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常見(jiàn)在晶振的兩端并上很大的電阻，有何作用阿！ |
| 作者：voynich 欄目：單片機(jī) |
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| 作者： 張明峰 于 2004/1/12 11:07:00 發(fā)布：
不可取 并電阻的唯一目的是降低晶體的Q值，Q值降低后晶體起振比較容易。此法為沒(méi)有辦法的辦法，一般不用。 |
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| 作者： voynich 于 2004/1/12 13:05:00 發(fā)布：
!! 我在一個(gè)精密的測(cè)量芯片系統(tǒng)中（時(shí)序要求很高的），在晶振兩端并了一個(gè)很大的電阻，可是并沒(méi)有影響我的測(cè)量精度阿��！ |
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| 作者： michael_hu 于 2004/1/12 14:59:00 發(fā)布：
抑制EMI 抑制EMI,EMI不過(guò)時(shí)，可減小阻值 |
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| 作者： heckle 于 2004/1/12 23:57:00 發(fā)布：
抑制EMI串一個(gè)小電阻以降低幅度 并電阻俺理解純脆是為了更容易起振 |
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| 作者： ye77 于 2004/1/15 13:23:00 發(fā)布：
電阻選多大合適？ |
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| 作者： ddddgggg 于 2004/1/18 15:13:00 發(fā)布：
哇！學(xué)了一招 我曾做過(guò)的一個(gè)東西因?yàn)樯想姳容^慢，所以，晶震用在54上老是不起震，沒(méi)辦法只好用在容易起震的8870上傳給54來(lái)用，但是如果當(dāng)時(shí)那個(gè)扳子上沒(méi)有別的片子我豈不沒(méi)辦法了嗎，現(xiàn)在有這個(gè)辦法也挺好。 |
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| 作者： hotpower 于 2004/1/19 13:57:00 發(fā)布：
電阻的級(jí)別肯定是廳局級(jí)以上 |
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| 作者： dengm 于 2004/1/19 15:28:00 發(fā)布：
提供直流工作點(diǎn) |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： czh023 于 2004/1/19 15:58:00 發(fā)布：
aa I agree with the idea upstairs,It stable the dc operation point and let the internal INVERTER at LINEAR mode. |
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| 作者： 楊貴超 于 2004/1/20 17:04:00 發(fā)布：
使門(mén)電路工作于線性區(qū)。 |
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| 作者： LINZHIQI1 于 2004/1/20 21:34:00 發(fā)布：
還有一種說(shuō)法，降低晶體的激勵(lì)功率，防止損壞。 |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： l25 于 2004/1/25 18:46:00 發(fā)布：
to LINZHIQI1：降低晶體激勵(lì)功率的是另一個(gè)串聯(lián)的電阻。 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： voynich 于 2004/1/29 11:18:00 發(fā)布：
總結(jié) 1.降低晶體的Q值，Q值降低后晶體起振比較容易 2.抑制EMI,EMI不過(guò)時(shí)，可減小阻值 3.提供直流工作點(diǎn) 4.使門(mén)電路工作于線性區(qū) 大家說(shuō)了這么多的功用，我相信在以后的設(shè)計(jì)測(cè)試中，自然會(huì)知道誰(shuí)是誰(shuí)非！！ |
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