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在學校里應該學會卻沒有學會的問題。 |
| 作者：huangxd 欄目：單片機 |
請問EEPROM與FLASH有什么區(qū)別��？ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： 石湖天隨 于 2005/4/2 11:15:00 發(fā)布：
擦寫方式不同吧 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： yubinwu 于 2005/4/2 11:19:00 發(fā)布：
基本單元不同，應用范圍不同 |
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| 作者： taoest 于 2005/4/2 15:52:00 發(fā)布：
工作原理不同 工作原理不同，組成不同。因此特性也不同。 EEPROM壽命長（約1M次），FLASH壽命短（約10K次） EEPROM擦寫慢（x ms）， FLASH擦寫快 EEPROM貴（50RMB/MB）。 FLASH便宜（1RMB/MB）。 |
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| 作者： 后學 于 2005/4/2 16:06:00 發(fā)布：
re 他們的工作原理在數(shù)電書上都能找到，我也忘了 EEPROM：可以字節(jié)/頁寫，字節(jié)擦除 FLASH：可以字節(jié)/頁寫，只能單元（扇區(qū)）擦除 就是說，EEPROM你可以直接寫，直接讀 FLASH你寫之前必須判斷是不是FF，如果不是，就要先擦除，而擦除必須按扇區(qū)擦除 FLASH可以做的很大，EEPROM不行 以前一般用FLASH作為只讀存儲器，但是在一些嵌入式系統(tǒng)上，也使用FLASH保存少量數(shù)據(jù) |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： lisongping 于 2005/4/3 0:51:00 發(fā)布：
不是吧 FLASH與EEPROM結構不同 工藝不同FLASH集成度高多了 FLASH 可以擦1萬次左右 EEPROM 只可以擦1千次 AT89C51李就是EEPROM 而FLASH可以一個扇區(qū)的擦 也可一個扇區(qū)的寫和字節(jié)寫 EEPROM只可以整體擦，字節(jié)寫 FLASH寫起來比EEPROM快 擦也快 |
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| 作者： ferry 于 2005/4/3 8:05:00 發(fā)布：
at98c51內(nèi)是FLASH |
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| 作者： xwj 于 2005/4/3 9:18:00 發(fā)布：
呵呵，lisongping 把FLASH和EEPROM搞反了哦 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： xwj 于 2005/4/3 9:29:00 發(fā)布：
呵呵，還是不對，應該是 FLASH.html">FLASH與EEPROM.html">EEPROM結構不同 工藝不同FLASH.html">FLASH集成度高多了 FLASH.html">FLASH 可以擦1萬次左右－－FLASH一般可以擦寫1千次左右 EEPROM.html">EEPROM 只可以擦1千次－－現(xiàn)在的EEPROM一般都有100萬次的擦寫壽命，某些型號是10萬次 AT89C51李就是EEPROM.html">EEPROM－－AT89C51是FLASH的，不要搞錯了 而FLASH.html">FLASH可以一個扇區(qū)的擦 也可一個扇區(qū)的寫和字節(jié)寫－－FLASH只能整個扇區(qū)擦除，可以寫1字節(jié)（FF改成非FF）或扇區(qū) EEPROM.html">EEPROM只可以整體擦，字節(jié)寫－－EEPROM可以單字節(jié)擦寫也可以頁寫（一次修改多個字節(jié)） FLASH.html">FLASH寫起來比EEPROM.html">EEPROM快 擦也快－－整片擦寫或大量寫時確實這樣，因為扇區(qū)大嘛 補充：由于工藝和結構不同，EEPROM集成度有限，單位容量價格高，壽命長；FLASH集成度高，價格便宜，但擦寫次數(shù)有限 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： xieyuanbin 于 2005/4/3 10:30:00 發(fā)布：
在PIC中EEPROM用作數(shù)據(jù)保持，FLASH用作程序空間。 EEPROM現(xiàn)在可以做到100萬次的擦寫壽命，FLASH可以做到10萬次的擦寫壽命，但在PIC中，兩種都可以但字節(jié)寫。 只是EEPROM擦寫時不需要高電壓支持，FLASH擦寫時需要13V左右的高電壓。 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： taoest 于 2005/4/3 12:21:00 發(fā)布：
FLASH擦寫時不需要高電壓 FLASH擦寫時不需要高電壓，除非是某些特殊型號。 89S51燒寫的時候只需要4V的電源就可以。還有無數(shù)的手持設備，U盤都只有不高于5V的電源。 |
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