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29LV160 FLASH MEMORY 快速擦寫 |
| 作者：sdenff 欄目：單片機(jī) |
我用單片機(jī)控制29lv160寫,一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)的寫,非常的慢, 哪位大哥知道,怎么才可以快速的寫,按塊怎么寫? 我用的是MX牌子的 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： dong 于 2005/1/8 10:35:00 發(fā)布：
只能一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)的寫。 擦才可以按塊。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： sdenff 于 2005/1/8 11:56:00 發(fā)布：
好慢啊 很慢啊 要是整片寫大概會(huì)用去半個(gè)小時(shí) 有沒(méi)有可代替的,能快速寫的 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： dong 于 2005/1/8 21:45:00 發(fā)布：
我用的是49bv162a，整片也就1分鐘不到。 也是逐個(gè)字節(jié)寫的，那些0xff可以跳過(guò)不用寫。29lv160我也用過(guò)，速度也差不多。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： sdenff 于 2005/1/10 8:11:00 發(fā)布：
你怎么寫的?! dong: 我寫幾K字節(jié)都要好幾分鐘,你是怎么寫的?可以貼一下嗎? |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： dong 于 2005/1/10 10:07:00 發(fā)布：
我也是抄別人的，改了一點(diǎn)。 for (i=0 ; i<size; i++,srcPtr++,targetPtr++) { if(*srcPtr==0xff)continue; retry=0; RETRY_1: loop_count=0; DV_WriteFlash(COM_ADDR[0],FLASH_UNLOCK1); DV_WriteFlash(COM_ADDR[1],FLASH_UNLOCK2); DV_WriteFlash(COM_ADDR[0],FLASH_PROGRAM); DV_WriteFlash(targetPtr,*srcPtr); do { TEMP= *(volatile CHAR*)targetPtr; TEMP2=*(volatile CHAR*)targetPtr; if ((TEMP==TEMP2) && (TEMP==*srcPtr)) { break; } if (++loop_count>WRITETIMEOUT) { if(++retry <2)goto RETRY_1; write_error = -1; /* 1 second, Timeout */ break; } }while(1); } |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： sdenff 于 2005/1/10 10:56:00 發(fā)布：
參詳參詳 謝謝啊 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： sdenff 于 2005/1/10 11:03:00 發(fā)布：
貪得無(wú)厭點(diǎn) 能否方便把著個(gè)涵熟貼一下:DV_WriteFlash() |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： dong 于 2005/1/10 11:20:00 發(fā)布：
這是個(gè)宏 #define DV_WriteFlash(addr, data) (*(volatile unsigned CHAR *)(addr) ) = (data) |
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