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關(guān)于小信號(hào)低噪聲放大電路的選管問(wèn)題 |
| 作者：moonyuelin 欄目：模擬技術(shù) |
要設(shè)計(jì)一個(gè)小信號(hào)的低噪聲放大電路，限于設(shè)計(jì)要求需要選擇兩級(jí)設(shè)計(jì)，但是對(duì)于這兩級(jí)的FET的選擇我卻不知道該如何是好。請(qǐng)大俠指教！ 比如說(shuō)是否一定要將兩級(jí)管子選的一樣？如果不一樣的管子，在匹配的時(shí)候應(yīng)該注意些什么呢？ 謝謝 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： tjsheep 于 2005/1/13 22:19:00 發(fā)布：
前級(jí)用低噪jfet管，后極用低噪三極管 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： moonyuelin 于 2005/1/13 23:48:00 發(fā)布：
為什么先用的是JFET管呢？?jī)烧唔樞虿荒軗Q嗎 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 赤鑄 于 2005/1/14 12:06:00 發(fā)布：
低噪聲放大電路設(shè)計(jì)一定要看信號(hào)源特性 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： df2 于 2005/1/14 15:49:00 發(fā)布：
級(jí)聯(lián)LNA中，第一級(jí)的噪聲系數(shù)最關(guān)鍵 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： 炎黃子孫 于 2005/1/14 17:47:00 發(fā)布：
樓上說(shuō)得在理，還要看看你的工作頻率 頻率低一點(diǎn)（1G以下）可以用FET，在高一點(diǎn)可以用HEMT（音譯：海蒙特）也就是“高電子遷移速率”晶體管。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： 炎黃子孫 于 2005/1/14 17:52:00 發(fā)布：
更正一下 超過(guò)1G也可以用GaAsFET，噪音可能會(huì)比工作在同頻率下的HEMT高的多。C波段的LNB有很多就是用的HEMT做前級(jí)，早期用過(guò)GaAs。 * - 本貼最后修改時(shí)間：2005-1-14 18:10:37 修改者：炎黃子孫 |
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