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VN3205ND Datasheet

  • VN3205ND

  • N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VN3205
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
1.1
1.0
On-Resistance vs. Drain Current
0.8
V
GS
= 4.5V
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
0.6
V
GS
= 10V
1.0
0.4
0.2
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
4
8
12
16
20
T
j
(
C)
Transfer Characteristics
10
I
D
(amperes)
V
GS(th)
and R
DS(ON)
Variation with Temperature
1.2
1.6
V
DS
= 25V
8
1.1
R
DS(ON)
@ 10V, 3A
1.4
25擄C
6
1.0
1.2
125擄C
4
0.9
1.0
2
0.8
V
GS(th)
@ 1mA
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0.7
-50
0
50
100
150
0.6
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
400
10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
8
300
V
DS
= 10V
C (picofarads)
V
GS
(volts)
V
DS
= 40V
6
C
ISS
200
325 pF
4
100
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
2
215 pF
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
11/12/01
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
V
GS(th)
(normalized)
T
A
= -55擄C
I
D
(amperes)

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