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鐵電存儲(chǔ)器 介紹

作者:wk9523 欄目:嵌入式系統(tǒng)
鐵電存儲(chǔ)器 介紹
鐵電產(chǎn)品介紹 也許給正在煩悶的設(shè)計(jì)師提供新的解決方法

美國(guó)Ramtron公司鐵電存貯器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料.這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM) 和非易失性存貯產(chǎn)品的特性.
    鐵電晶體材料的工作原理是: 當(dāng)我們把電場(chǎng)加載到鐵電晶體材料上,晶陣中的中心原子會(huì)沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng),到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài).晶陣中的每個(gè)自由浮動(dòng)的中心原子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài).一個(gè)我們拿來(lái)記憶邏輯中的0,另一個(gè)記憶1.中心原子能在常溫,沒(méi)有電場(chǎng)的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)一百年以上.鐵電記憶體不需要定時(shí)刷新,能在斷電情況下保存數(shù)據(jù).
    特點(diǎn):
    1 讀寫速度快,沒(méi)有寫入延時(shí),和總線數(shù)度一樣快。I2C總線數(shù)據(jù)是EEPROM的20倍達(dá)到1M時(shí)鐘頻率。SPI口可以達(dá)到25M的時(shí)鐘頻率,是EEPRM的200倍。并口的FRAM可以直接替換SRAM,速度達(dá)到60ns。    
    2 使用壽命常 3.3V的芯片可以擦除無(wú)限次,5V系統(tǒng)可以擦除100億次
    3 掉電數(shù)據(jù)不丟失
    4 抗干擾能力強(qiáng),不受磁場(chǎng)干擾。溫度電壓范圍比較寬(2.7v---5.5v)工業(yè)級(jí) 商業(yè)級(jí)
    5 功耗小,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于FLASH產(chǎn)品和EEPROM產(chǎn)品. 寫入時(shí)功耗是EEPROM的2-10%左右。非常適合低功耗領(lǐng)域使用。
    RAMTRON產(chǎn)品又
I2C系列  FM24XXX
SPI系列  FM25XXX
并口系列 FM18  FM20 ...
帶有RTC + WDT + POR + ID 的 FM31XX系列
帶有WDT + POR + ID 的 FM32XX系列
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