416摸上去比PS|MSTRB做片選的時(shí)候稍微溫一點(diǎn)兒（我的感覺(jué)） * - 本貼最后修改時(shí)間：2005-8-14 8:33:20 修改者：daitoupipi |
|
| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： 輕舟 于 2005/9/14 23:30:00 發(fā)布：
請(qǐng)教？？ 我是新手！問(wèn)一下你的ＳＲＡＭ映射到程序空間，以便加載程序．但是那你許要數(shù)據(jù)空間怎末辦啊？？？作為程序的那部分還可以做ram嗎 |
|
| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： pxl9889 于 2005/9/15 10:00:00 發(fā)布：
呵呵 FLASH的片選為何不用DS|MSTRB? |
|
| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： 珞珈混混 于 2005/9/16 15:23:00 發(fā)布：
還有 這樣做的話(huà),你的FLASH映射到數(shù)據(jù)空間什么地址范圍? |
|
| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： 珞珈混混 于 2005/9/19 16:22:00 發(fā)布：
地址映射 這樣的話(huà),你的flas地址是否映射在數(shù)據(jù)空間0x0000~0xffff內(nèi),而且訪(fǎng)問(wèn)只能從4000h開(kāi)始?我有個(gè)疑問(wèn),如果我需要訪(fǎng)問(wèn)FLASH內(nèi)的0x2AAA空間,那么怎么辦呢? |
|
| 免費(fèi)注冊(cè)為維庫(kù)電子開(kāi)發(fā)網(wǎng)會(huì)員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號(hào) |