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有關(guān)逆變橋上的MOSFET爆炸的棘手問題 |
| 作者：lijinger 欄目：電源技術(shù) |
各位同仁：最近我在作一個單相逆變試驗，用的是IRFP450MOSFET作為全橋逆變的開關(guān)器件，當(dāng)我用單相整流出的310v直流作為逆變橋的主電源時，卻造成四個MOSFET的全部爆炸損毀，都是在器件的3腳(漏極）形成一個孔，或者開裂，分析一下，覺得有兩種可能，一，死區(qū)設(shè)置的過小，導(dǎo)致器件上下橋臂直通，從而損毀，二，器件耐壓不夠，IRFP450耐壓是500V，有人說器件的耐壓要大于電源電壓的兩倍以上，這樣的話就要大于兩倍的310V,即620V，不知道是不是這兩種情況，請大家提提建議。 這里是電路圖的大致示意。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： lijinger 于 2005/7/30 15:40:00 發(fā)布：
完了，我的積分不夠，圖發(fā)不上去 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： xuhm 于 2005/7/30 15:44:00 發(fā)布：
起碼是5倍耐壓既：150*5=750伏 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/7/30 15:59:00 發(fā)布：
是怎么壞的？一通電即壞，還是上電工作一段時間才壞？ 也有可能是二次擊穿的。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： xtihc 于 2005/7/30 17:41:00 發(fā)布：
H橋耐壓1.5倍電源電壓就行了。 因為H橋最大加在MOS兩端的電壓就是電源電壓，極有可能是死區(qū)時間太小了。還有可能是驅(qū)動電路有問題。耐壓夠了。 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： xuhm 于 2005/7/30 20:16:00 發(fā)布：
由于不可能得到一個標(biāo)準(zhǔn)的分壓 由于不可能得到一個標(biāo)準(zhǔn)的分壓150V，驅(qū)動不可能是標(biāo)準(zhǔn)正弦播推薦使用>800v的MOSFET、 聲明：本人所有發(fā)言均為個人觀點。由此貼帶來的后果， 本人一般不予負責(zé)。在您相信本貼之前，請慎重考慮 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/7/30 22:01:00 發(fā)布：
暈，樓上的，你盜用我的簽名，小心我告你侵權(quán)。。。  |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/7/31 0:34:00 發(fā)布：
認識，那個是我老鄉(xiāng)做的吧？我準(zhǔn)備叫他幫我做一個電腦出來 然后那個就是我的個人簽名了，嘿嘿。。。。。。 把hotpower大叔也放上去，做電源。。。  有這么大功率的電源在后邊支持著我，保證電腦不會死機。。。 運行得呱呱直叫。。。 * - 本貼最后修改時間：2005-7-31 0:36:29 修改者：computer00 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： WUHANHEBIN 于 2005/7/31 16:20:00 發(fā)布：
可能是元件的耐壓問題! 可能是元件的耐壓問題!你應(yīng)該從MOSFET的開通后,關(guān)斷的時間上考慮!關(guān)斷過程電感放電!足可以成倍數(shù)上升,講個簡單的道理!彩電的開關(guān)電源管,輸入AC220V整流后為DC350~400V ,其開關(guān)電源管一般為BVceo=1000v~1200v.爆管一般為反壓不足! |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： 王奉瑾 于 2005/7/31 17:07:00 發(fā)布：
驅(qū)動信號是否正確,吸收回路是否正確,磁性材料是否飽和 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： chenyg69 于 2005/8/2 10:13:00 發(fā)布：
還要注意負載 感性負載或容性負載會產(chǎn)生相移，控制不好則電流過大，燒毀片子 |
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