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VN2110ND Datasheet

  • VN2110ND

  • N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

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VN2106/VN2110
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
1.1
10
On-Resistance vs. Drain Current
8
V
GS
= 5V
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
6
V
GS
= 10V
1.0
4
2
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
j
(擄C)
Transfer Characteristics
2.0
I
D
(amperes)
V
GS(th)
and R
DS(ON)
Variation with Temperature
2.0
V
DS
= 25V
1.6
1.4
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
1.6
V
GS(th)
(normalized)
1.2
1.2
1.0
0.8
0.8
1.2
0.8
25擄C
125擄C
0.4
V
GS(th)
@ 1mA
0.4
0.6
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
50
10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
8
V
DS
= 10V
C (picofarads)
V
GS
(volts)
C
ISS
25
90 pF
6
4
C
OSS
2
30 pF
C
RSS
0
0
10
20
30
40
0
0
0.2
0.4
0.6
V
DS
= 40V
0.8
1.0
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
11/12/01
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
T
A
= -55擄C
I
D
(amperes)

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