目的是在PMOSFET關(guān)斷時(shí)加快G-S極間電荷的釋放
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 這是用TL494驅(qū)動(dòng)P溝道場(chǎng)效應(yīng)管Q1,為了在關(guān)斷場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)能使其柵-源極電容上存貯的電荷快速釋放所采取的措施。 TL494的輸出是兩個(gè)工作在OC狀態(tài)的內(nèi)部晶體管,C1C2是集電極,E1E2是發(fā)射極(接地,雖然圖上沒畫出),R2是負(fù)載電阻。如果沒有紅圈內(nèi)的二極管和三極管,Q1的G-S極是直接并在電阻R2上。當(dāng)TL494的內(nèi)部晶體管導(dǎo)通時(shí),G-S極間電容可以通過(guò)494的內(nèi)部晶體管迅速充電,Q1快速導(dǎo)通。但當(dāng)494的內(nèi)部晶體管截止時(shí),Q1的G-S極間電容上的電荷就只能通過(guò)R2放電,速度很慢,Q1就不可能迅速關(guān)斷。有了紅圈內(nèi)的電路,G-S間電荷就可以通過(guò)9013的C-E回路快速釋放了(R2為9013提供偏置電流,有了D1才能使偏置電流流入9013基極而不致短路)。
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