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TMS320vc5402  數(shù)據(jù)空間,程序空間相關(guān)問題,內(nèi)行人請(qǐng)進(jìn)

作者:dsp_step 欄目:DSP技術(shù)
TMS320VC5402  數(shù)據(jù)空間,程序空間相關(guān)問題,內(nèi)行人請(qǐng)進(jìn)
請(qǐng)牛人指教:
在5402中
(1)程序空間和數(shù)據(jù)空間可否重疊?如果可以在什么情況下可以?
(2)當(dāng)FLASH空間足夠大時(shí),多余的空間可以作為外部數(shù)據(jù)區(qū),是不是說明數(shù)據(jù)空間可以擴(kuò)展,那么怎么使數(shù)據(jù)存到FLASH中呢?
(3)在5402的datasheet中,4000后是映射到external的,請(qǐng)問如果我分配這部分空間給PAGE1,是映射到falsh里的嗎?只有幾十K。

2樓: >>參與討論
dellxp
所謂擴(kuò)展好像是在程序空間
 
3樓: >>參與討論
dsp_step
to:dellxp
你認(rèn)為程序空間與數(shù)據(jù)空間可否重疊呢?這是我一直沒搞懂的一個(gè)問題

4樓: >>參與討論
明根兵
可以的
 
5樓: >>參與討論
yang96381
呵呵,采用哈佛結(jié)構(gòu),分開的
 
6樓: >>參與討論
dsp_step
說得沒錯(cuò)
多謝大家指點(diǎn):
能重疊的話,也就是說cmd中的PAGE0與PAGE1中的數(shù)據(jù)可以重疊的咯?
在數(shù)據(jù)空間中,從4000到efff是映射到external的,那么這個(gè)external是指的FLASH嗎?不然哪來的物理空間與64k相對(duì)應(yīng),16k加4k也不過20k。

7樓: >>參與討論
dsp_step
補(bǔ)充一問:
數(shù)據(jù)空間與程序空間能重疊的話,是不是就是由MP/MC,DROM,OVLY在控制的?
重疊在一起的程序空間和數(shù)據(jù)空間,在物理存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)是怎么存放的呢,是不是雖然兩個(gè)空間重疊在一起,但是存放在不同的物理空間中?我認(rèn)為這樣解釋合理點(diǎn)

8樓: >>參與討論
dellxp
好像物理上也不分開,映射的就是實(shí)際的物理空間
最好要分開,為什么非要重疊呢?哈哈

CMD我也不是很明白,這次自己要好好的看看了,哈哈

9樓: >>參與討論
dsp_step
謝謝dellxp
我在做vc5402的bootload時(shí),遇到過這樣一個(gè)問題:
在cmd文件中對(duì)-e 選項(xiàng)的理解,有幾種說法,有說-e選項(xiàng)“是程序中斷向量的入口點(diǎn)”;還有種說法:-e是“裝入引導(dǎo)表后程序運(yùn)行的起始地址”,是不是這兩種說法實(shí)際上是一樣的?
-e是中斷向量的入口地址0xff80,還是_c_int00處對(duì)應(yīng)的地址(一般是0x8000),不太理解,請(qǐng)問你有什么看法




10樓: >>參與討論
gigs
我也有同樣問題
我認(rèn)為重疊在一起的程序空間和數(shù)據(jù)空間,雖然兩個(gè)空間重疊在一起,但是存放在不同的物理空間中的,只是由于采用哈佛結(jié)構(gòu),訪問由總線對(duì)他們進(jìn)行控制。

斑竹能給點(diǎn)解釋嗎?

11樓: >>參與討論
dsp_step
有高手能解釋一下上面的一些問題么
斑竹大哥能發(fā)表一下意見就最好了,謝謝!

12樓: >>參與討論
kvan
FLASH BOOT
怎么那么多人問,很少人回答的!難道高手都隱掉了!假如系統(tǒng)采用并行8位BOOT方式,FLASH的數(shù)據(jù)空間是0000H-FFFFH,程序空間地址為0000H-FFFFH,01000H-01FFFFH,為什么數(shù)據(jù)空間地址和程序空間的地址都為0000H-FFFFH!在物理連接上,FLASH只有18條地址線呀!怎么樣區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)和地址空間!

13樓: >>參與討論
dsp_step
kvan你的FLASH是什么型號(hào)的?
我采用的是16位boot模式,我的5402dsk上的FLASHAM29LV800B的地址線有19根,有8M的存儲(chǔ)空間,你的FLASH有18條地址線,那么是不是有4M 的存儲(chǔ)空間呢,但是就是不知道怎么區(qū)分程序,數(shù)據(jù)空間的,難道就是根據(jù)初始化寄存器來設(shè)定的?

14樓: >>參與討論
ftn2
關(guān)注此貼!
 
15樓: >>參與討論
gigs
頂一頂,為什么這個(gè)問題一直懸而未決呀,高手都隱了嗎~
 
16樓: >>參與討論
wgg
我覺得上面的問題書上說得很清楚吧
 
17樓: >>參與討論
指南針
datasheet行清楚啊
 
18樓: >>參與討論
gyfeng
我這么做過
程序和數(shù)據(jù)空間是可以重疊的,不用IS和DS,只用MSTRB就可以了,這樣不管訪問程序還是就數(shù)據(jù)空間,都會(huì)到這里了,當(dāng)然,片內(nèi)優(yōu)先,所以與內(nèi)部數(shù)據(jù)區(qū)重疊地址的那部分外部存儲(chǔ)器是訪問不到的。
上面這種做法就可以把外部多余的FLASH做為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,關(guān)鍵是你的FLASH支持不支持自編程功能,這時(shí)是用在FLASH里面跑的程序來對(duì)另一部分編程,如果FLASH一進(jìn)入編程狀態(tài)就整片禁止讀取,你上那里讀程序代碼。
片內(nèi)沒有的分當(dāng)然映射到片外了。

19樓: >>參與討論
dsp_step
謝謝gyfeng,再請(qǐng)教請(qǐng)教
請(qǐng)問MSTRB是什么?以前沒有接觸過這個(gè)名字,見笑了。還有怎樣才能知道FLASH是自編程的,我的FLASH型號(hào)是AM29LV800B的,不知是不是屬于自編程的那種,datasheet中是哪部分說明這一點(diǎn)的?

20樓: >>參與討論
yang96381
呵呵,不是很容易的!!
 
21樓: >>參與討論
victorymay
關(guān)注 怎么做
 
22樓: >>參與討論
gyfeng
再次回復(fù)
MSTRB是MEMORY選通線,一般是用IS或DS做外部程序或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的片選線,用MSTRB做讀寫有效線(當(dāng)然還需要R/W方向線),訪問外部存儲(chǔ)器空間時(shí)兩個(gè)都會(huì)有負(fù)脈沖出來的,你可以看看5402的時(shí)序圖。
至于什么芯片能自編程,我只知道肯定有,但我也沒用過,一般數(shù)據(jù)手冊(cè)的首頁肯定做為特點(diǎn)列出來的,肯定要選新一點(diǎn)的,老的不行。

23樓: >>參與討論
gyfeng
回復(fù)MSTRB
MSTRB是存儲(chǔ)器選通,一般接芯片的E端,IS和DS一般連CS端,看看手冊(cè)就知道了。自編程FLASH肯定有,但我沒用過,應(yīng)該在首頁的特點(diǎn)里面會(huì)提到。

24樓: >>參與討論
hoon
哎,高手們都不出聲了。
我自學(xué)dsp也有幾個(gè)月了,小程序也編過幾個(gè)了,可能都沒有真正入門,但是還是有一點(diǎn)心得的。對(duì)于1樓的問題,我的看法是:
1、程序空間和數(shù)據(jù)空間是獨(dú)立的。所以二者基本是可以重疊的。不過要注意:片內(nèi)16K DARAM可同時(shí)被映射到程序空間和數(shù)據(jù)空間,但是一旦分配給程序空間的部分就不能再分配給數(shù)據(jù)空間了。
2。數(shù)據(jù)空間是可以擴(kuò)展的。一般通過CPLD就可以了,通過存儲(chǔ)器分頁設(shè)置進(jìn)行擴(kuò)展。
3、4000后是映射到external的,分配這部分空間給PAGE1,是映射到falsh里的,通過分頁設(shè)置可以突破64K的限制。

這是我的理解,還請(qǐng)高手指正啊。

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