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急急干擾大EEPROM 誤改寫問題 |
| 作者：liguilin 欄目：單片機(jī) |
我做一款復(fù)費(fèi)率電表，我頻繁上下電，電表的表底數(shù)、脈沖常數(shù)、地址常被改寫，請問那位大蝦有高招，幫幫小弟。 謝謝！ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： imwangyi 于 2003/7/17 11:41:00 發(fā)布：
軟件要處理好 1，重要的數(shù)據(jù)，不一定只放在一個地址。上電時檢查一下就知道是不是寫EEPROM時掉電了。 2，程序設(shè)置一些讀寫EEPROM的flag，也不一定就一個flag，在讀寫EEPROM時發(fā)現(xiàn)自己定義的flag不正常就退出。 3，電源好點，MCU選型也很重要。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/17 14:14:00 發(fā)布：
謝謝！imwangyi 我用的是AT24C02，1、2、3 腳接地了，WP我也使用了，進(jìn)入寫EEPROM的程序打開WP然后判斷FLAG不正常馬上關(guān)閉WP，程序內(nèi)也加了很多FLAG,程序我也加了寫EEPROM的授權(quán)如：初始化是否成功、主程序是否正常執(zhí)行、寫的數(shù)據(jù)校驗是否成功等。正常使用時很好用，我長時間的頻繁斷電上電是會現(xiàn)這種情況，也就是說在不正常的情況下程序出現(xiàn)了誤操作，寫了我不想寫的數(shù)據(jù)。這種情況是否能完全解決，我現(xiàn)在3小時內(nèi)不會改寫，3小時后不一定了。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： imwangyi 于 2003/7/17 14:38:00 發(fā)布：
一定可以解決。 AT24C02質(zhì)量還不錯。 有幾個問題需要問一下： 1，用的什么MCU。如果是TAIWAN的東西，可能我也沒什么脾氣。 2，F(xiàn)lag的設(shè)置，程序在設(shè)置標(biāo)志位前，要判斷程序狀態(tài)（比如是否是飛了）。設(shè)置好了標(biāo)志位，也要去判斷。尤其在進(jìn)入寫EEPROM的程序打開WP前。 3,數(shù)據(jù)的存放，最好將同一數(shù)據(jù)放在不同的地址，而且要加校驗，如CRC之類的東西。這樣的話，就算在寫EEPROM時掉電，也能恢復(fù)正確的數(shù)據(jù)。當(dāng)然，在寫的命令不應(yīng)該是同一個寫命令。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/17 17:38:00 發(fā)布：
我用的是：MICROCHIP的PIC16C73 1、數(shù)據(jù)我加了校驗和，我的數(shù)據(jù)最大只有4個字節(jié)，加校驗和因該沒問題。但表的ID號沒加校驗。數(shù)據(jù)放在一個區(qū)ID號放在一個區(qū)。 2、FLAG我是這樣用的：如：修改ID號程序；判斷舊ID號和命令碼正確；正確后設(shè)置寫EEPROM標(biāo)志；再判斷命令碼是否正確；如正確調(diào)用寫EEPROM程序，不正確死循環(huán)等WDT復(fù)位；WP我是這樣用的；進(jìn)入寫EEPROM程序首先打開WP判斷是否有寫EEPROM 的FLAG；若有再判斷命令碼是否正確；都正確寫EEPROM，寫萬關(guān)WP;若FLAG和命令碼有一個錯關(guān)WP等WDT復(fù)位； 3、我是這樣做的試驗：把220V的插頭來回在 插空內(nèi)晃動，插頭銅片和插空銅片接觸時有火花出現(xiàn)，最初我做試驗不到10分鐘必定會改寫EEPROM的內(nèi)容，現(xiàn)在我已經(jīng)控制到3小時內(nèi)不會改寫EEPROM的內(nèi)容，3小后就不一定了，我想EEPROM改寫能不能完全解決。這樣我就不擔(dān)心在現(xiàn)場回出現(xiàn)丟地址了。請多指教！ |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： louis.liu 于 2003/7/19 11:06:00 發(fā)布：
采用數(shù)據(jù)地址冗余，寫-讀-比較-寫-讀-比較。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： eling 于 2003/7/19 15:28:00 發(fā)布：
用93LCX6可能會更好，我現(xiàn)在都很少用AT24系列了 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： jtnj 于 2003/7/20 6:38:00 發(fā)布：
搞正確寫EE的時序,確認(rèn)中斷發(fā)生時的現(xiàn)場保護(hù)和恢復(fù) |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/20 9:02:00 發(fā)布：
謝謝�。� to louis.liu ：我試用數(shù)據(jù)地址冗余大有提高，但不能完全提高。對寫數(shù)據(jù)很有效 對ID 號管理不理想，因為我的表剛出廠沒有ID，沒有最初的原始數(shù)據(jù)無法做數(shù)據(jù)地址冗余。 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/20 9:04:00 發(fā)布：
謝謝��！ to louis.liu ：我試用數(shù)據(jù)地址冗余大有提高，但不能完全解決。對寫數(shù)據(jù)很有效 對ID 號管理不理想，因為我的表剛出廠沒有ID，沒有最初的原始數(shù)據(jù)無法做數(shù)據(jù)地址冗余。 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： imwangyi 于 2003/7/20 10:34:00 發(fā)布：
一點建議 看你程序的流程,應(yīng)該沒什么問題.不過,電源不好的時候,MCU的內(nèi)部的RAM不是那么聽話,所以falg不一定只是一個bit. 另外,你的外圍電路,尤其是復(fù)位電路,要保證MCU電壓異常時(過低)時能立即Reset,否則,一個bit的falg很難保證工作的正確性. 同時,建議你看看MCU的I/O口上的雜訊究竟有幾大.如果有大于-1V的雜訊,估計內(nèi)部RAM有時會出點問題,需要保護(hù). |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： strongxg 于 2003/7/20 10:54:00 發(fā)布：
試一試改用鐵電存儲器，不過貴一些。 除了保證以上的措施外，EEPROM的長時間寫是它的弱點。鐵電存儲器存儲器讀寫速度快，耗能低，也有些寫保護(hù)措施，出錯的概率應(yīng)該小很多。而且其讀寫壽命比EEPROM長很多，對你設(shè)計應(yīng)該有幫助。只是建議，不是廣告喲！ |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/20 15:04:00 發(fā)布：
謝謝��！imwangyi 你說的很對我做實驗發(fā)現(xiàn)，RAM的內(nèi)容是有問題，我也覺得一位FLAG不可靠，我都用了一位加一個字節(jié)做FLAG也不可靠，我掉電要保存參數(shù)，不能復(fù)位。RAM的值如何保存，請指教�。�！ |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： shifei74 于 2003/7/21 8:49:00 發(fā)布：
怎會如此呢？ 我也做過類似產(chǎn)品，只是E2大些，沒任何問題啊，脈沖群輕松到4500V，所以一定可以解決。 掉電復(fù)位是否使用，有停電檢測嗎？ 我認(rèn)為24CXX是唯一選擇，不要考慮更換，否則需要容量大時就麻煩了。 ID號一樣可以雙重保護(hù)！ |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： imwangyi 于 2003/7/21 10:22:00 發(fā)布：
再說幾點，供參考 1，MCU換PIC16LC73B(工作電壓2.5-5.5)，因為PIC16C73B的工作電壓4.0-5.5。 2,EEPROM用24AA02(工作電壓1.8-5.5) 掉電一定要復(fù)位，當(dāng)然指的是MCU的工作電壓低于指定數(shù)值的時候。比如PIC16LC73B工作到2.3V時，程序可以跑，但RAM是什么什么情況就不得而知了。 所以你的電源電路要保證市電掉電后50MS能提供正常的工作電壓。同時，為了對付頻繁的斷復(fù)電，你的復(fù)位電路可能要做一些修改，以保證電路工作電壓工作未穩(wěn)定的時候MCU不能工作。 如果你在深圳的話，我們可以當(dāng)面交流一些意見了；但網(wǎng)絡(luò)的世界，誰也不知道誰在哪里，靠幾個貼子，交流起來也是有限的。 |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/21 15:47:00 發(fā)布：
我在北京，掉電可以保證150MS的正常供電，我用示波器觀察過 |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： 張明峰 于 2003/7/21 16:44:00 發(fā)布：
用外部Reset芯片 確定合適的復(fù)位電壓門限，用外部復(fù)位芯片接在MCLR引腳上試試。EEPROM數(shù)據(jù)出問題主要是在上／下電過程中發(fā)生，如果MCU能可靠復(fù)位基本可以消除。 |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/21 17:39:00 發(fā)布：
硬件已經(jīng)不能蓋了,有軟件解決的方法嗎?謝謝!! |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： martin 于 2003/7/21 17:57:00 發(fā)布：
燒寫芯片時選啟動BOD EEPROM被誤改寫的現(xiàn)象一般都是發(fā)生在上掉電過程中，如果沒有內(nèi)部上掉電復(fù)位或外部上掉電復(fù)位芯片，在不足芯片工作電壓時，單片機(jī)并不是不工作，但它工作是否正常？在跑什么代碼就只有天知道，所以設(shè)計一定要避開這個危險區(qū)域。方法：燒寫芯片時選啟動內(nèi)部BOD，或者象張工說的加外部Reset芯片。如果這還不行，再在軟件上做考慮，比如：對大循環(huán)里的每一步設(shè)定順序號，如開始是00，第一個子程序是01，只有當(dāng)調(diào)用EEPROM寫時順序號是0X才真正啟動EEPROM寫，否則報錯退出。如果懷疑RAM內(nèi)容錯，考慮將重要數(shù)據(jù)多地址備份。 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： shifei74 于 2003/7/21 18:27:00 發(fā)布：
對，用BOD 用BOD，如果是F73的話，4V就復(fù)位（IO口為低），不過I2C的上拉就不要用了 上電延時3S以上在進(jìn)行讀寫操作 個人認(rèn)為不要用低電壓的，就F73就可以了 不明白為什么ID就不能保護(hù)了，這跟出廠前后設(shè)置有關(guān)系嗎？ 還不行，最好別自己做了，可以找北高智，利爾達(dá)，HND，慶成等，只要有量都好說 發(fā)信息給我也可，也在北京 |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/22 14:15:00 發(fā)布：
BOD是好用，我做過實驗了，但我不能BOD，掉電保存數(shù)據(jù) |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： shifei74 于 2003/7/22 14:40:00 發(fā)布：
那不就清楚了嗎 那就是掉電時改寫EE， 前面做的大都沒用了！ 只要檢測到停電，將SCL和SDA置零 |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/23 8:51:00 發(fā)布：
用BOD掉電不能保存了,所以我沒法適用BOD |
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| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： liguilin 于 2003/7/24 11:08:00 發(fā)布：
不能用BOD ，用BOD 后掉電不能保存數(shù)據(jù)了 |
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| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： hotpower 于 2003/7/30 0:58:00 發(fā)布：
先讀后寫會更好些 在EEPROM內(nèi)設(shè)1字(0x55aa)首次寫入標(biāo)志()和1字(0xaa55)每次成功標(biāo)志。 在寫入前先讀出首次寫入標(biāo)志(0x55aa)，若正確，可暫認(rèn)為系統(tǒng)掉電后還有能量。且有EEPROM存在。 然后快速寫入信息，全部寫完后，再寫入每次成功標(biāo)志(0xaa55)，然后讀出該標(biāo)志，若正確，則可肯定寫入成功。否則，做相應(yīng)處理。 注意：寫入信息塊時，最好先讀后寫，若讀出的數(shù)據(jù)與寫入的相同時，就不要再寫了，這樣可增加安全性。 |
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