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關(guān)于NAND FLASH 的有效寫入次數(shù)求證。 |
| 作者：goldsunking 欄目：ARM技術(shù) |
我在網(wǎng)上看到很多的帖子，講Nand FLASH 的擦寫次數(shù)為100萬次。 可是我看三星的datasheet上講，- Endurance : 100K Program/Erase Cycles 那應(yīng)該是10萬次，100*1000=100000次，不知道那個(gè)對阿，按道理來講，應(yīng)該是以手冊為準(zhǔn)，可是為什么網(wǎng)上都講是100萬次？ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： goldsunking 于 2005/8/29 16:10:00 發(fā)布：
沒有人回答嗎？ |
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