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懇請高手指點(diǎn)變壓器問題

作者:woymoon 欄目:模擬技術(shù)
懇請高手指點(diǎn)變壓器問題
關(guān)于對變壓器的認(rèn)識最開始也就最多了解其電壓匝數(shù)的那個(gè)關(guān)系式了,我開發(fā)的系統(tǒng)輸出級需要變壓器升壓放大,鑒于對變壓器的這個(gè)初步關(guān)系,12v輸入,我要求輸出400來伏。于是乎請一個(gè)變壓器設(shè)計(jì)廠家給設(shè)計(jì)了幾個(gè)樣品,結(jié)果體積很大,效果也不好,當(dāng)然不能怪人家,因?yàn)槲姨峁┑膮?shù)太少了,后來翻閱資料,參考了一下別人的東西,發(fā)現(xiàn)輸出級的阻抗匹配也是決定性問題。同時(shí)根據(jù)自己在實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中的觀察摸索,又給這個(gè)熱心的變壓器廠家更詳細(xì)的參數(shù)與要求,包括匝數(shù)比、電流、變壓器材料、初次級繞線半徑等。這次變壓器小很多了,效果也要好很多,但是感覺在一組波的驅(qū)動(dòng)后,變壓器輸出端會(huì)有很大的不同于驅(qū)動(dòng)信號頻率的余震信號。我在末級并聯(lián)電容,發(fā)現(xiàn)更甚,從阻抗匹配角度考慮,我覺得可能變壓器次級電感可能過大,于是我又與變壓器設(shè)計(jì)工程師聯(lián)系,這次人家問我們需求量了,我不是想欺騙這樣的好人,但是我的量確實(shí)不多,而且還處于試驗(yàn)階段。于是這次我決定不麻煩別人,準(zhǔn)備自己試試看。我的知識點(diǎn)本來是偏重于微機(jī)與數(shù)字電路的,雖然模擬電路以前成績也不賴,但現(xiàn)在是搞一個(gè)系統(tǒng),八般武藝都得用上,這次不但要數(shù)字,要微機(jī),而且模擬也得撿,要繞變壓器,我也沒去看什么書,首先就破壞了人家一個(gè),看怎么個(gè)繞法,然后自己試著繞了一個(gè),狂喜,竟然效果也不錯(cuò),…………中間經(jīng)過一段時(shí)間的摸索,繞了很多,想找本變壓器的書看看,結(jié)果看了幾頁就被公式暈倒。經(jīng)過這段時(shí)間的摸索與熟悉,我繞了幾個(gè)變壓器,發(fā)現(xiàn)氣隙大要很大的時(shí)候,輸出才是最好的?紤]到氣隙與電感的反比關(guān)系,我就將匝數(shù)成比例減少,這下初級只有2匝了。談了這么多,我將我的問題總結(jié)下吧:
要求
驅(qū)動(dòng)方式:單個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)(甲類)
電源:    鉛酸電池
驅(qū)動(dòng)信號:200K可調(diào)脈寬方波
輸出要求:400V峰峰值
特殊要求:末級阻抗匹配至關(guān)重要,甚至可以說起決定性作用。

我所作
鐵心:E-E型鐵氧體或E-I鐵氧體磁芯(具體型號不知)
線心:0.29mm
成品:3:80,(E-E)每邊塞2層名片紙厚的氣隙,3:60,( E-I)每邊塞2層名片紙厚的氣隙,2:50(E-I)每邊塞1層名片紙的氣隙。(我這氣隙是怎么來的?把變壓器繞好,用502把I固定在骨架上,再把變壓器放在電路中的變壓器架上,調(diào)整E的距離,通過示波器觀察波形)

我的疑問:
氣隙那么大,對變壓器來說是不是太離譜了?2:50,原邊匝數(shù)是不是太小了?還有沒有別的辦法減少電感呢?買磁導(dǎo)率低的磁芯?可那能不能滿足200K的頻率呢?甲類驅(qū)動(dòng)、乙類驅(qū)動(dòng)(是不是對應(yīng)電力電子里邊的半橋驅(qū)動(dòng)?)、全橋驅(qū)動(dòng)除了在效率上的區(qū)別還各有什么憂缺點(diǎn)呢?
說了這么多,當(dāng)然不只這么幾個(gè)問題,還希望大家根據(jù)我所描述的這些提提寶貴意見,請功率驅(qū)動(dòng)高手多講解講解一些原則性、基本性的、經(jīng)驗(yàn)性的知識了。小弟在此多謝各位了。


2樓: >>參與討論
woymoon
大家說說
 
3樓: >>參與討論
woymoon
置頂
 
4樓: >>參與討論
lucidmask
這個(gè)不懂,幫你頂!
 
5樓: >>參與討論
cmquestc
氣卸
好象變壓器的磁芯氣卸是為了避免磁飽和而開的,用來存儲(chǔ)能量的~

6樓: >>參與討論
cmquestc
補(bǔ)充
磁通Ф=BA 其中B為磁感應(yīng)強(qiáng)度,A為磁路截面面積,
在環(huán)形磁路中磁通Ф為一定值,當(dāng)氣隙很小時(shí),不考慮散射,因此B近似為一定值,磁感應(yīng)強(qiáng)度B= μH ,磁場強(qiáng)度H,磁導(dǎo)率μ;由于氣隙處的磁道率μ遠(yuǎn)小于磁體內(nèi)部,所以,此處的磁場強(qiáng)度H遠(yuǎn)大于磁體內(nèi)部;再因?yàn)樵诖艑?dǎo)率為常數(shù)的磁場中,單位體積磁場能量是磁場強(qiáng)度H與磁感應(yīng)強(qiáng)度B乘積的1/2。所以氣隙內(nèi)的磁場能量相當(dāng)大,可以利用氣隙來儲(chǔ)能,使磁體再相同的電磁能量轉(zhuǎn)換環(huán)境中不易飽和。


7樓: >>參與討論
woymoon
謝謝,真的很謝謝
這些公式與基本知識原來是不知道的。200KHZ屬于超音頻了,上次看了一本很老的變壓器的電子板的書,發(fā)現(xiàn)里邊說了超音頻的變壓器一般是需要存在較大的氣隙的。另外打聽個(gè)事,你們用過帶磁屏蔽的環(huán)形變壓器嗎?市面上很少見有材料買。謝謝了!

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