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程序放在外部RAM時(shí)的疑惑 |
| 作者：chinabig 欄目：ARM技術(shù) |
使用周立功的開發(fā)板，遇到以下問題，不解，特求教。 我的程序放在外部RAM中，發(fā)現(xiàn)程序運(yùn)行很慢，寫了以下測試程序： #define Fosc 11059200 //晶振頻率 #define Fcclk (Fosc * 5) //系統(tǒng)頻率 #define Fcco (Fcclk * 4) //CCO頻率 #define Fpclk (Fcclk / 4) * 4 //VPB時(shí)鐘頻率 main() { ........ while(1){ IO0SET|=(0x1L<<9); IO0CLR|=(0x1L<<9); } } 在IO口上輸出一個(gè)方波。 用THUMB C編譯，循環(huán)體生成7條指令，方波寬度約1us。指令如下： ldr r1,[r0,#4] orr r1,r2 str r1,[r0,#4] ldr r1,[r0,#0xc] orr r1,r2 str r1,[r0,#0xc] b 0x80000744 ; (main + 0xc) 感覺仍是比較慢，不知大家有何見解？ 2。更奇怪的是，我用ARM C編譯后，循環(huán)體生成11條指令。然后我量外部RAM IS61LV25616AL的讀脈沖（OE腳),發(fā)現(xiàn)在一個(gè)方波的時(shí)間內(nèi)只有6個(gè)讀脈沖（即6次低電平)。這是否意味著11條指令只需讀六次RAM？ARM指令集是32位的，而RAM是16位，所以11條指令應(yīng)該讀11×2＝22次才對。 十分困惑，請解答,謝謝 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： linsf 于 2004/11/24 20:13:00 發(fā)布：
外部存儲器的訪問速度是可以設(shè)定的吧 不過不知道你說的慢具體是指什么。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： chinabig 于 2004/11/24 20:27:00 發(fā)布：
我已經(jīng)設(shè)定了啊 你看一下我在例子中定義的ＶＰＢ，已經(jīng)把訪問速度設(shè)為最快了。 為什么說速度慢？因?yàn)橐粭l指令所耗費(fèi)的時(shí)間要大于０.1us，你說不慢嗎？還不如ＡＶＲ呢 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： linsf 于 2004/11/24 20:41:00 發(fā)布：
是因?yàn)橥獠縭am影響了速度吧 外部存儲器的訪問速度也是可以配置的，可以通過設(shè)置 存儲器配置寄存器BCFG0來實(shí)現(xiàn)（也就是配置bank0的訪問速度），你僅僅設(shè)置了時(shí)鐘而已。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： chinabig 于 2004/11/24 21:53:00 發(fā)布：
補(bǔ)充說明一下 １。外部ＲＡＭ的速度已經(jīng)設(shè)置了。在ＢＣＦＧ０中已經(jīng)把外部ＲＡＭ的訪問速度設(shè)置為最快。 ２。我使用的芯片是２２１０。此芯片無片內(nèi)ＦＬＡＳＨ，是否與此有關(guān)？ |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： linsf 于 2004/11/24 21:56:00 發(fā)布：
讓高手來回答吧， 我剛接觸ARM不久.:) |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： ddees 于 2004/11/25 8:03:00 發(fā)布：
我用2214的片內(nèi)FLASH測試速度 任務(wù)切換時(shí)間是20微秒，在11.0592＊5的速度下，外部RAM設(shè)置為最快，你看一下任務(wù)切換要多少指令就知道了 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： ddees 于 2004/11/25 8:05:00 發(fā)布：
總覺得ARM沒有傳說中的快 |
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