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CF745的復(fù)位問題?? |
| 作者:zjmwbb 欄目:單片機 |
請問各位高手,對于PIC5X如何才能區(qū)別是系統(tǒng)上電復(fù)位還是復(fù)位端MCLR的低電平的復(fù)位? 這個問題看似挺簡單的,但是我看了資料,沒有發(fā)現(xiàn)特殊功能寄存器在兩種方式中有區(qū)別,而通用寄存器在瞬間的掉電時內(nèi)容是不變的.望各位賜教. |
| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: zjmwbb 于 2004/12/30 21:39:00 發(fā)布:
RAM在低電平時可以保存,所以很難用判RAM的方法進行判別 |
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| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2004/12/31 10:39:00 發(fā)布:
不可能沒有 你沒看到并不等于沒有,仔細看看STATUS各個位的作用 |
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| 4樓: | >>參與討論 |
| 作者: zjmwbb 于 2004/12/31 19:34:00 發(fā)布:
回版主 我的理解: PIC16c5X中的STATUS,對于RESET的判斷只有PD,T0 上電復(fù)位時PD=1,T0=1 而MCLR復(fù)位STATUS是不變,與復(fù)位前相同,通常也是PD=1,和TO=1, 通過STATUS無法判斷復(fù)位是由MCLR引起還是由上電復(fù)位引起(準確的說是瞬間斷電) 如果是我沒有看到,還請版主指出,小弟不勝感激 |
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| 5樓: | >>參與討論 |
| 作者: zjmwbb 于 2005/1/20 19:51:00 發(fā)布:
奇怪,我這帖子怎么沒人回呢 關(guān)于上電復(fù)位的問題,對小弟而言不是一個簡單的問題,還望各位大蝦賜教。 |
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| 6樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2005/1/21 8:20:00 發(fā)布:
可以分辯MCLR或PD MCLR復(fù)位PD和TO是不變,而不是和上電復(fù)位一樣。你可開WDT,在開機后產(chǎn)生一個WDT復(fù)位,然后再清WDT,這樣再復(fù)位就可判讀是否是上電還是MCLR復(fù)位了。 瞬間斷電是上電復(fù)位,不是MCLR復(fù)位。 |
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| 7樓: | >>參與討論 |
| 作者: zjmwbb 于 2005/1/21 16:59:00 發(fā)布:
謝版主的回復(fù) 我去試試 |
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| 8樓: | >>參與討論 |
| 作者: zjmwbb 于 2005/1/21 20:10:00 發(fā)布:
這種方法不行吧 上電復(fù)位PD=1,TO=1 產(chǎn)生一個WDT復(fù)位T0=1 但是清完WDT之后PD=1,TO=1(CLRWDT)和上電復(fù)位時的狀態(tài)一樣啊 假如這時來一個MCLR復(fù)位,還是不能區(qū)分 |
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| 9樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2005/1/23 10:48:00 發(fā)布:
那現(xiàn)在只有一個辦法。 不好意思給了你一個錯誤的解決辦法,F(xiàn)在我想只有一個比較復(fù)雜的解決辦法。 讓W(xué)DT一直復(fù)位或喚醒,WDT復(fù)位或喚醒引起的復(fù)位是可以區(qū)分的,POWERUP復(fù)位也可以區(qū)分的。MCLR復(fù)位你就當它WDT復(fù)位或喚醒好了。 注意WDT復(fù)位在沒有預(yù)分頻的話典型值是18mS,最小值是9mS.程序中每隔一定時間比如8mS就等待復(fù)位,在內(nèi)存中做個標記,如果時間沒到就復(fù)位的話就是MCLR了。 |
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| 10樓: | >>參與討論 |
| 作者: cqwu 于 2005/1/23 14:56:00 發(fā)布:
請教斑竹和樓主 CF745和PIC16C54C是不是完全兼容的? 它們有何區(qū)別? 都是MICROCHIP生產(chǎn)的嗎? 謝謝! |
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| 11樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2005/1/23 16:22:00 發(fā)布:
編程和54沒什么區(qū)別。 似乎說少了一道測試,是為了和低成本的兼容機競爭的。 |
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