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關(guān)于VBP總線讀寫時序問題，我們的測試結(jié)果入下: |
| 作者：zlgarm 欄目：ARM技術(shù) |
所有程序在片內(nèi)RAM中執(zhí)行，寫VBP總線用指令STR R0,[R1]，其中R1指向一個VBP特殊寄存器（如IO0SET或IO0CLR），讀VBP總線用指令LDR R0,[R1]，其中R1指向一個VBP特殊寄存器（如IO0SET或IO0CLR）。 VBPDIV = 0，寫需要16個主時鐘（也就是VBP寫周期需要15個時鐘），讀需要16個主時鐘（也就是VBP讀周期需要15個時鐘）。 VBPDIV = 2，寫需要10個主時鐘（也就是VBP寫周期需要9個時鐘），讀需要10個主時鐘（也就是VBP讀周期需要9個時鐘）。 VBPDIV = 1，寫需要7個主時鐘（也就是VBP寫周期需要6個時鐘），讀需要8個主時鐘（也就是VBP讀周期需要7個時鐘）。 詳細的的時序正向菲利浦咨詢。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： dara8124 于 2005/6/8 17:06:00 發(fā)布：
非常感謝！ 非常感謝！ |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： shockwave 于 2005/6/9 9:07:00 發(fā)布：
多謝版主做測試 希望以后經(jīng)常能做一些大家有疑惑的測試 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： winfeng 于 2005/6/9 13:39:00 發(fā)布：
這就是我們想知道的 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： zlgarm 于 2005/6/10 9:02:00 發(fā)布：
菲利浦的回信 This is true because APB (ARM Peripherals Bus) is a slow bus.... everyone (including ST, TI, OKI, ATMEL) has the same issue. We are going to improve this in the upcoming LPC214x and newer family. Will explain how we do it when we launch the new PRODUCT. |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： foyyof 于 2005/6/10 9:08:00 發(fā)布：
re:這可解釋IO的速度問題. |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： wangshujun 于 2005/7/20 9:48:00 發(fā)布：
214x的宣傳資料里面說了這個問題呀 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： armbasic 于 2005/8/18 9:15:00 發(fā)布：
lpc214xIO的速度 The LPC214x series is also unique in the fact that it has FAST I/O capability with I/O speeds that are up to four times faster than competitive solutions. In existing ARM MCUs, I/O speed is normally limited to about 4 Megahertz. With its FAST I/O feature, the SOFTWARE driven I/O on the LPC214x can operate at 15 Megahertz. |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： pheavecn 于 2005/8/24 20:07:00 發(fā)布：
呵呵，這樣的啦。 時序都不在資料中寫清楚。整個一“黑盒子”芯片。誰敢用呀！ |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： 汽車電子 于 2005/9/6 17:26:00 發(fā)布：
我的系統(tǒng)需內(nèi)存14K，共16KRAM，就別指望程序在內(nèi)部RAM執(zhí)行了... |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： hebinn2004 于 2005/9/6 20:18:00 發(fā)布：
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