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對(duì)LPC2138一些問(wèn)題困惑的睡不著，再貼出來(lái)找斑竹一棍把！ |
| 作者：agnd 欄目：ARM技術(shù) |
boot 扇區(qū)改為12K每用戶扇區(qū)改為4k/32k都沒(méi)什么，問(wèn)題是，下邊E文如何理解呀！ FLASH CONTENT PROTECTION MECHANISM The LPC2131/2132/2138 is equipped with the Error Correction Code (ECC) capable FLASH MEMORY. The purpose of an error correction MODULE is twofold. Firstly, it decodes data words read from the MEMORY into OUTPUT data words. Secondly, it encodes data words to be written to the MEMORY. The error correction capability consists of SINGLE bit error correction with Hamming code. The operation of ECC is transparent to the running application. The ECC content itself is stored in a FLASH MEMORY not accessible by user’s code to either read from it or write into it on its own. A byte of ECC corresponds to every consecutive 128 bits of the user accessible FLASH. Consequently, FLASH bytes from 0x0000 0000 to 0x0000 0003 are protected by the first ECC byte, FLASH bytes from 0x0000 0004 to 0x0000 0007 are protected by the second ECC byte, etc. Whenever the CPU requests a read from user’s FLASH, both 128 bits of raw data containing the specified MEMORY location and the matching ECC byte are evaluated. If the ECC mechanism detects a SINGLE error in the fetched data, a correction will be applied before data are provided to the CPU. When a write request into the user’s FLASH is made, write of user specified content is accompanied by a matching ECC VALUE calculated and stored in the ECC MEMORY. When a sector of user’s FLASH MEMORY is erased, corresponding ECC bytes are also erased. Once an ECC byte is written, it can not be updated unless it is erased first. Therefore, for the implemented ECC mechanism to perform properly, data must be written into the FLASH MEMORY in groups of 4 bytes (or multiples of 4), aligned as described above. 我的意思是，是不是如果我要把一部分FLASH當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)，用來(lái)存實(shí)時(shí)采集的數(shù)據(jù)時(shí)，寫(xiě)入FLASH還需要做類(lèi)似NAND-FLASH的壞塊鑒別記憶和處理呀？ 還是我只要每次4個(gè)字節(jié)一組的寫(xiě)入，IAP函數(shù)就自動(dòng)為我處理好了？本想買(mǎi)片片子實(shí)際試一下，無(wú)奈無(wú)貨呀。 請(qǐng)?jiān)徫沂?0年英語(yǔ)都沒(méi)過(guò)4級(jí)的老菜，哪位高手小弟幫我把以上E文正確翻譯則不勝感激了！ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： sixpower 于 2005/1/20 7:53:00 發(fā)布：
路過(guò)的，我邦不了你，我頂一下。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： americ 于 2005/1/20 8:30:00 發(fā)布：
漢明碼，與用戶無(wú)關(guān)。 提高存儲(chǔ)器可靠性的辦法 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： agnd 于 2005/1/20 20:20:00 發(fā)布：
我很想知道下面問(wèn)題，怎么沒(méi)人回答我？ 用IAP往FLASH寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，必須4個(gè)字節(jié)一組嗎？這個(gè)功能是IAP函數(shù)實(shí)現(xiàn)的還是內(nèi)部硬件自動(dòng)實(shí)現(xiàn)的？能不能關(guān)掉？ 比如，我的應(yīng)用是，先把某扇區(qū)擦除，然后每秒鐘采集8路開(kāi)關(guān)量，寫(xiě)入1個(gè)字節(jié)，這用UPSD3251是再普通不過(guò)的事了，可這個(gè)片子就麻煩大了：要寫(xiě)入的下個(gè)字節(jié)還不知道，怎么能一次寫(xiě)4個(gè)？別告我后邊3個(gè)都不用每次4個(gè)跳著寫(xiě)，這不是讓容量減少3倍嗎？也不要告我先存到RAM里，那一掉電丟3個(gè)是不行的。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： zlgARM 于 2005/1/21 8:44:00 發(fā)布：
從RAM寫(xiě)數(shù)據(jù)至FLASH，至少256字節(jié)（213x），其它芯片512字節(jié) 如果數(shù)據(jù)非常重要，那可以使用小容量的外部EEPROM暫時(shí)存放數(shù)據(jù)。 |
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